SCT4026DRHR
750V, 56A, 4端子THD, トレンチ構造 自動車向けSiC-MOSFET
SCT4026DRHRは750V, 56AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。
ロームの第4世代SiC MOSFET
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
26
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
56
Total Power Dissipation[W]
176
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特長:
- Qualified to AEC-Q101
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
