SiC MOSFET

SiC MOSFETはスイッチング動作時のテイル電流が原理的に無いため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能です。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できるため低容量・低ゲートチャージを実現しています。ロームの第三世代トレンチゲート型SiC MOSFET「SCT3シリーズ」は、第二世代プレーナ型SiC MOSFETに比べ、オン抵抗を約50%、入力容量を約35%低減しています。xEV車載充電器やDC/DCコンバータ用途に向けて、車載信頼性規格AEC-Q101に準拠した製品ラインアップを拡充しております。
SiC MOSFET