SiC ショットキーバリアダイオード

SiCショットキーバリアダイオード（SiC SBD）の総電荷量（Qc）は小さく、低損失かつ高速なスイッチング動作が可能です。また、温度とともにtrr（Reverse Recovery Time）が増大するSiベースのファストリカバリダイオードと異なり、SiCデバイスは一定特性を維持するため、回路の性能が向上します。メーカー各社は産業機器や家電製品のサイズを小型化できます。これは力率補正回路やインバータでの使用に適しています。

SiC SBDは、電池充電、電気自動車やハイブリッド自動車の充電回路、ソーラーパネルといった電力変換システムの信頼性を高めるために使用されます。そのほかにも、X線発生装置などの高電圧装置にも使用されています。

ロームは優れたサージ電流耐性を備えながら、第2世代SBDの優れたV_F特性をさらに低減する第3世代SiC SBD、SCS3シリーズを生産しています。