R6509ENJ
650V 9A TO-263, 低ノイズ仕様 パワーMOSFET
R6509ENJは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチングなどの用途に最適です。
主な仕様
特性:
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
650
Drain Current ID[A]
9
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.53
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.53
Total gate charge Qg[nC]
24
Power Dissipation (PD)[W]
94
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ)[ns]
400
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K7459
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.0x10.1 (t=4.7)
特長:
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 並列使用が容易
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
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