SCT4036KE
1200V, 36mΩ, 3端子THD, トレンチ構造, SiC MOSFET
SCT4036KEはアプリケーションの小型化や低消費電力化に貢献するSiC MOSFETです。
ロームの第4世代SiC MOSFET
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
43
Total Power Dissipation[W]
176
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
特長:
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 高速リカバリー
- 並列使用が容易
- シンプルな駆動回路
- Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
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- Evaluation Board - P04SCT4018KE-EVK-001
- This board is designed with the optimum gate drive circuit for "SCT4018KE", surely TO-247N can also be evaluated
- Single power supply(+12V operation)
- Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
- Supports various power supply topologies(Buck, Boost, Half-Bridge)
- Built-in adjustable gate drive isolated power supply(positive and negative)(+12V to +25V, -4.5V to -2V)
- Active mirror clamp circuit(driver IC built-in type)
- Gate surge clamp circuit
