SCT2H12NY
1700V, 4A, SMD, SiC-MOSFET

SCT2H12NYは1700V 4AのNch SiCパワーMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | SCT2H12NYTB
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-268-2L
包装数量 | 800
最小個装数量 | 800
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1700

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

1150.0

ID [A]

4.0

PD [W]

44

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

パッケージサイズ [mm]

15.95x18.9 (t=5.2)

特長:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance with no center lead
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
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新商品一覧

デザインリソース

 

ドキュメント

ホワイトペーパー

  • SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」
  • 採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
  • LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units
  • Solving the challenges of driving SiC MOSFETs with new packaging developments

技術記事

回路設計・検証

  • [NEW]SiC パワーデバイス・モジュール アプリケーションノート
  • 測定波形から電力損失を求める方法
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • SiC MOSFET ゲート-ソース電圧測定時の注意点
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い
  • SiC-MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
  • SiC MOSFET のスナバ回路
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱設計とは
  • 熱抵抗と放熱の基本
  • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルとは（SiCパワーデバイス）
  • 熱モデルの使い方
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • SCT2H12NY SPICE Simulation Evaluation Circuit
  • SCT2H12NY Thermal Model (lib)
  • SCT2H12NY SPICE Model
  • PSpiceモデルのシンボル作成方法

特性データ

  • ESD Data

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 包装仕様
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について
  • はんだ付け条件

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

  • UL難燃性について
  • ELV指令適合証明書
  • Report of SVHC under REACH Regulation

輸出関連情報

  • 米国輸出規制 (EAR) について