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評価ボードを使用して、ロームのSiCショットキーバリアダイオード(SBD)SiC MOSFETSiCパワーモジュール(SiC SBDとMOSFETを統合)の製品を簡単に評価できます。これらの小型で高効率なSiCパワーデバイスを使用することで、最終製品のサイズを大幅に小さくできる可能性があります。また、評価ボードを使って、アプリケーション試作や初期セット開発を行うことができます。

評価ボードラインアップ

Category SiC Product  Image Part No. Maker 製品詳細  User Guide ボード入手
SiC-MOS  Evaluation Board SCT3XXX series Trench(3G) TO-247 3L/4L NEW P02SCT3040KR-EVK-001  ROHM 詳細 取扱説明書
製品仕様書
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SCT2XXX series Planar(2G) TO-247 3L P01SCT2080KE-EVK-001 詳細 問い合わせ
SiC Module Drive board  BSM series Planar (2G)(1200V, E / G type)  BSMGD2G12D24-EVK001  - ユーザーガイド 問い合わせ
BSM series Trench(3G) (1200V,E/G type) BSMGD3G12D24-EVK001 - ユーザーガイド 問い合わせ
BSM series (1200V, C type) BSMGD3C12D24-EVK001 - ユーザーガイド 問い合わせ
BSM series (1700V, E type) BSMGD2G17D24-EVK001 - ユーザーガイド 問い合わせ
BSM series (1200V, C / E / G type) 2DU series  TAMURA  株式会社タムラ製作所 Web サイト
BSM series (1700V, E type)  2DUB series
BSM series (1200V,E/G type)  Core Driver :
2ASC-12A1HP
Adapter Board :
EDCA1
AgileSwitch  AgileSwitch Webサイト
BSM series (1200V,C type) Core Driver :
2ASC-12A1HP
Adapter Board :
EDCA2
Snubber Module  BSM series (1200V, C type)  MGSM1D72J2-145MH26  ROHM - 問い合わせ
BSM series (1200V,  E / G type)  MGSM1D72J2-145MH16  -
BSM250 (1700V,  E type)  MGSM1D72J3-934MH93 -
AC/DC  Evaluation Board BM2SCQ123T-LBZ BM2SCQ123T-EVK-001 ROHM - ユーザーズガイド ネット商社から購入
SCT2H12NZ BD7682FJ-LB-EVK-402 ROHM 詳細 アプリケーションノート ネット商社から購入

評価ボード詳細

P02SCT3040KR-EVK-001

  • ローム製 SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-4L)評価用
    回路乗数の変更により、他のローム製SiC-MOSFET評価が可能
  • TO-247-4Lだけでなく、TO-247-3Lのスルーホールがあり、同じ基板で比較評価が可能。
  • 単一電源(+12Vで動作)
  • 最大150Aのダブルパルス試験、最大500kHzのスイッチング動作が可能
  • 各種電源トポロジーに対応(Buck, Boost, Half-Bridge)
  • ゲート駆動用絶縁電源を内蔵し可変抵抗で調整可能(+12V~+23V)
  • ゲート駆動用負バイアスとゼロバイアスをジャンパ端子で切り替えが可能
  • 上下アームの同時オン防止、過電流保護機能(DESAT, OCP)内蔵

 

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評価ボード・サンプル購入

      

    [新製品] 4端子パッケージSiC MOSFET 「SCT3xxx xRシリーズ」

    • 高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適なトレンチゲート構造SiC MOSFET 「SCT3xxx xRシリーズ」6機種(650V/1200V耐圧)を開発しました。
      今回新しく開発したシリーズは、SiC MOSFETがもつ高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができる4端子パッケージ(TO-247-4L)を採用しています。これにより、従来の3端子パッケージ(TO-247N)と比べ約35%のスイッチング損失削減を実現でき、各種機器の低消費電力化に貢献します。

      ニュースリリース

    P01SCT2080KE-EVK-001

      
    • PathWave ADS Workspace for P01SCT2080KE-EVK-001

      PathWave Advanced Design System (ADS)@Keysight社に対応したシミュレーションキットをご提供します。試作前の検証などにご使用ください。     

    • Rohm kit

    ダウンロード

    • ローム製 SCT2080KE(1200V 80mΩ)評価用
      回路設定の変更により、他ロームSiC MOSFET製品の評価可能
    • 1200V、5A、100kHzにてMOSFET、IGBTを評価可能
    • 1系統のDC12Vから上下各アームの正・負バイアス電圧を生成
    • ダブルパルス試験用ゲート信号を内部生成
    • 外部供給信号によりDCDCコンバータ評価可能
    • フライホイールはMOSボディダイオード、外付けダイオード、逆導通を選択可能
    • ※内蔵インダクタの場合

     

    製品画像

    1700V SiC MOSFET搭載AC/DCコンバータ制御IC評価ボード

    大電力を扱う産業機器の補機電源向けに最適な1700V高耐圧 SiC-MOSFETとSiC駆動用AC/DCコンバータ制御ICを搭載しています。

    BD7682FJ-LB-EVK-402

    • SiC-MOSFET駆動、ACDC評価ボード(フライバックコンバータ)
    • 1700V SiC-MOSFET SCT2H12NZ 搭載
    • AC/DCコンバータ制御IC BD7682FJ-LB 搭載
    • 三相AC400~690V入力 24V/1A出力

     

    製品画像

    アプリケーションノート

    SiCパワーデバイス・モジュール アプリケーションノート
    SiCパワーデバイス・モジュール アプリケーションノート
    アクティブミラークランプによる誤点弧対策
    アクティブミラークランプによる誤点弧対策
    pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
    pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
    熱シミュレーション用 2抵抗モデル
    熱シミュレーション用 2抵抗モデル
    最適な放熱効果を与えるモジュールの組み付け方法
    最適な放熱効果を与えるモジュールの組み付け方法
    熱モデルの使い方
    熱モデルの使い方
    熱モデルとは
    熱モデルとは
    ゲート-ソース電圧測定時の注意点
    ゲート-ソース電圧測定時の注意点
    ドライバソース端子によるスイッチング損失の改善
    ドライバソース端子によるスイッチング損失の改善
    SiC MOSFET スナバ回路の設計方法
    SiC MOSFET スナバ回路の設計方法
    SiC MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
    SiC MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
    ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い
    ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い

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    関連リンク

    ゲートドライバ