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Nch シリコンカーバイド (SiC) パワーMOSFET - SCT2750NY

SCT2750NYは1700V 6AのNch SiCパワーMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | SCT2750NYTB
供給状況 | 供給中
パッケージ | TO-268-2L
包装数量 | 800
最小個装数量 | 800
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1700

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

750

ID [A]

6.0

PD [W]

57

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

175

特長:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance with no center lead
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant