1700V, 3.7A, THD, SiC-MOSFET - SCT2H12NZ
SCT2H12NZは1700V 3.7AのNch SiCパワーMOSFETです。
×
特性:
VDS [V]
1700
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
1150.0
ID [A]
3.7
PD [W]
35
ジャンクション温度 (Max.)[°C]
175
保存温度範囲 (Min.) [°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Long creepage distance
- Simple to drive
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
