BV1HB045EFJ-C
電流センス機能内蔵 1chハイサイドスイッチ
BV1HB045EFJ-Cは車載用1ch ハイサイドスイッチです。出力の異常モードである地絡検出（過電流制限機能）、過熱保護機能や、負荷オープン検出機能、低電時出力OFF機能を内蔵しており、異常検出時の診断出力機能を備えています。また、出力電流に対する電流センス機能を備えています。
主な仕様
機能安全:
特性:
Type
High side switches
Generation
GEN2
Qualification Grade
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Feature
Current Sense
Overcurrent Protection
Limitation
Thermal Shut Down
Self-restart
Channel Number [ch]
1
ON Resistance(Typ.)[mΩ]
45
ON Resistance(Max.)[mΩ]
90
Output Current (Typ) @Ta=85℃ [A]
4.7
Supply Voltage(Min.)[V]
6
Supply Voltage(Max.)[V]
28
Drain-Source Voltage (Max.)[V]
45
Single Pulse Energy 25°C [mJ]
130
Over Current Limit (Min.)[A]
21
Under voltage Detection Level(Max.)[V]
5
Current consumption(Typ.)[µA]
3000
Open Load Detect [V]
2
Junction Temperature Tj (Min.)[°C]
-40
Junction Temperature Tj (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
4.9x6.0 (t=1.0)
特長:
- 電流センス機能内蔵
- Dual TSD®内蔵: ジャンクション温度を検知する過熱保護とPower-MOSの急峻な温度上昇を検知するΔTj保護の2種類の温度保護を内蔵
- AEC-Q100対応(Grade 1)
- 過電流保護機能(OCP)内蔵
- 過熱保護機能(TSD)内蔵
- 負荷オープン検出機能内蔵
- 低電圧時出力OFF機能(UVLO)内蔵
- 診断出力内蔵
- 低オン抵抗のNch MOSFETスイッチを1回路内蔵
- 制御部(CMOS)とパワーMOSFETを1チップ上に組み込んだモノリシックパワーIC
