R6007ENJ
600V 7A TO-263, 低ノイズ仕様 パワーMOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
パッケージコード
TO-263 (D2PAK)
JEITAパッケージ
SC-83
推奨セット
Power Supply
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
600
ドレイン電流 (直流) ID [A]
7
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.57
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.57
ゲート総電荷量 Qg [nC]
20
許容損失 PD [W]
40
駆動電圧 [V]
10
Trr (Typ.)[ns]
340
実装方式
Surface mount
Bare Die/Wafer 品番
Available: K7410
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
10.1x13.1 (t=4.7)
特長:
・ Low on-resistance.・ Fast switching speed.
・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
・ Drive circuits can be simple.
・ Parallel use is easy.
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
