特性データ
- R8009KNX ESD Data
R8009KNX
主な仕様
特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-220FM
パッケージサイズ [mm]
10.1x15.1 (t=4.8)
推奨セット
Power Supply
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
800
ドレイン電流 (直流) ID [A]
9.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.5
ゲート総電荷量 Qg [nC]
27.0
許容損失 PD [W]
59.0
駆動電圧 [V]
10.0
Trr (Typ.)[ns]
500
実装方式
Leaded type
Bare Die/Wafer 品番
Available: K8102
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 並列使用が容易
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
デザインリソース
技術記事
回路設計・検証
- 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
- スイッチング回路の電力損失計算
- MOSFETの仕様書に記載している用語説明
- スイッチング波形のモニタ方法
- MOSFET の破壊メカニズムについて
- パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
- バイパスコンデンサのインピーダンス特性
熱設計
- 熱設計とは
- 熱抵抗と放熱の基本
- 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
- 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
- 熱電対を用いた温度測定における注意点
- 熱モデルとは（トランジスタ）
- pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
- MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
- 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
- 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点
モデルとツール
特性データ
- R8009KNX ESD Data
パッケージと品質データ
パッケージ情報
- 外形寸法図
- 標印仕様説明
- 耐湿レベルについて
- 耐ウィスカ性能について
環境データ
- UL難燃性について
- REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
- RoHS/ELV指令適合証明書
輸出関連情報
- 輸出貿易管理令について