SiC MOSFET

SiC MOSFETは、スイッチング時のテール電流が原理的に発生せず、動作が高速かつスイッチング損失が低いデバイスです。低オン抵抗と小型チップサイズにより、ゲート電荷容量が低減します。また、SiCはオン抵抗の増加が小さいなど優れた材料特性を備えており、温度上昇とともにオン抵抗が2倍以上になることがあるシリコン(Si)デバイスよりも省エネと省スペースの点で優れています。

ロームは第3世代トレンチゲートタイプSiC MOSFETのSCT3シリーズを発表しました。これらのMOSFETには6つのバリエーション(650V/1200V)があり、プレーナタイプの第2世代と比較してオン抵抗が約50%低く、高効率が求められる大規模サーバ電源、UPSシステム、ソーラーパワーコンバータ、電気自動車充電ステーションなどに最適です。

SCT3シリーズではスイッチング性能を最大化する4ピンパッケージタイプ(TO-247-4L)も提供しています。従来の3ピンパッケージタイプと比較して、スイッチング損失が最大35%低減し、さまざまな用途で、低消費電流に寄与します。また、ソース端子のインダクタンス部品が原因でゲート電圧が降下してスイッチング速度が低下する従来の3ピンパッケージSiC MOSFETと異なり、新しい4ピンパッケージでは、従来のソース端子とは別のゲートドライバのソース端子が組み込まれ、ゲート電圧の低下が最小限に抑えられるため、スイッチング性能が最大化します。
SiC MOSFET

[新製品] SCT3xxx xRシリーズ

高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適なトレンチゲート構造 SiC MOSFET 「SCT3xxx xRシリーズ」6機種(650V/1200V耐圧)を開発しました。
今回新しく開発したシリーズは、SiC MOSFETがもつ高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができる4端子パッケージ(TO-247-4L)を採用しています。これにより、従来の3端子パッケージ(TO-247N)と比べ約35%のスイッチング損失削減を実現でき、各種機器の低消費電力化に貢献します。 また、SiCデバイスの駆動に最適なローム製ゲートドライバIC(BM6101FV-C)や各種電源IC、ディスクリート製品を搭載したSiC MOSFET評価ボード「P02SCT3040KR-EVK-001」の提供も開始しており、簡単にデバイス評価ができるソリューションを提案しています。

 

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特長 : 4端子パッケージ(TO-247-4L)の採用により、スイッチング損失を約35%低減

従来の3端子パッケージ(TO-247N)は、ソース端子がもつインダクタンス成分によりゲート電圧の低下が起こり、スイッチングスピードが遅延する原因となっていました。
今回、SCT3xxx xRシリーズで採用した4端子パッケージ(TO-247-4L)は、パワーソース端子とドライバーソース端子を分離できるため、インダクタンス成分による影響を小さくすることができます。これにより、SiC MOSFETの高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができるため、特にターンオンでの損失を大幅に改善。ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると、従来品比約35%の損失低減が見込めます。

SCT3xxx xRシリーズラインアップ
品名 ドレイン・
ソース間電圧
VDS[V]
ドレイン・
ソース間オン抵抗
RDS(on)@25℃
[mΩ(typ.)]
ドレイン電流
ID@25℃
[A]
ドレイン損失
PD
[W]
動作温度範囲
[℃]
パッケージ

SCT3030AR
650 30 70 262 -55~+175 TO-247-4L

SCT3060AR
60 39 165

SCT3080AR
80 30 134

SCT3040KR
1200 40 55 262

SCT3080KR
80 31 165

SCT3105KR
105 24 134

ロームのSiC MOSFET

高速・低オン抵抗化を実現

シリコンデバイスで実現不可能だった高速スイッチングと低オン抵抗を同時に実現し、高温領域においても優れた電気的特性を示します。スイッチング損失の大幅な低減と周辺部品の小型化に貢献します。

次世代デバイスへの進化、第3世代SiC MOSFETデバイス

世界で初めて※トレンチ構造を採用したSiC MOSFETを開発、量産化に成功。更なる低オン抵抗デバイスの実現により、あらゆる機器の電力損失低減を実現します。

※2018年10月ローム調べ