SiCパワーデバイス

Si半導体よりも小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現できるSiC。スイッチングロスの低減や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されています。

SiC ショットキーバリアダイオード

SiC ショットキーバリアダイオード (69)

SiCショットキーバリアダイオード(SiC SBD)はスイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。高速スイッチング電源のPFC回路を中心に採用されています。ロームの第三世代SiC SBD「SCS3シリーズ」は、第二世代SiC SBDで達成した当時業界最小の順方向電圧をさらに改善しつつ、大幅にサージ電流耐量を向上させたデバイスです。

SiC MOSFET

SiC MOSFET (40)

SiC MOSFETはスイッチング動作時のテイル電流が原理的に無いため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能です。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できるため低容量・低ゲートチャージを実現しています。ロームの第三世代トレンチゲート型SiC MOSFET「SCT3シリーズ」は、第二世代プレーナ型SiC MOSFETに比べ、オン抵抗を約50%、入力容量を約35%低減しています。xEV車載充電器やDC/DCコンバータ用途に向けて、車載信頼性規格AEC-Q101に準拠した製品ラインアップを拡充しております。

SiC パワーモジュール

SiC パワーモジュール (18)

SiCパワーモジュールは、IGBTモジュールに対して大幅に損失を低減することが可能です。スイッチング損失が少なく、高いスイッチング周波数下では特に有利になります。

SiC ショットキーバリアダイオード Bare Die (15)

SiC SBDはスイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。高速スイッチング電源のPFC回路を中心に採用されています。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

SiC MOSFET Bare Die (19)

SiC MOSFETはスイッチング動作時のテイル電流が原理的に無いため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能です。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できるため低容量・低ゲートチャージを実現しています。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。