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GaNパワーデバイス（GaN HEMT）とは？ NEW

GaNパワーデバイスとは NEW
GaNは化合物半導体の一種で、このGaNを使用したトランジスタが、GaN HEMTと呼ばれるパワーデバイスです。
現在、半導体材料として主流のSiと比べて、導通損失が少なく（低オン抵抗）、高速スイッチング性能に優れた特長があり、電力変換効率の向上や小型化の市場要求に応えるパワーデバイスです。
GaNとは NEW
GaN（Gallium Nitride：窒化ガリウム）は、Ga（ガリウム）とN（窒素）元素で構成される化合物半導体材料です。
化合物半導体とは、半導体の一種であり、2つ以上の元素が結びついて構成された半導体です。
GaN HEMTとは NEW
GaN HEMTのHEMTとは、High Electron Mobility Transistorの頭文字を取った略語で、日本語では高電子移動度トランジスタと言います。
高電子移動度トランジスタは、高い電子移動度をもつ半導体材料を用いたトランジスタで、高速スイッチング（高周波動作）が可能になります。
GaNパワーデバイスを使いこなすには NEW
GaN HEMTの高速スイッチング性能を引き出すためには、使いこなしの技術が重要です。
具体的には、超高速駆動ゲートドライバICや高速パルス制御に対応したコントローラICが必要となります。