SiCパワーデバイス

シリコンカーバイド(SiC)デバイスは、シリコン(Si)デバイスと比較してオン抵抗が低く、高温、高周波、高電圧環境での性能が優れていることから、次世代の低損失半導体として大いに期待されています。SiCデバイスの優れた性能によって設計の複雑さが解消され、使用する部品数は少なく済みます。

ロームは、多くの業界のさまざまな用途に対応する、高効率で節電効果の高いSiCパワーデバイスおよびモジュールを開発しています。

SiC技術の応用:

  • ソーラーおよび風力向けDC/ACコンバータの高効率インバータ
  • 電気自動車およびハイブリッド自動車向けのパワーコンバータ
  • 産業機器およびエアコン向けのパワーインバータ
  • X線発生装置向けの高電圧スイッチ
  • 薄膜コーティングプロセス

ロームのSiC製品

ロームの幅広いポートフォリオには、SiCショットキーバリアダイオード(SBD)、SiC MOSFET、フルSiCパワーモジュール(SiC SBDとSiC MOSFETを内蔵)、高熱抵抗パワーモジュールなどがあります。これらの高効率デバイスは、エンド製品を大幅に小型化できる可能性があります。

業界最先端のSiCパワーソリューション

シリコンカーバイドがパワーエレクトロニクス分野で期待される材料である理由についてご覧ください。低損失、高耐圧、高速スイッチング、耐熱性などの優れた特性を有しており、シリコン半導体(Si)に比べて高効率化、小型・軽量化が可能です。

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