ロームの高電圧用(600V～)パワーMOSFET製品にはスーパージャンクション(Super Junction)技術を採用しています。この技術によって、高速スイッチングと低オン抵抗な製品を実現しており、アプリケーションの損失を低減する事ができます。ロームの最新世代品においては、業界トップクラスの微細化を実現し、より低オン抵抗かつ高速スイッチングな製品をご提案できます。
さらにPrestoMOS™シリーズは、ロームの特許技術により業界最速クラスのダイオードを内蔵した製品で、Super Junction MOSFETが苦手とするモータ・インバータの省エネ化に特化したデバイスとなっています。
ロームのSuper Junction MOSFETをオススメしたい3つの理由
- ①お客様の省エネ化と使いやすさにこだわった製品
- ②各シリーズで幅広いオン抵抗、パッケージをラインアップ
- ③高性能かつ高品質、サポート体制も充実
[新シリーズ]
小型モーター搭載機器のノイズ対策工数・部品点数削減および電力損失低減に貢献
600V耐圧Super Junction MOSFET 「R60xxRNxシリーズ」
冷蔵庫や換気扇などノイズ対策が重要となる小型モーター駆動に最適な、600V耐圧Super Junction MOSFET “PrestoMOS™（プレストモス）”に、｢R60xxRNxシリーズ」3機種をラインアップしました。
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[新シリーズ]
産業機器や白物家電の低消費電力化に大きく寄与
600V耐圧Super Junction MOSFET 「R60xxVNxシリーズ」
EV充電ステーション、サーバー、基地局など大電力が必要な産業機器の電源回路や、エアコンなど白物家電のモータ駆動に最適な、業界最速の逆回復時間を誇る600V耐圧Super Junction MOSFET“PrestoMOS™（プレストモス）”に、新たに大電力用途に対応できる｢R60xxVNxシリーズ」を7機種ラインアップしました。
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[新パッケージ]
照明電源やポンプ、モーターなどの小型化・低背化に貢献
小型SOT-223-3パッケージ 600V耐圧Super Junction MOSFET
新製品は、従来のTO-252パッケージ（6.60mm×10.00mm×2.30mm）と比較して面積を約31％、厚さを約27％削減でき、アプリケーションの小型化・低背化に貢献します。また、TO-252パッケージの基板上の配線パターン（ランドパターン）を使用できるため、既存の回路基板をそのまま使用することも可能です。
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ロームのSuper Junction MOSFET
●幅広い耐圧、オン抵抗を取り揃えております
| 500mΩ ≤ Ron typ. | 500mΩ ＞ Ron typ. | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Active | Active | |||||
| 800V | R80xxKNx | R80xxKNx | ||||
| 650V | R65xxENx R65xxKNx | R65xxENx R65xxKNx | Under Planning |
|||
| 600V | R60xxENx R60xxKNx | Under Development |
R60xxENx R60xxKNx | R60xxYNx | ||
| R60xxJNx | R60xxRNx (Low Noise) |
R60xxJNx | R60xxVNx | |||
- ：低ノイズ仕様
- ：高速スイッチング仕様
- ：高速ダイオード内蔵
- ：第四世代 ノーマルタイプ
- ：第四世代 高速ダイオード内蔵
●6つのパッケージからお選びいただけます
| シリーズ | パッケージ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 表面実装タイプ | 挿入実装タイプ | ||||||
| New SOT-223-3 | TO-252 [DPAK] |
LPTS [D2PAK] |
TO-220AB | TO-220FM | TO-3PF | TO-247 | |
 |
![TO-252[DPAK]](/documents/11401/6831557/image04.jpg/6db4854a-0dcd-6e51-2399-135fe51466e5?t=1552608696577) |
![LPTS [D2PAK]](/documents/11401/6831557/image05.jpg/c2d63600-370e-09d3-a4a7-a9345a01d4a0?t=1552608695710) |
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 |
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| 800V | R80xxKND3 | R80xxKNX | R80xxKNZ4 | ||||
| 650V | R65xxEND3 | R65xxENJ | R65xxENX | R65xxENZ | R65xxENZ4 | ||
| R65xxKND3 | R65xxKNJ | R65xxKNX3 | R65xxKNX | R65xxKNZ | R65xxKNZ4 | ||
| 600V Gen.4 New |
R60xxYND3 | R60xxYNX3 | R60xxYNX | R60xxYNZ | R60xxYNZ4 | ||
| R60xxVND3 | R60xxVNX3 | R60xxVNX | R60xxVNZ | R60xxVNZ4 | |||
| 600V Gen.3 |
R600xEND4 | R60xxEND3 | R60xxENJ | R60xxENX | R60xxENZ | R60xxENZ4 | |
| R600xKND4 | R60xxKND3 | R60xxKNJ | R60xxKNX | R60xxKNZ | R60xxKNZ4 | ||
| R600xJND4 | R60xxJND3/RND3 | R60xxJNJ | R60xxJNX | R60xxJNZ | R60xxJNZ4 | ||
- ：低ノイズ仕様
- ：高速スイッチング仕様
- ：高速ダイオード内蔵
- ：第四世代 ノーマルタイプ
- ：第四世代 高速ダイオード内蔵
●幅広い用途で採用頂き、特性面はもちろん品質面・サポート面でも高い評価を頂けております
簡単検索ツール
リーフレット
- 小型SOT-223-3パッケージ採用 600V耐圧 SJ MOSFET
R600xEND4 / R600xKND4 / R600xJND4 シリーズ
DOWNLOAD - ノイズ低減タイプ PrestoMOS™
R60xxRNxシリーズ DOWNLOAD - 高速ダイオード内蔵タイプ(PrestoMOS™) R60xxVNxシリーズ
低オン抵抗タイプ R60xxYNxシリーズ DOWNLOAD - 低ノイズと高効率を追求した2つのシリーズ
R65xxENx/R65xxKNxシリーズ DOWNLOAD - インバータ搭載エアコンの省エネ化に貢献
R60xxJNxシリーズ DOWNLOAD
PrestoMOS™とは？
PrestoMOS™はSuper Junction MOSFETの寄生ダイオードをローム独自の特許技術によって高速化した製品です。一般的に、Super Junction MOSFETの寄生ダイオードは、その特長的な内部構造が原因で通常のMOSFETに比べてリカバリー性能が悪化してしまいます。そのため、インバータやブリッジ型のPFC回路のような、寄生ダイオードを積極的に使用する回路ではSuper Junction MOSFETを使用できませんでした。
しかし、PrestoMOS™では寄生ダイオードを高速化することでSuper Junction MOSFETの弱点を克服し、モータ駆動用のインバータやブリッジ型の回路を使用するアプリケーションの省エネ化に大きく貢献できます。
近年の省エネ化の流れによって、インバータに広く用いられるIGBT+FRDの組み合わせをPrestoMOS™で置き換える例が増えてきており、抜群のリカバリー特性によりアプリケーションの省エネ化にご協力できています。
第四世代PrestoMOS R60xxVNxシリーズ
推奨アプリケーション
- モータードライブ
- 省エネ白物家電
- 充電ステーション
- 太陽電池パワーコンディショナー
- 各種電源回路 (LLC / Totem pole PFC / Full-bridge)
業界トップのリカバリー特性
ロームのPrestoMOS™シリーズは、ローム独自の特許技術によって寄生ダイオードを高速化しており、重要特性の逆回復時間 (trr)は業界最速を誇ります。通常であれば微細化による世代アップによってこの特性は損なわれてしまいますが、ロームの第四世代PrestoMOS™ R60xxVNxシリーズでは構造の最適化により業界最速のtrrを維持したままオン抵抗等の基本性能を向上させることができております。 業界最速のtrrによってモータ・インバータ回路におけるスイッチング損失を低減する事が出来ます。これらの損失を確認する方法として、ダブルパルス試験が広く用いられています。(ダブルパルス試験の概要についてはアプリケーションノートを参照ください。)ダブルパルス試験によって単パルスのターンオンスイッチング損失を確認した結果を下図に示します。ロームのPrestoMOS™ R60xxVNxシリーズは、ロームの既存品や競合他社製品よりも低損失である事がわかります。実際にロームのPrestoMOS™ R60xxVNxシリーズを同期整流ブースト回路に用いた場合の効率を確認した結果を下図に示します。上記のダブルパルス試験で確認した損失の関係と同様に、実機評価の結果からもR60xxVNxシリーズが最も低損失・高効率であることがわかります。
-
■ダブルパルス試験によるスイッチング損失確認結果
*スイッチング比較に用いた製品は、すべてオン抵抗100mΩクラスの製品で、ドレイン電流が15Aの条件下で、ゲート抵抗を変動させた場合のターンオン時のスイッチング損失を確認しております。グラフの横軸には各ゲート抵抗に対応したターンオン時の電流変化量dif/dtの値を用いています。 -
■同期整流ブースト回路を用いた効率比較結果
*実機比較に用いた製品は、すべてオン抵抗60mΩクラスの製品で、周囲温度25℃、入力電圧220V、出力電圧400V、L=500μH、周波数70kHz、ターンオフ時のVDSオーバーシュートの条件を揃えて測定を実施しております。
関連するアプリケーションノート
- インバータ回路におけるスイッチング素子の逆回復特性の重要性とPrestoMOS™の有用性について 2.45MB DOWNLOAD
- LLCコンバータの１次側スイッチング素子におけるPrestoMOS™の有用性について 1.56MB DOWNLOAD
- MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について 1.14MB DOWNLOAD
- ダブルパルス試験を用いたPrestoMOS™のデバイス特性の優位性実証 1.53MB DOWNLOAD
- PrestoMOS™による位相シフトフルブリッジ回路の電力変換効率向上 2.03MB DOWNLOAD
- MOSFETの仕様書に記載している用語説明 532KB DOWNLOAD
高耐圧かつ低オン抵抗を実現できるスーパージャンクション構造は、構造の微細化によって高性能化が可能です。
構造の微細化によって電流密度が向上し、従来製品(R60xxKNx)に比べて性能指数Ron・Aを35%、 Ron・Qgdを30%低減する事に成功しました。これにより、従来製品と同じオン抵抗であればスイッチング損失を低減でき、 アプリケーションのさらなる省エネに貢献できます。
第四世代 Super Junction MOSFET R60xxYNxシリーズ
| Package | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-252 | TO-220FM | TO-220AB | TO-3PF | TO-247 | TOLL | ||
| VDS (V) |
Ron typ (mΩ) Vgs=15V |
 |
 |
|
 |
|
 |
| 600 | 324 | ☆R6010YND3 | ☆R6010YNX | NEWR6010YNX3 | |||
| 215 | NEWR6014YND3 | NEWR6014YNX | NEWR6014YNX3 | ||||
| 154 | NEWR6020YNX | NEWR6020YNX3 | NEWR6020YNZ4 | ☆R6020YNJ2 | |||
| 137 | NEWR6022YNX | NEWR6022YNX3 | NEWR6022YNZ4 | ☆R6022YNJ2 | |||
| 112 | NEWR6027YNX | NEWR6027YNX3 | NEWR6027YNZ4 | ☆R6027YNJ2 | |||
| 80 | ☆R6038YNX | NEWR6038YNX3 | NEWR6038YNZ4 | ☆R6038YNJ2 | |||
| 68 | NEWR6049YNX | NEWR6049YNX3 | NEWR6049YNZ4 | ☆R6049YNJ2 | |||
| 57 | ☆R6055YNJ2 | ||||||
| 50 | NEWR6061YNX | ☆R6061YNX3 | NEWR6061YNZ4 | ||||
| 36 | NEWR6086YNZ | NEWR6086YNZ4 | |||||
| 21 | ☆R60A4YNZ4 | ||||||
推奨アプリケーション
・TV
・サーバー
・UPS
・太陽光発電パワーコンディショナー
・LED照明
・各種電源回路 (BoostPFC [BCM,CCM] / 3相ViennaPFC)
業界トップクラスのスイッチング速度
微細化に加え、構造の最適化を行う事でスイッチング速度業界最速クラスを実現。電流連続モードのPFCなどのハードスイッチングタイプの回路における高効率化に貢献できます。また、熱設計・ノイズ設計のために行うゲート抵抗調整の際においても、他社競合製品との優位性は変わりません。
■製品単体のスイッチング損失
-
-
・測定回路
*比較に用いた製品は、すべてオン抵抗50mΩクラスの製品です。ドレイン電流が10Aの条件下で、ターンオフ時のゲート抵抗を5Ωに固定し、ターンオン時のゲート抵抗を変動させた場合のスイッチング損失を確認しております。
従来品に比べて、ラインアップを増強！
各パッケージに関して、従来品よりも低オン抵抗・大電流な製品をラインアップできるようになりました。さらにTO220ABやTOLLを新たにラインアップに追加することで、さらにお客様のニーズにお応えできるようになりました。
-
■パッケージごとの最小オン抵抗値を大幅更新
-
■TOLLパッケージを新たにラインアップに追加
アプリケーションノート
低ノイズ仕様 / 高速スイッチング仕様
低ノイズ仕様のR6xxxENxシリーズと高速スイッチング仕様のR6xxxxKNxシリーズという2つのタイプの Super Junction MOSFETをそれぞれ600V耐圧と650V耐圧で、各種パッケージの製品を取り揃えています。
R6xxxENxシリーズは使いやすさを重視しており、ノイズが気になるアプリケーションにおいてベストなパフォーマンスを実現致します。
R6xxxKNxシリーズは高効率を重視しており、高速スイッチングを追求するアプリケーションにおいてベストなパフォーマンスを実現致します。
R6xxxENxシリーズとR6xxxKNxシリーズはどちらも同様のオン抵抗でラインアップしておりますので、お客様の用途に合った方をご選択頂くことが可能です。
高速スイッチング仕様については800V製品もラインアップしており、業界トップレベルの性能を実現できています。
- R60xxENxシリーズ SPICEモデル DOWNLOAD PAGE
- R65xxENxシリーズ SPICEモデル DOWNLOAD PAGE
- R60xxKNxシリーズ SPICEモデル DOWNLOAD PAGE
- R65xxKNxシリーズ SPICEモデル DOWNLOAD PAGE
- R80xxKNxシリーズ SPICEモデル DOWNLOAD PAGE
低ノイズ仕様 R60xxENx / R65xxENx
R6xxxENxシリーズは使いやすさを重視した低ノイズ製品です。
一般的にSuper Junction MOSFETは従来のPlanar MOSFETからオン抵抗及びスイッチング性能を大幅に改善した反作用としてノイズ特性が劣化しています。しかしR6xxxENxシリーズではチップ内部のゲート構造を調整することで低ノイズ性能を実現し、ノイズによる損失を抑えることが可能となっています。
オーディオや照明等といったノイズを極力抑えたいアプリケーションに最適な製品です。
またこの低ノイズ性能は従来のPlanarMOSFETと同レベルであるため、Planar MOSFETからの置き換えも容易に行うことが可能です。
| VDS=600V | Package | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| New SOT-223-3 |
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
|
|
|
|
|
|
||
| Ron typ (mΩ) |
2800 | R6002END3 | |||||
| 900 | NEWR6004END4 | R6004END3 | R6004ENJ | R6004ENX | |||
| 570 | R6007END3 | R6007ENJ | R6007ENX | ||||
| 500 | R6009END3 | R6009ENJ | R6009ENX | ||||
| 340 | R6011END3 | R6011ENJ | R6011ENX | ||||
| 260 | R6015ENJ | R6015ENX | R6015ENZ | ||||
| 170 | R6020ENJ | R6020ENX | R6020ENZ | R6020ENZ4 | |||
| 150 | R6024ENJ | R6024ENX | R6024ENZ | R6024ENZ4 | |||
| 115 | R6030ENX | R6030ENZ | R6030ENZ4 | ||||
| 92 | R6035ENZ | R6035ENZ4 | |||||
| 66 | R6047ENZ4 | ||||||
| 38 | R6076ENZ4 | ||||||
| VDS=650V | Package | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
|
|
|
|
|
||
| Ron typ (mΩ) |
3000 | ☆R6502END3 | ||||
| 955 | R6504END3 | R6504ENJ | R6504ENX | |||
| 605 | R6507END3 | R6507ENJ | R6507ENX | |||
| 530 | R6509END3 | R6509ENJ | R6509ENX | |||
| 360 | R6511END3 | R6511ENJ | R6511ENX | |||
| 280 | R6515ENJ | R6515ENX | R6515ENZ | |||
| 185 | R6520ENJ | R6520ENX | R6520ENZ | R6520ENZ4 | ||
| 160 | R6524ENJ | R6524ENX | R6524ENZ | R6524ENZ4 | ||
| 125 | R6530ENX | R6530ENZ | R6530ENZ4 | |||
| 98 | R6535ENZ | R6535ENZ4 | ||||
| 70 | R6547ENZ4 | |||||
| 40 | R6576ENZ4 | |||||
☆：Under Development
高速スイッチング仕様 R60xxKNx / R65xxKNx / R80xxKNx
R6xxxKNxシリーズは高効率を重視した高速スイッチング製品です。
低ノイズ仕様のR6xxxENxシリーズをベースにチップ内部のMOSFET構造を改良することで、スイッチングスピードに影響するGate Charge特性を大幅に改善。これによりR6xxxENxシリーズの使いやすさをあまり犠牲にすることなく、高速スイッチングによる高効率化が実現しています。
PFCやLLC等の回路において、高効率化に貢献します。
高速スイッチング仕様については800V製品もラインアップしており、業界トップレベルの性能を実現できています。
| VDS=600V | Package | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| New SOT-223-3 |
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
|
|
|
|
|
|
||
| Ron typ (mΩ) |
1300 | NEWR6003KND4 | R6003KND3 | ||||
| 900 | ☆R6004KND3 | R6004KNJ | R6004KNX | ||||
| 720 | NEWR6006KND4 | R6006KND3 | ☆R6006KNJ | R6006KNX | |||
| 570 | R6007KND3 | R6007KNJ | R6007KNX | ||||
| 500 | R6009KND3 | R6009KNJ | R6009KNX | ||||
| 340 | R6011KND3 | R6011KNJ | R6011KNX | ||||
| 260 | R6015KNJ | R6015KNX | R6015KNZ | ||||
| 170 | R6020KNJ | R6020KNX | R6020KNZ | R6020KNZ4 | |||
| 150 | R6024KNJ | R6024KNX | R6024KNZ | R6024KNZ4 | |||
| 115 | R6030KNX | R6030KNZ | R6030KNZ4 | ||||
| 92 | R6035KNZ | R6035KNZ4 | |||||
| 66 | R6047KNZ4 | ||||||
| 38 | R6076KNZ4 | ||||||
☆：Under Development
| VDS=650V | Package | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
|
|
|
|
|
||
| Ron typ (mΩ) |
1400 | ☆R6503KND3 | ||||
| 955 | R6504KND3 | R6504KNJ | R6504KNX | |||
| 605 | R6507KND3 | R6507KNJ | R6507KNX | |||
| 530 | R6509KND3 | R6509KNJ | R6509KNX | |||
| 360 | R6511KND3 | R6511KNJ | R6511KNX | |||
| 280 | R6515KNJ | R6515KNX | R6515KNZ | |||
| 185 | R6520KNJ | R6520KNX | R6520KNZ | R6520KNZ4 | ||
| 160 | R6524KNJ | R6524KNX | R6524KNZ | R6524KNZ4 | ||
| 125 | R6530KNX | R6530KNZ | R6530KNZ4 | |||
| 98 | R6535KNZ | R6535KNZ4 | ||||
| 70 | R6547KNZ4 | |||||
| 40 | R6576KNZ4 | |||||
☆：Under Development
第三世代PrestoMOS™ R60xxJNxシリーズ
| Package | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| New SOT-223-3 |
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PFF | TO247 | ||
|
|
|
|
|
|
||
| Ron typ (mΩ) |
2500 | NEWR6002JND4 | |||||
| 1600 | NEWR6003JND4 | ||||||
| 1100 | R6004JND3 | R6004JNJ | R6004JNX | ||||
| 720 | R6006JND3 | R6006JNJ | R6006JNX | ||||
| 600 | R6007JND3 | R6007JNJ | R6007JNX | ||||
| 450 | R6009JND3 | R6009JNJ | R6009JNX | ||||
| 350 | R6012JNJ | R6012JNX | |||||
| 220 | R6018JNJ | R6018JNX | |||||
| 180 | R6020JNJ | R6020JNX | R6020JNZ | R6020JNZ4 | |||
| 140 | R6025JNX | R6025JNZ | R6025JNZ4 | ||||
| 110 | R6030JNX | R6030JNZ | R6030JNZ4 | ||||
| 90 | R6042JNZ4 | ||||||
| R6050JNZ | R6050JNZ4 | ||||||
| 45 | R6070JNZ4 | ||||||
特長① 業界トップのリカバリー特性
ロームのPrestoMOS™シリーズは、ローム独自の特許技術によって寄生ダイオードを高速化しており、重要特性の逆回復時間 (trr)は業界最速を誇ります。しかし、通常はダイオードの高速化によって急峻な電流変化が発生し発振が大きくなる傾向があります。
第三世代PrestoMOS™ R60xxJNxシリーズでは構造最適化によりリカバリー時の発振を起こしにくい製品に仕上げております。これにより、お客様の発振対策の手間を簡略化できます。リカバリー時の発振でお困りのようであれば是非お試し下さい。
特長② 使いやすさを追求
ロームのPrestoMOS™シリーズは、モータ駆動用のインバータやブリッジ型の回路での使用を想定しており、これらの回路では高い短絡破壊耐量とセルフターンオン抑制が必要とされます。短絡破壊耐量が少ない場合はMOSFETが破壊に至る可能性が高まり、セルフターンオンが発生した場合は電力損失が大きくなります。
第三世代PrestoMOS™ R60xxJNxシリーズでは内部構造の調整によってこの2つの課題をクリアできております。
競合他社の最新世代品と比較しても業界トップレベルの短絡破壊耐量を保持できており、より安心してお使いいただけます。
また、セルフターンオンが抑制されているため、動作時の電力損失も最小化することができております。
第三世代PrestoMOS™ R60xxRNxシリーズ
特長 高速逆回復時間特性を継承しつつ、低ノイズ化を実現
従来のライフタイム制御技術に改良を加えたことで実現した業界最速の逆回復時間40nsは、一般品に比べて約30％スイッチング損失を低減し、機器の電力損失低減に貢献します。
また、新たに開発した独自のSuper Junction構造により、逆回復時間の高速化と背反関係にあるノイズ特性も、一般品に比べて約15dB低減（ローム測定条件下、40MHzでの比較）。機器のノイズ対策工数や部品点数の削減に寄与します。
※2023年3月 ローム調べ
