ゲートドライバ
ローム独自の微細加工技術の応用により、オンチップトランスフォーマプロセスを開発。小型でありながら絶縁素子を内蔵した、ゲートドライバの開発に成功しました。
かんたん検索
Power Device | Isolation Voltage | Driving Capability(Iout) | Function | Operation Voltage | Secondary side | Miller Clamp | Secondary UVLO [ON/OFF] | Short Circuit Protection (Note 2) |
DESAT (Note 2) | Soft Turn OFF after short detection |
Temp Monitor | Thermal shut down with Ext. Sensor |
Package | Evaluation Kit | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Simple | Complex | Positive Voltage | Negative Voltage | |||||||||||||
Automotive | ||||||||||||||||
~Gen3 SiC Drive voltage over 18V |
3.75k Vrms |
±4A | BM61S40RFV-C | - | 4.5 to 5.5V |
16 to 20V |
- | Built-in | 14.5V/ 15.0V |
- | - | - | - | - | SSOP-B10W | ✔ |
BM61S41RFV-C | 16 to 24V |
- | Built-in | 14.5V/ 15.0V |
- | - | - | - | - | SSOP-B10W | ✔ | |||||
SiC, IGBT, Si-MOSFET |
3.75k Vrms |
±20A | - | BM6112FV-C | 4.5 to 5.5V |
14 to 20V |
-12 to 0V |
Ext. MOSFET | 11.5V/ 12.5V |
✔ | ✔ | ✔ | ✔ | - | SSOP-B28W | - |
2.5k Vrms |
±9A | - | BM60060FV-C | 8 to 24V |
13.5 to 24V |
- | Built-in | 11.5V/ 12.5V |
✔ | - | ✔ | ✔ | - | SSOP-B28W | - | |
±5A | - | BM60055FV-C | 4.5 to 30V |
9 to 24V |
- | Built-in | ✔ (Note 1) |
✔ | - | ✔ | - | ✔ | SSOP-B28W | - | ||
±4.5A | - | BM6109FV-C | 4.5 to 5.5V |
14 to 18V |
- | Ext. MOSFET |
12.0V/ 12.5V |
✔ | - | ✔ | ✔ | - | SSOP-B28W | - | ||
±3A | - | BM6101FV-C | 4.5 to 5.5V |
14 to 24V |
-12 to 0V |
Ext. MOSFET |
11.5V/ 12.5V |
✔ | ✔ | ✔ | - | ✔ | SSOP-B20W | - | ||
BM6102FV-C | 4.5 to 5.5V |
14 to 20V |
- | Ext. MOSFET |
11.5V/ 12.5V |
✔ | ✔ | ✔ | - | ✔ | SSOP-B20W | - | ||||
BM6104FV-C | 4.5 to 5.5V |
10 to 24V |
-12 to 0V |
Ext. MOSFET |
9.05V/ 9.55V |
✔ | ✔ | ✔ | - | - | SSOP-B20W | - | ||||
BM60052AFV-C | 4 to 32V |
10 to 20V |
-12 to 0V |
Built-in | ✔ (Note 1) |
- | ✔ | ✔ | - | ✔ | SSOP-B28W | - | ||||
BM60054AFV-C | 4 to 32V |
10 to 20V |
-12 to 0V |
Built-in | ✔ (Note 1) |
✔ | ✔ | ✔ | - | ✔ | SSOP-B28W | - | ||||
Si-MOSFET | 3.75k Vrms |
±4A | BM61M41RFV-C | - | 4.5 to 5.5V |
9 to 24V |
- | Built-in | 7.4V/ 7.8V |
- | - | - | - | - | SSOP-B10W | ✔ |
Industry | ||||||||||||||||
SiC IGBT Si-MOSFET |
2.5k Vrms |
±3A | - | BM6108FV-LB | 4.5 to 5.5V |
10 to 24V |
-12V to 0V |
Ext. MOSFET |
9.05V/ 9.55V |
✔ | ✔ | ✔ | - | - | SSOP-B20W | - |
Si-MOSFET | - | +3.5A/ -4.5A |
- | BD2320UEFJ-LA | 7.5 to 14.5V |
- | - | - | - | - | - | - | - | - | HTSOP-J8 | - |
GaN HEMT | - | +7A/ -5A |
BD2311NVX-LB | - | 4.5 to 5.5V |
- | - | - | - | - | - | - | - | - | SSON06RX2020 | ✔ |
Consumer | ||||||||||||||||
Si-MOSFET | - | ±4A | BD2310G | - | 4.5 to 18V |
- | - | - | - | - | - | - | - | - | SSOP5 | - |
(Note 1) OFF/ON Voltage is adjustable by external settings
(Note 2) Either of SCP and DESAT function can be used
評価ボード
パワーデバイスを安全に十分な性能で動作させるためにはゲートドライバICの選定が重要です。
ロームではゲートドライバICの評価ボードとして下記のラインアップをそろえています。
ゲートドライバIC評価ボードはセットボード上のパワーデバイスと接続して評価頂くことを想定しボード面積を小さくしました。
1chゲートドライバIC用の評価ボードは1pcs実装品に加え、ハーフブリッジ回路での使用に適した2pcs実装品があります。
さらにゲートドライバIC用のSpiceモデルをご使用頂くことで、Simulationによるアプリケーション検証が可能です。
使用例
アプリケーションボード上のゲートドライバICの置換例
ゲートドライバIC評価ボードはアプリケーションボード上のゲートドライバICの置換用として使用できます。
パッケージや端子機能が異なるゲートドライバICをアプリケーションボード上で直接置換えることは困難です。
ゲートドライバIC評価ボードの電源・信号入出力端子はアプリケーションボードとの配線接続を考慮した配置となっており、調整が必要なゲート抵抗の変更も評価ボード上で可能です。
ボードサイズが小さいことから複数チャネルのパワーデバイスを制御するアプリケーションでも容易に評価ボードの追加が可能です。
Galvanic Isolation Series [Isolation Voltage: 3.75kVrms, 2.5kVrms]
評価ボード | ゲートドライバ IC | 評価ボード | |||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EVK Name | Application Isolation Voltage |
Gate Drive Voltage, Current |
Gate Drive Channel |
Miller Clamp |
Board size [mm] |
Parts Name | Spice モデル |
評価ボード ユーザーズ ガイド |
購入 |
BM61S40RFV-EVK001 | SiC MOSFET Gate Drive 3.75kVrms |
16 to 20V, 4A (Note 1) |
1ch | Built-in | 33 x 16 | BM61S40RFV-C [SSOP-B10W] |
Spice モデル |
ユーザーズ ガイド |
ネット商社 |
BM61S40RFV-EVK002 | 2ch | 33 x 32 | ユーザーズ ガイド |
ネット商社 | |||||
BM61S41RFV-EVK001 | SiC MOSFET Gate Drive 3.75kVrms |
16 to 24V, 4A |
1ch | Built-in | 33 x 16 | BM61S41RFV-C [SSOP-B10W] |
Spice モデル |
ユーザーズ ガイド |
ネット商社 |
BM61S41RFV-EVK002 | 2ch | 33 x 32 | ユーザーズ ガイド |
ネット商社 | |||||
BM61M41RFV-EVK001 | Si MOSFET Gate Drive 3.75kVrms |
9 to 24V, 4A |
1ch | Built-in | 33 x 16 | BM61M41RFV-C [SSOP-B10W] |
Spice モデル |
ユーザーズ ガイド |
ネット商社 |
BM61M41RFV-EVK002 | 2ch | 33 x 32 | ユーザーズ ガイド |
ネット商社 | |||||
BM61M22BFJ-EVK001 | IGBT, Si MOSFET Gate Driver 2.5kVrms |
9 to 24V, 2A |
1ch | - | 33 x 16 | BM61M22BFJ-C [SOP-JW8] (開発中) |
Spice モデル |
ユーザーズ ガイド |
ネット商社 |
BM61M22BFJ-EVK002 | 2ch | 33 x 32 | ユーザーズ ガイド |
ネット商社 |
(Note 1) Max Gate Drive Voltage is protected by Over Voltage Protection
評価ボード
Galvanic Isolation Series では基礎絶縁に対応するアプリケーションとして1ch駆動品とハーフブリッジ回路でご使用頂ける2ch駆動品をご用意しております。
1ch Galvanic Isolation Gate Driver Board (1pcs)
ユーザーズガイド関連製品
2ch Galvanic Isolation Gate Driver Board (2pcs)
ユーザーズガイド関連製品
ゲートドライバIC
- 1chゲートドライバ
- 基礎絶縁
- 2入力信号(INA, INB)による出力論理制御・外部ノイズに伴うゲート”H"出力防止設計
- 入力信号電圧(Note 2): VINH:2.0 V or over / VINL : 0.8V or under
SSOP-B10W
[BM61S40RFV-C, BM61S41RFV-C, BM61M41RFV-C]
Small footprint for 8mm creepage distance
Isolation Voltage: 3.75kVrms
Small Package: 3.5mm x 10.2mm x 1.9mm
Miller Clamp 回路内蔵
I/O Delay time: 65ns (Max)
SOP-JW8
[BM61M22BFJ-C] (開発中)
Isolation Voltage: 2.5kVrms
Package size: 4.9mm x 6.00mm x 1.65mm
Gate Drive Source / Sink 分離
I/O Delay time: 60ns (Max)
(Note 2) 信号入力側の電源電圧範囲(VCC1)は入力信号にかかわらず 4.5 to 5.5V です。
Truth table
INA (input) |
INB (input) |
OUT (Output) |
---|---|---|
L | H | L |
H | L | H |
L | L | L |
H | H | L |
1200V High Voltage High and Low Side Driver
評価ボード | ゲートドライバ IC | 評価ボード | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EVK Name | Application | Gate Drive Voltage, Current |
Miller Clamp | ボード概要 | Board size [mm] |
Parts Name | IC概要 | Spice モデル |
評価ボード ユーザーズ ガイド |
購入 |
BM60212FV-EVK001 | IGBT Gate Drive Si MOSFET Gate Drive |
10 to 24V, 3A (Note 3) |
Built-in | 概要 | 33 x 21 | BM60212FV-C | 概要 |
- | ユーザーズ ガイド |
ネット商社 |
BM60213FV-EVK001 | - | BM60213FV-C | - | ユーザーズ ガイド |
ネット商社 |
(Note 3) Power supply voltage is from 10 to 24V relative to low-side and input-side ground.
評価ボード
アプリケーションに接続するだけで、簡単に置換えできます。
ユーザーズガイドゲートドライバIC
- Turn on/off time: 75ns (Max)
- 3入力信号 (EN, INA, INB) による出力論理制御。外部ノイズによるハイサイド・ローサイド同時ON防止設計
- Package: 6.50mm x 8.10mm x 2.01mm
- Miller Clamp回路内蔵 [BM60212FV-Cのみ]
- 入力信号電圧(Note 4): VINH : 2.0 V or over / VINL : 0.8V or under
- Gate Drive Voltage:10 to 24V
- Gate Drive Current:3A
(Note 4) 電源電圧範囲(VCCB) は 10 to 24Vです。
Truth table
ENA (input) |
INA (input) |
INB (input) |
OUTA (output) |
OUTB (output) |
---|---|---|---|---|
L | X | X | L | L |
H | L | L | L | L |
H | L | H | L | H |
H | H | L | H | L |
H | H | H | L | L |