BM60213FV-C
1200 V 耐圧 ハイサイド / ローサイドドライバ

BM60213FV-Cはブートストラップ方式を用いたNch-MOSFET及びIGBT駆動可能な1200V高耐圧ハイサイド/ローサイドドライバです。低電圧時誤動作防止機能(UVLO)を内蔵しています。

主な仕様

 
形名 | BM60213FV-CE2
供給状況 | 推奨品
パッケージ | SSOP-B20W
包装数量 | 2000
最小個装数量 | 2000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Automotive

標準規格

AEC-Q100 (Automotive Grade)

チャンネル数

2

ハイサイドフローティング電圧 [V]

1200

Turn-on/off time (Typ.) [ns]

75

Vcc(Min.)[V]

10.0

Vcc(Max.)[V]

24.0

動作温度範囲(Min.)[℃]

-40

動作温度範囲(Max.)[℃]

125

特長:

  • AEC-Q100 対応(Grade 1)
  • ハイサイドフローティング端子耐圧1200 V
  • 低電圧時誤動作防止機能(UVLO)
  • 3.3 V 及び5.0 V のロジック電圧入力可能

評価ボード

 
    • Evaluation Board
    • BM60213FV-EVK001
    • The BM60213FV-EVK001 board can be driving IGBT Power Devices for High-side and Low-side on Half-Bridge application. The BM60213FV-C has Power Supply protections which are the Under-Voltage Lockout (UVLO) function at VCCA and VCCB. The BM60213FV-EVK001 allows designers to evaluate Rohm’s Gate Driver family for various applications.

  • ユーザーガイド 在庫確認

デザインリソース

 

ドキュメント

ホワイトペーパー

  • SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」

ユーザーズガイド

  • Gate Driver BM60213FV-C Evaluation Board BM60213FV-EVK001

技術記事

回路設計・検証

  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • パッケージの熱抵抗、熱特性パラメータについて

モデルとツール

デザインモデル

  • BM60213FV-C SPICE Model
  • BM60213FV-C Spice Modeling Report

2D/3D/CAD

  • BM60213FV-C Footprint / Symbol
  • SSOP-B20W Footprint / Symbol

パッケージと品質データ

製造データ

  • 製造工場一覧

環境データ

  • REACH高懸念物質(SVHC)の不使用証明書