1200V Nch 4端子パッケージ SiC-MOSFET - SCT3040KR (新製品)

SCT3040KRは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。従来の3端子パッケージ(TO-247N)と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35%の損失低減が見込めます。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | SCT3040KRC14
供給状況 | 供給中
パッケージ | TO-247-4L
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

40.0

ID [A]

55.0

PD [W]

262

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲 (Min.) [°C]

-55

保存温度範囲 (Max.)[°C]

175

特長:

  • 高効率の4ピンパッケージでスイッチング損失を削減
  • 評価ボード「P02SCT3040KR-EVK-001」を提供
  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチング
  • 逆回復時間が早い
  • 並列使用が容易
  • 駆動回路が簡単
  • Pbフリー対応済み、RoHS準拠