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SRAM<デバイス原理>

 

メモリセル構成

  • 6トランジスタセルで構成
  • 4トランジスタセル(高抵抗負荷型セル)で構成
低消費電力版と高密度版

データの書き込み方

<"1" の場合>

  1. ワード線電位を high
  2. Bit線の電位を与える(D=low, D=high) → フリップフロップの状態が決まる
  3. ワード線電位を low

データの読み出し方

<"1" の場合>

  1. ワード線電位を off
  2. Bit線をプリチャージ(D, Dに同じ電位)
  3. ワード線電位を high
  4. Bit線が low, high の状態になる
  5. センスアンプで増幅する
1状態と0状態の比較

フリップフロップ回路によって"1"、"0"を記憶します

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