SCT4036KE
1200V, 36mΩ, 3端子THD, トレンチ構造, SiC MOSFET

SCT4036KEはアプリケーションの小型化や低消費電力化に貢献するSiC MOSFETです。

ロームの第4世代SiC MOSFET
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | SCT4036KEC11
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-247N
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes
長期供給プログラム | 10 Years

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

36

世代

4th Gen (Trench)

ID [A]

43

PD [W]

176

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-40

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

パッケージサイズ [mm]

16x21 (t=5.2)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • 高速リカバリー
  • 並列使用が容易
  • シンプルな駆動回路
  • Pbフリー対応済み、 RoHS準拠

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リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット

 
    • Evaluation Board - P04SCT4018KE-EVK-001

      • This board is designed with the optimum gate drive circuit for "SCT4018KE", surely TO-247N can also be evaluated
      • Single power supply(+12V operation)
      • Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
      • Supports various power supply topologies(Buck, Boost, Half-Bridge)
      • Built-in adjustable gate drive isolated power supply(positive and negative)(+12V to +25V, -4.5V to -2V)
      • Active mirror clamp circuit(driver IC built-in type)
      • Gate surge clamp circuit

    • User Guide
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