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SiC MOSFET - SCT2H12NZ

SCT2H12NZは1700V 3.7AのNch SiCパワーMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
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形名 | SCT2H12NZGC11
供給状況 | 供給中
パッケージ | TO-3PFM
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1700

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

1150

ID [A]

3.7

PD [W]

35

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

175

特長:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant

サポートリンク:

SiC（シリコンカーバイド）特設サイト
低オン抵抗や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されているSiC（シリコンカーバイド）。省電力化のキーデバイスとして、 ロームは世界に先駆けてSiCパワーデバイスとモジュールの開発に取り組んでいます。
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