GaNパワーデバイスを使いこなすには
GaN HEMTの高速スイッチング性能を引き出すためには、使いこなしの技術が重要です。具体的には、超高速駆動ゲートドライバICや高速パルス制御に対応したコントローラICが必要となります。
この課題を解決するため、パワーステージICと呼ばれる、GaN HEMTとゲートドライバICを一つのパッケージに同梱した製品があります。
パワーステージICを使用することにより、面倒な駆動調整が不要となり、Si MOSFETから簡単に置き換えることが可能です。
パワーステージICの概要
GaN HEMTとゲート駆動用ドライバICを1パッケージに同梱。
面倒な駆動調整が不要となり、GaN HEMTの性能を最大限に引き出します。
関連部品点数の削減
半導体メーカーであるローム製パワーステージICでは、周辺の関連部品を取り込み 、関連部品点数及び実装面積の削減や、実装コストの低減にも寄与します。