R6004ENX
600V 4A TO-220FM, 低ノイズ仕様 パワーMOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
Package Code
TO-220FM
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.9
Total gate charge Qg[nC]
15
Power Dissipation (PD)[W]
40
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ)[ns]
320
Mounting Style
Leaded type
Bare Die Part Number
Available: K7411
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.8)
特長:
・ Low on-resistance.・ Fast switching speed.
・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
・ Drive circuits can be simple.
・ Parallel use is easy.
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
関連動画&カタログ
