SiC MOSFETはスイッチング動作時のテイル電流が原理的に無いため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能です。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できるため低容量・低ゲートチャージを実現しています。Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。
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