BV1HB045EFJ-C
電流センス機能内蔵 1chハイサイドスイッチ
BV1HB045EFJ-Cは車載用1ch ハイサイドスイッチです。出力の異常モードである地絡検出（過電流制限機能）、過熱保護機能や、負荷オープン検出機能、低電時出力OFF機能を内蔵しており、異常検出時の診断出力機能を備えています。また、出力電流に対する電流センス機能を備えています。
主な仕様
機能安全:
特性:
タイプ
High side switches
世代
GEN2
標準規格
AEC-Q100 (Automotive Grade)
機能
Current Sense
過電流保護
Limitation
温度保護
Self-restart
出力チャンネル数[ch]
1
ON抵抗(Typ.)[mΩ]
45
ON抵抗(Max.)[mΩ]
90
出力電流[A]
21
電源電圧(Min.)[V]
6
電源電圧(Max.)[V]
28
ドレイン-ソース間電圧 (Max.)[V]
45
アクティブクランプ耐量 (Single)[mJ]
130
過電流制限値 [A]
21
低電圧時出力OFF電圧(Max.)[V]
5
消費電流(Typ.)[µA]
3000
出力負荷オープン検出値 (Typ.) [V]
2
接合部動作温度範囲 Tj (Min.)[℃]
-40
接合部動作温度範囲 Tj (Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
4.9x6 (t=1)
特長:
- 電流センス機能内蔵
- Dual TSD®内蔵: ジャンクション温度を検知する過熱保護とPower-MOSの急峻な温度上昇を検知するΔTj保護の2種類の温度保護を内蔵
- AEC-Q100対応(Grade 1)
- 過電流保護機能(OCP)内蔵
- 過熱保護機能(TSD)内蔵
- 負荷オープン検出機能内蔵
- 低電圧時出力OFF機能(UVLO)内蔵
- 診断出力内蔵
- 低オン抵抗のNch MOSFETスイッチを1回路内蔵
- 制御部(CMOS)とパワーMOSFETを1チップ上に組み込んだモノリシックパワーIC
