GaNパワーデバイス

GaNパワーデバイス

GaN(窒化ガリウム)は次世代のパワーデバイスとして期待されている化合物半導体の材料です。従来のシリコンデバイスと比較し、優れたスイッチング性能および高周波性能のため市場での採用が進んできています。
それに加えてオン抵抗もシリコンデバイスより低く、多くのアプリケーションでの低消費電力化、小型化が大いに期待されています。

ロームはゲート・ソース最大定格電圧を8Vに向上する事に成功し、基地局、データセンターをはじめとする多くの産業機器での使用に最適な仕様になっています。

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