IPD(インテリジェントパワーデバイス)
スイッチ、ヒューズ、リレーの機能を高寿命、高信頼性、静音で実現するIPD (インテリジェントパワーデバイス)。ロームのIPDは、低オン抵抗MOSFETと各種保護回路をワンチップに内蔵した車載グレードのユニバーサルスイッチです。過熱、過電流、過電圧、及び負荷短絡に対し、より高いレベルの保護を提供します。エンジンルーム内、車室内に設置される抵抗性・容量性・誘導性負荷をはじめ、産機用途などにもご使用いただけます。
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* Gen (Generation) means the IPD development process generation.
Family | Function | Generation | RDS (ON) (Typ.)[mΩ] | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
8-25 | 40-90 | 160-250 | 300- | ||||
High Side | 電流センス | 2nd Gen | 1 Product | ||||
3rd Gen (1ch) | Under Development | 3 Products | |||||
3rd Gen (2ch) | Under Development | ||||||
標準/エラーフラグ | 2nd Gen (1ch) | 4 Products | |||||
2nd Gen (2ch) | 1 Product | ||||||
可変過電流制限 | 2nd Gen (1ch) | 2 Products | |||||
2nd Gen (2ch) | 3 Products | ||||||
Low Side | 標準/エラーフラグ | 2nd Gen (1ch) | 4 Products | 4 Products | 4 Products | ||
2nd Gen (2ch) | 4 Products | 4 Products | |||||
可変スルーレート | 2nd Gen | 1 Product | |||||
マルチチャンネル | 2nd Gen | 6 Products |
製品概要
IPDの機能
電流センス高精度な出力電流モニタ
1ch/2ch ハイサイドスイッチ
BV1HBxxxEFJ-C(1ch) / (開発中)BV2HBxxxEUV-C(2ch)
可変過電流制限負荷に合わせた最適な保護
1ch/2ch ハイサイドスイッチ
BV1HxxxxEFJ-C(1ch) / BV2HxxxxEFU-C(2ch)
可変スルーレートスイッチング損失とノイズ軽減を両立
1ch ローサイドスイッチ
BV1LFxxxEFJ-C(低Slew Rate)
マルチチャンネル複数の負荷駆動に最適
8ch ローサイドスイッチ
BD8LD650EFV-C, BD8LB65AEFV-C
TDACC™について
TDACC™は、ローム株式会社の登録商標です。IPD内のパワーMOSFET部がオフ時の逆起エネルギーによって発熱する際、電流を流すチャネル数を最適に制御することにより、小型サイズを維持したままでは両立が困難な発熱抑制と低オン抵抗を実現した、ローム独自の回路・デバイス技術です。