R6025JNZ4
600V 25A TO-247, 高速ダイオード内蔵 PrestoMOS™

R6025JNZ4は低オン抵抗かつ逆回復時間(trr)が速いパワーMOSFETです。R60xxJNxシリーズ「PrestoMOS™」は、エアコンや冷蔵庫などの白物家電のモータ駆動やEVの充電ステーションに最適な、逆回復時間（trr）が速いSuperJunction MOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | R6025JNZ4C13
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-247
包装数量 | 600
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-247AD

パッケージサイズ[mm]

21.07x15.94 (t=5.02)

推奨セット

Motor, Inverter

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

600

ドレイン電流 (直流) ID [A]

25.0

RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)

0.14

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.14

ゲート総電荷量 Qg [nC]

57.0

許容損失 PD [W]

306.0

駆動電圧 [V]

15.0

Trr (Typ.)[ns]

90

実装方式

Leaded type

Bare Die/Wafer 品番

Available: K7807

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 逆回復時間(trr)が小さい
  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • 駆動回路が簡単
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
SHOW/HIDE COLUMNS
新商品一覧

デザインリソース

 

ドキュメント

アプリケーションノート

  • インバータ回路におけるスイッチング素子の逆回復特性の重要性とPrestoMOS™の有用性について
  • ダブルパルス試験を用いたPrestoMOS™ のデバイス特性の優位性実証
  • LLCコンバータの１次側スイッチング素子におけるPrestoMOS™の有用性について

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルとは（トランジスタ）
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • R6025JNZ4 SPICE Model

特性データ

  • R6025JNZ4 ESD Data

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

環境データ

  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について