SCT2H12NZ
1700V, 3.7A, THD, SiC-MOSFET
高電圧・大電力の産業機器アイテムに搭載される補機電源ユニットには、従来1000V耐圧をこえるようなSi-MOSFETが採用されておりますが、高効率なSiC MOSFETへ置き換えることで、発熱低減によるヒートシンクなど部品削減が期待されます。本製品「SCT2H12NZ」とSiC-MOSFETの駆動に最適なAC-DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」、これらを実装した評価ボード「BD7682FJ-LB-EVK-402」をご用意しております。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
1700
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
1150
Generation
2nd Gen (Planar)
Drain Current[A]
3.7
Total Power Dissipation[W]
35
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特長:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Long creepage distance
- Simple to drive
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
製品概要
製品概要
Siの限界を超えるデバイスとして注目のSiCデバイス。より高性能化のキー材料として大きく期待されています。
高電圧・大電力の産業機器アイテムに搭載される補機電源ユニットには、従来1000V耐圧をこえるようなSi-MOSFETが採用されており、高効率SiC-MOSFETへ置き換えることで、発熱低減によるヒートシンクなど部品削減が期待できます。
今回、新たに1700Vクラス製品をリリースし、SiC-MOSFETを容易に評価いただけるよう、評価用基板も準備しています。
評価基板
ロームは総合半導体メーカーとして、SiCデバイスと組み合わせて使用可能なICを各種ラインアップしています。 今回、本製品「SCT2H12NZ」とSiC-MOSFETの駆動に最適なAC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」、これらを実装した評価ボード「BD7682FJ-LB-EVK-402」のインターネット販売も開始しています。
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特長1：産業機器の補機電源に最適
産業機器の補機電源に使用されていた1500V耐圧のSi-MOSFETと比較して、1700V耐圧と同時に8分の1となるオン抵抗1.15Ωを実現しています。
また、パッケージにはTO-3PFMを採用することで産業機器に要求される沿面距離（絶縁物の表面に沿って計測した距離）を確保しています。
特長2：専用ICと同時採用で劇的な高効率化を達成
SiC-MOSFETの実力を最大限引き出すことが可能なローム製SiC-MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」と組み合わせた場合、最大で6%の高効率化を実現可能です（ローム調べ）。
同時に発熱も低減できるため、放熱部品の小型化も可能です。
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
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- Evaluation Board - BD7682FJ-LB-EVK-402
絶縁フライバック型 擬似共振方式 24W 24V 出力
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- Evaluation Board - BD7682FJ-LB-EVK-302
The BD7682FJ is an AC/DC quasi-resonant flyback controller IC from ROHM Semiconductor and offers an Auxiliary Power Supply Solution if combined with the 1700 V SiC MOSFET (SCT2H12NZ). The BD7682FJ and SCT2H12NZ combined together have been used to develop an isolated 100 W 24 V output auxiliary power solution with a very accurate voltage regulation.
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