ゲートドライバ

ゲートドライバ

ローム独自の微細加工技術の応用により、オンチップトランスフォーマプロセスを開発。小型でありながら絶縁素子を内蔵した、ゲートドライバの開発に成功しました。

かんたん検索

 
Power Device Isolation
Voltage
Driving
Capability
(Iout)
Function Operation Voltage Negative Voltage Miller Clamp UVLO [ON/OFF] Short Circuit
Protection (Note 2)
DESAT (Note 2) Soft Turn OFF
after short detection
Temp Monitor Thermal shut down
with Ext. Sensor
Package Evaluation Kit
Simple Complex
Automotive
SiC
Drive voltage:
over 18V
3.75k
Vrms
4A BM61S40RFV-C - 16 to 20V - Built-in 14.5V/15.0V - - - - - SSOP-B10W
BM61S41RFV-C 16 to 24V - Built-in 14.5V/15.0V - - - - - SSOP-B10W
SiC,
IGBT,
Si-MOSFET
2.5k
Vrms
9A - BM60060FV-C 13.5 to 24V - Built-in 11.5V/12.5V - - SSOP-B28W -
5A - BM60055FV-C 9 to 24V - Built-in
(Note 1)
- - SSOP-B28W -
4.5A - BM6109FV-C 14 to 18V - Ext.
MOSFET
12.0V/12.5V - - SSOP-B28W -
3A - BM6101FV-C 14 to 24V -12 to 0V Ext.
MOSFET
11.5V/12.5V - SSOP-B20W -
BM6102FV-C 14 to 20V -  Ext.
MOSFET
11.5V/12.5V - SSOP-B20W -
BM6104FV-C 10 to 24V -12 to 0V  Ext.
MOSFET
9.05V/9.55V - - SSOP-B20W -
BM60052AFV-C 10 to 20V -12 to 0V Built-in
(Note 1)
- - SSOP-B28W -
BM60054AFV-C 10 to 20V -12 to 0V Built-in
(Note 1)
- SSOP-B28W -
Si-MOSFET 3.75k
Vrms
4A BM61M41RFV-C - 9 to 24V - Built-in 7.4V/7.8V - - - - - SSOP-B10W
Industry
SiC,
IGBT,
Si-MOSFET
2.5k Vrms 4.5A - BM6105AFW-LBZ 13.3 to 20V -12V to 0V Built-in 11.3V/12.3V - - - SOP16WM -
Si-MOSFET 2.5k
Vrms
5A - BM6108FV-LB 10 to 24V -12V to 0V Ext.
MOSFET
9.05V/9.55V - - SSOP-B20W -

(Note 1) OFF/ON Voltage is adjustable by external settings
(Note 2) Either of SCP and DESAT function can be used

パラメトリックサーチ

 

評価ボード

 

パワーデバイスを安全に十分な性能で動作させるためにはゲートドライバICの選定が重要です。
ロームではゲートドライバICの評価ボードとして下記のラインアップをそろえています。
ゲートドライバIC評価ボードはセットボード上のパワーデバイスと接続して評価頂くことを想定しボード面積を小さくしました。
1chゲートドライバIC用の評価ボードは1pcs実装品に加え、ハーフブリッジ回路での使用に適した2pcs実装品があります。
さらにゲートドライバIC用のSpiceモデルをご使用頂くことで、Simulationによるアプリケーション検証が可能です。

使用例

アプリケーションボード上のゲートドライバICの置換例

使用例

ゲートドライバIC評価ボードはアプリケーションボード上のゲートドライバICの置換用として使用できます。
パッケージや端子機能が異なるゲートドライバICをアプリケーションボード上で直接置換えることは困難です。
ゲートドライバIC評価ボードの電源・信号入出力端子はアプリケーションボードとの配線接続を考慮した配置となっており、調整が必要なゲート抵抗の変更も評価ボード上で可能です。
ボードサイズが小さいことから複数チャネルのパワーデバイスを制御するアプリケーションでも容易に評価ボードの追加が可能です。

Galvanic Isolation Series [Isolation Voltage: 3.75kVrms, 2.5kVrms]

評価ボード ゲートドライバ IC 評価ボード
EVK Name Application
Isolation Voltage
Gate Drive
Voltage,
Current
Gate Drive
Channel
Miller
Clamp
Board size
[mm]
Parts Name Spice
モデル
評価ボード
ユーザーズ
ガイド
購入
BM61S40RFV-EVK001 SiC MOSFET
Gate Drive
3.75kVrms
16 to 20V,
4A
(Note 1)
1ch Built-in 33 x 16 BM61S40RFV-C
SSOP-B10W
[SSOP-B10W]
Spice
モデル
ユーザーズ
ガイド
ネット商社
BM61S40RFV-EVK002 2ch 33 x 32 ユーザーズ
ガイド
ネット商社
BM61S41RFV-EVK001 SiC MOSFET
Gate Drive
3.75kVrms
16 to 24V,
4A
1ch Built-in 33 x 16 BM61S41RFV-C
SSOP-B10W
[SSOP-B10W]
Spice
モデル
ユーザーズ
ガイド
ネット商社
BM61S41RFV-EVK002 2ch 33 x 32 ユーザーズ
ガイド
ネット商社
BM61M41RFV-EVK001 Si MOSFET
Gate Drive
3.75kVrms
9 to 24V,
4A
1ch Built-in 33 x 16 BM61M41RFV-C
SSOP-B10W
[SSOP-B10W]
Spice
モデル
ユーザーズ
ガイド
ネット商社
BM61M41RFV-EVK002 2ch 33 x 32 ユーザーズ
ガイド
ネット商社
BM61M22BFJ-EVK001 IGBT, Si MOSFET
Gate Driver
2.5kVrms
9 to 24V,
2A
1ch - 33 x 16 BM61M22BFJ-C
SOP-JW8
[SOP-JW8]
(開発中)
Spice
モデル
ユーザーズ
ガイド
ネット商社
BM61M22BFJ-EVK002 2ch 33 x 32 ユーザーズ
ガイド
ネット商社

(Note 1) Max Gate Drive Voltage is protected by Over Voltage Protection

評価ボード

Galvanic Isolation Series では基礎絶縁に対応するアプリケーションとして1ch駆動品とハーフブリッジ回路でご使用頂ける2ch駆動品をご用意しております。

1ch Galvanic Isolation Gate Driver Board (1pcs)

ユーザーズガイド
アプリケーション例

関連製品

2ch Galvanic Isolation Gate Driver Board (2pcs)

ユーザーズガイド
アプリケーション例

関連製品

ゲートドライバIC

  • 1chゲートドライバ
  • 基礎絶縁
  • 2入力信号(INA, INB)による出力論理制御・外部ノイズに伴うゲート”H"出力防止設計
  • 入力信号電圧(Note 2): VINH:2.0 V or over / VINL : 0.8V or under

1ch ゲートドライバ
SSOP-B10W

[BM61S40RFV-C, BM61S41RFV-C, BM61M41RFV-C]
Small footprint for 8mm creepage distance
Isolation Voltage: 3.75kVrms
Small Package: 3.5mm x 10.2mm x 1.9mm
Miller Clamp 回路内蔵
I/O Delay time: 65ns (Max)

 
1ch ゲートドライバ
SOP-JW8

[BM61M22BFJ-C] (開発中)
Isolation Voltage: 2.5kVrms
Package size: 4.9mm x 6.00mm x 1.65mm
Gate Drive Source / Sink 分離
I/O Delay time: 60ns (Max)

(Note 2) 信号入力側の電源電圧範囲(VCC1)は入力信号にかかわらず 4.5 to 5.5V です。

Truth table

INA
(input)
INB
(input)
OUT
(Output)
L H L
H L H
L L L
H H L
測定グラフ

1200V High Voltage High and Low Side Driver

評価ボード ゲートドライバ IC 評価ボード
EVK Name Application Gate Drive
Voltage,
Current
Miller Clamp ボード概要 Board size
[mm]
Parts Name IC概要 Spice
モデル
評価ボード
ユーザーズ
ガイド
購入
BM60212FV-EVK001 IGBT Gate Drive
Si MOSFET Gate Drive
10 to 24V,
3A
(Note 3)
Built-in 概要 33 x 21 BM60212FV-C IC概要
概要
- ユーザーズ
ガイド
ネット商社
BM60213FV-EVK001 - BM60213FV-C - ユーザーズ
ガイド
ネット商社

(Note 3) Power supply voltage is from 10 to 24V relative to low-side and input-side ground.

評価ボード

アプリケーションに接続するだけで、簡単に置換えできます。

ユーザーズガイド
アプリケーション例

関連製品

ゲートドライバIC

ゲートドライバ
  • Turn on/off time: 75ns (Max)
  • 3入力信号 (EN, INA, INB) による出力論理制御。外部ノイズによるハイサイド・ローサイド同時ON防止設計
  • Package: 6.50mm x 8.10mm x 2.01mm
  • Miller Clamp回路内蔵 [BM60212FV-Cのみ]
  • 入力信号電圧(Note 4): VINH : 2.0 V or over / VINL : 0.8V or under
  • Gate Drive Voltage:10 to 24V
  • Gate Drive Current:3A

(Note 4) 電源電圧範囲(VCCB) は 10 to 24Vです。

Truth table

ENA
(input)
INA
(input)
INB
(input)
OUTA
(output)
OUTB
(output)
L X X L L
H L L L L
H L H L H
H H L H L
H H H L L
測定グラフ

Power Device Lineup