SCT4026DR
750V, 26mΩ, 4端子THD, トレンチ構造, SiC MOSFET
SCT4026DRはアプリケーションの小型化や低消費電力化に貢献するSiC MOSFETです。パッケージはSiC MOSFETの特長である高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができるドライバソース端子を有します。
ロームの第4世代SiC MOSFET
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
26
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
56
Total Power Dissipation[W]
176
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x23.45 (t=5.2)
特長:
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 高速リカバリー
- 並列使用が容易
- シンプルな駆動回路
- Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
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- Evaluation Board - P05SCT4018KR-EVK-001
- This board is designed with the optimum gate drive circuit for "SCT4018KR", surely TO-247-4L can also be evaluated
- Single power supply(+12V operation)
- Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
- Supports various power supply topologies(Buck, Boost, Half-Bridge)
- Built-in adjustable gate drive isolated power supply(positive and negative)(+12V to +25V, -4.5V to -2V)
- Active mirror clamp circuit(driver IC built-in type)
- Gate surge clamp circuit
