SiC MOSFET

SiC MOSFETは、スイッチング時のテール電流が原理的に発生せず、動作が高速かつスイッチング損失が低いデバイスです。低オン抵抗と小型チップサイズにより、ゲート電荷容量が低減します。また、SiCはオン抵抗の増加が小さいなど優れた材料特性を備えており、温度上昇とともにオン抵抗が2倍以上になることがあるシリコン(Si)デバイスよりも省エネと省スペースの点で優れています。

ロームは第3世代トレンチゲートタイプSiC MOSFETのSCT3シリーズを発表しました。これらのMOSFETには6つのバリエーション(650V/1200V)があり、プレーナタイプの第2世代と比較してオン抵抗が約50%低く、高効率が求められる大規模サーバ電源、UPSシステム、ソーラーパワーコンバータ、電気自動車充電ステーションなどに最適です。

SCT3シリーズではスイッチング性能を最大化する4ピンパッケージタイプ(TO-247-4L)も提供しています。従来の3ピンパッケージタイプと比較して、スイッチング損失が最大35%低減し、さまざまな用途で、低消費電流に寄与します。また、ソース端子のインダクタンス部品が原因でゲート電圧が降下してスイッチング速度が低下する従来の3ピンパッケージSiC MOSFETと異なり、新しい4ピンパッケージでは、従来のソース端子とは別のゲートドライバのソース端子が組み込まれ、ゲート電圧の低下が最小限に抑えられるため、スイッチング性能が最大化します。
SiC MOSFET