SCT2H12NZ
1700V, 3.7A, THD, SiC-MOSFET

SCT2H12NZは1700V 3.7AのNch SiCパワーMOSFETです。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | SCT2H12NZGC11
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-3PFM
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1700

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

1150.0

ID [A]

3.7

PD [W]

35

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant

製品概要

 

製品概要

package

Siの限界を超えるデバイスとして注目のSiCデバイス。より高性能化のキー材料として大きく期待されています。
高電圧・大電力の産業機器アイテムに搭載される補機電源ユニットには、従来1000V耐圧をこえるようなSi-MOSFETが採用されており、高効率SiC-MOSFETへ置き換えることで、発熱低減によるヒートシンクなど部品削減が期待できます。
今回、新たに1700Vクラス製品をリリースし、SiC-MOSFETを容易に評価いただけるよう、評価用基板も準備しています。

評価基板

ロームは総合半導体メーカーとして、SiCデバイスと組み合わせて使用可能なICを各種ラインアップしています。 今回、本製品「SCT2H12NZ」とSiC-MOSFETの駆動に最適なAC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」、これらを実装した評価ボード「BD7682FJ-LB-EVK-402」のインターネット販売も開始しています。

サンプル・評価ボード購入はこちら
評価用電源基板(BD7682FJ-LB-EVK-402)

特長1:産業機器の補機電源に最適

産業機器の補機電源に使用されていた1500V耐圧のSi-MOSFETと比較して、1700V耐圧と同時に8分の1となるオン抵抗1.15Ωを実現しています。
また、パッケージにはTO-3PFMを採用することで産業機器に要求される沿面距離(絶縁物の表面に沿って計測した距離)を確保しています。

オン抵抗比較 新商品のアプリケーションイメージ

特長2:専用ICと同時採用で劇的な高効率化を達成

AC/DCコンバータでのSi対SiC効率比較

SiC-MOSFETの実力を最大限引き出すことが可能なローム製SiC-MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」と組み合わせた場合、最大で6%の高効率化を実現可能です(ローム調べ)。
同時に発熱も低減できるため、放熱部品の小型化も可能です。

ラインナップ

品名 パッケージ 極性 VDSS ID PD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
NEW SCT2H12NZ

TO-3PFMTO-3PFM

Nch 1700V 3.7A 35W 1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
NEW SCT2H12NY

TO-3PFMTO-268-2L

4A 44W
NEW SCT2750NY 5.9A 57W 0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

評価ボード

 
    • Evaluation Board
    • BD7682FJ-LB-EVK-302
    • BD7682FJ is an AC/DC quasi-resonant flyback controller IC from ROHM Semiconductor and offers an Auxiliary Power Supply Solution if combined with the 1700 V SiC MOSFET (SCT2H12NZ). The BD7682FJ and SCT2H12NZ combined together have been used to develop an isolated 100 W 24 V output auxiliary power solution with a very accurate voltage regulation.

  • ユーザーガイド 在庫確認
    • Evaluation Board
    • BD7682FJ-LB-EVK-402
    • BD7682FJ-LB-EVK-402 evaluation board outputs 24 V voltage from the input of 300 Vdc to 900 Vdc. The output current supplies up to 1 A. The BD768xFJ-LB series are Quasi-Resonant switching AC/DC converter for driving SiC (Silicon Carbide) MOSFET. Using external switching MOSFET and current detection resistors provides a lot of flexibility in the design.

  • ユーザーガイド 在庫確認

デザインリソース

 

ドキュメント

ホワイトペーパー

  • SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」
  • 採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
  • LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units
  • Solving the challenges of driving SiC MOSFETs with new packaging developments

クイックスタートガイド

  • SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」
  • 採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
  • LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units
  • Solving the challenges of driving SiC MOSFETs with new packaging developments

ユーザーズガイド

  • 100 W Auxiliary Power Supply Eval Board BD7682FJ-LB-EVK-302
  • BD7682FJ-EVK-402 評価ボードユーザーズガイド

アプリケーションノート

  • BD7682FL-LB Application Note

技術記事

回路設計・検証

  • 測定波形から電力損失を求める方法
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • SiC MOSFET ゲート-ソース電圧測定時の注意点
  • SiC-MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
  • SiC MOSFET のスナバ回路
  • SiC パワーデバイス・モジュール
  • ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルとは(SiCパワーデバイス)
  • 熱モデルの使い方
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

シミュレーション(ログイン必要)

  • AC-DC PFC
    Circuit Number A001: BCM VIN=200V IIN=2.5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A002: BCM Diode-Bridge-Less VIN=200V IIN=2.5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A004: CCM VIN=200V IIN=2.5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A005: CCM 2-Phase VIN=200V IIN=5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A006: CCM Synchro VIN=200V IIN=2.5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A011: DCM VIN=200V IIN=2.5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A012: DCM 2-Phase VIN=200V IIN=5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A014: DCM Synchro VIN=200V IIN=2.5A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C006: Buck Converter Vo=250V Io=20A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C007: Buck Converter 2-Phase Vo=250V Io=40A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C010: Flyback Converter VIN=800V Vo=25V Io=10A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C011: Forward Converter VIN=500V Vo=25V Io=10A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C012: LLC Buck Converter Vo=12V Io=250A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C013: Phase-Shift Buck Converter Vo=12V Io=250A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C014: Quasi-Resonant Converter VIN=800V Vo=25 Io=10A

デザインモデル

  • SCT2H12NZ SPICE Simulation Evaluation Circuit
  • SCT2H12NZ SPICE Model
  • SCT2H12NZ Thermal Model (lib)

特性データ

  • ESD Data

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 内部構造図
  • 包装仕様
  • 標印仕様説明
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について
  • はんだ付け条件

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

  • 構成物質一覧表
  • UL難燃性について
  • ELV指令適合証明書
  • Report of SVHC under REACH Regulation

輸出関連情報

  • 米国輸出規制 (EAR) について