SCT2H12NZ
1700V, 3.7A, THD, SiC-MOSFET

SCT2H12NZは1700V 3.7AのNch SiCパワーMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | SCT2H12NZGC11
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-3PFM
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1700

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

1150

世代

2nd Gen (Planar)

ID [A]

3.7

PD [W]

35

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

パッケージサイズ [mm]

16x21 (t=5.2)

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特長:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant

製品概要

 

製品概要

package

Siの限界を超えるデバイスとして注目のSiCデバイス。より高性能化のキー材料として大きく期待されています。
高電圧・大電力の産業機器アイテムに搭載される補機電源ユニットには、従来1000V耐圧をこえるようなSi-MOSFETが採用されており、高効率SiC-MOSFETへ置き換えることで、発熱低減によるヒートシンクなど部品削減が期待できます。
今回、新たに1700Vクラス製品をリリースし、SiC-MOSFETを容易に評価いただけるよう、評価用基板も準備しています。

評価基板

ロームは総合半導体メーカーとして、SiCデバイスと組み合わせて使用可能なICを各種ラインアップしています。 今回、本製品「SCT2H12NZ」とSiC-MOSFETの駆動に最適なAC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」、これらを実装した評価ボード「BD7682FJ-LB-EVK-402」のインターネット販売も開始しています。

サンプル・評価ボード購入はこちら
    評価用電源基板(BD7682FJ-LB-EVK-402)

    特長1:産業機器の補機電源に最適

    産業機器の補機電源に使用されていた1500V耐圧のSi-MOSFETと比較して、1700V耐圧と同時に8分の1となるオン抵抗1.15Ωを実現しています。
    また、パッケージにはTO-3PFMを採用することで産業機器に要求される沿面距離(絶縁物の表面に沿って計測した距離)を確保しています。

    オン抵抗比較 新商品のアプリケーションイメージ

    特長2:専用ICと同時採用で劇的な高効率化を達成

    AC/DCコンバータでのSi対SiC効率比較

    SiC-MOSFETの実力を最大限引き出すことが可能なローム製SiC-MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」と組み合わせた場合、最大で6%の高効率化を実現可能です(ローム調べ)。
    同時に発熱も低減できるため、放熱部品の小型化も可能です。

    ラインナップ

    品名パッケージ極性VDSSIDPD
    (Tc=25℃)
    RDS(ON)
    VGS=18V
    Qg
    VGS=18V
    NEW SCT2H12NZ

    TO-3PFMTO-3PFM

    Nch1700V3.7A35W1.15Ω
    (Typ.)
    14nC
    (Typ.)
    NEW SCT2H12NY

    TO-3PFMTO-268-2L

    4A44W
    NEW SCT2750NY5.9A57W0.75Ω
    (Typ.)
    17nC
    (Typ.)

    評価ボード

     
      • Evaluation Board
      • BD7682FJ-LB-EVK-302
      • BD7682FJ is an AC/DC quasi-resonant flyback controller IC from ROHM Semiconductor and offers an Auxiliary Power Supply Solution if combined with the 1700 V SiC MOSFET (SCT2H12NZ). The BD7682FJ and SCT2H12NZ combined together have been used to develop an isolated 100 W 24 V output auxiliary power solution with a very accurate voltage regulation.

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      • Evaluation Board
      • BD7682FJ-LB-EVK-402
      • BD7682FJ-LB-EVK-402 evaluation board outputs 24 V voltage from the input of 300 Vdc to 900 Vdc. The output current supplies up to 1 A. The BD768xFJ-LB series are Quasi-Resonant switching AC/DC converter for driving SiC (Silicon Carbide) MOSFET. Using external switching MOSFET and current detection resistors provides a lot of flexibility in the design.

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