SiC ショットキーバリアダイオード

SiCショットキーバリアダイオード（SiC SBD）の総電荷量（Qc）は小さく、低損失かつ高速なスイッチング動作が可能です。また、温度とともにtrr（Reverse Recovery Time）が増大するSiベースのファストリカバリダイオードと異なり、SiCデバイスは一定特性を維持するため、回路の性能が向上します。メーカー各社は産業機器や家電製品のサイズを小型化できます。これは力率補正回路やインバータでの使用に適しています。

ロームは優れたサージ電流耐性を備えながら、第2世代SBDの優れたV_F特性をさらに低減する第3世代SiC SBD、SCS3シリーズを生産しています。

SiC MOSFET、SiC SBDのディスクリートパッケージロードマップ

現在のパッケージラインアップならびに開発中パッケージです。