SiC MOSFET - SCT2H12NZ | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor - japan
Rohm Productdetail
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特性:
VDS [V]
1700
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
1150
ID [A]
3.7
PD [W]
35
ジャンクション温度 (Max.)[°C]
175
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
175
特長:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Long creepage distance
- Simple to drive
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
