VDS [V]
1700
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
1150
世代
2nd Gen (Planar)
ID [A]
3.7
PD [W]
35
ジャンクション温度 (Max.)[℃]
175
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
パッケージサイズ [mm]
16x21 (t=5.2)
Siの限界を超えるデバイスとして注目のSiCデバイス。より高性能化のキー材料として大きく期待されています。
高電圧・大電力の産業機器アイテムに搭載される補機電源ユニットには、従来1000V耐圧をこえるようなSi-MOSFETが採用されており、高効率SiC-MOSFETへ置き換えることで、発熱低減によるヒートシンクなど部品削減が期待できます。
今回、新たに1700Vクラス製品をリリースし、SiC-MOSFETを容易に評価いただけるよう、評価用基板も準備しています。
ロームは総合半導体メーカーとして、SiCデバイスと組み合わせて使用可能なICを各種ラインアップしています。 今回、本製品「SCT2H12NZ」とSiC-MOSFETの駆動に最適なAC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」、これらを実装した評価ボード「BD7682FJ-LB-EVK-402」のインターネット販売も開始しています。
産業機器の補機電源に使用されていた1500V耐圧のSi-MOSFETと比較して、1700V耐圧と同時に8分の1となるオン抵抗1.15Ωを実現しています。
また、パッケージにはTO-3PFMを採用することで産業機器に要求される沿面距離（絶縁物の表面に沿って計測した距離）を確保しています。
SiC-MOSFETの実力を最大限引き出すことが可能なローム製SiC-MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」と組み合わせた場合、最大で6%の高効率化を実現可能です（ローム調べ）。
同時に発熱も低減できるため、放熱部品の小型化も可能です。
BD7682FJ is an AC/DC quasi-resonant flyback controller IC from ROHM Semiconductor and offers an Auxiliary Power Supply Solution if combined with the 1700 V SiC MOSFET (SCT2H12NZ). The BD7682FJ and SCT2H12NZ combined together have been used to develop an isolated 100 W 24 V output auxiliary power solution with a very accurate voltage regulation.
BD7682FJ-LB-EVK-402 evaluation board outputs 24 V voltage from the input of 300 Vdc to 900 Vdc. The output current supplies up to 1 A. The BD768xFJ-LB series are Quasi-Resonant switching AC/DC converter for driving SiC (Silicon Carbide) MOSFET. Using external switching MOSFET and current detection resistors provides a lot of flexibility in the design.
TO-3PFM