高速ダイオード内蔵 Nch 600V 20A パワーMOSFET - R6020JNZ4
R6020JNZ4は低オン抵抗かつ逆回復時間(trr)が速いパワーMOSFETです。R60xxJNxシリーズ「PrestoMOS™」は、エアコンや冷蔵庫などの白物家電のモータ駆動やEVの充電ステーションに最適な、逆回復時間（trr）が速いSuperJunction MOSFETです。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-247AD
パッケージサイズ[mm]
21.07x15.94 (t=5.02)
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
600
ドレイン電流 (直流) ID [A]
20.0
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)
0.18
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.18
ゲート総電荷量 Qg [nC]
45.0
許容損失 PD [W]
252.0
駆動電圧 [V]
15.0
実装方式
Leaded type
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
- 逆回復時間(trr)が小さい
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 駆動回路が簡単
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠