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論文・学会発表
研究開発ナビ
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分野
種別
2023/10
OPEN
Keisuke Wakamoto
Japanese Journal of Applied Physics, Volume: vol. 61. ,pp. SD1029
2023/10
Keisuke Wakamoto
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Volume: vol. 13 , pp. 197-210
2023/10
OPEN
Nine Point Bending Test Technique for Understanding of Sintered Silver Die Bonding Failure Mechanism
Keisuke Wakamoto
Experimental techniques
2023/9
Sputtered β-Ga2O3 Crystallization by High Temperature Annealing on AlN/Si
Akira Sagawa
SSDM2023
2023/9
Tatsuya Yanagi
EPE 2023 ECCE Europe
2023/9
OPEN
Shogo Ogawa
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
2023/8
回路＆システムシミュレータに対応可能な高速・高精度SiC MOSFETモデルの開発
中村 洋平
電気学会産業応用部門シンポジウム
2023/6
EXTREMELY SMALL LIMITING-CURRENT-TYPE OXYGEN SENSOR WITH A WIDE RANGE PROPORTIONALITY OF THE OXYGEN CONCENTRATION
赤坂 俊輔
ガス拡散路を微細化することでKnudsen拡散が支配的になり、広範囲の酸素濃度でのリニアリティを実現することに成功した。
Transducers2023
2023/6
BERTによる半導体企業の特定技術に対するポジショニング分析
上田 紗綾
本研究は、半導体企業2社の固有技術（パッケージ技術）に関して、多数の公開特許情報からトレンドやポジションを明らかにする手法を提案する。今回はBERTによる文書ベクトルを生成し、特定クラスタに対してWord2vecを使用して技術に関する単語を割り出した。その上で、エンジニアのレビューを経て2社の技術開発の方向性の違いを明らかにすることを試みた。結果、パッケージ技術に関する2社の文書ベクトルには特徴量の違いがみられ、一部クラスタはWord2vecにより異なる技術関連の単語を取得することができた。
2023年度 人工知能学会全国大会（第37回）
2023/6
Suppression of Leakage Current in Wireless Charging Systems Using N-legged Inverters
高木 優作(東京大学)
Nレグインバータを使用したワイヤレス給電システムは、一部のレグを駆動した際に、非駆動のレグに待機電流が流れてしまうことが知られており、これはデバイスの空乏層容量への充放電に起因する。そして、その抑制方法として短いパルスを非駆動レグに入力する方法があり、パルス長により抑制効果が異なることを明らかにした。このパルス長依存性を回路シミュレーションと実験で確認した。
IEEE Wireless Power Technology Conference and Expo (WPTCE)
2023/5
Simplified Open-Loop Transfer Functions to Analyze Influential Parasitic Parameters for Oscillation Caused by Parallel Connected Transistors
坂井 優斗
スイッチングデバイスにおける並列接続時に発生する発振現象について、その安定性を評価する開ループ伝達関数の近似式の容易に導出する方法を確立した。導出した近似式を用いることで、デバイス・モジュール双方の寄生パラメータが発振に与える影響を、その相互関係まで含めて解析可能となった。また、実際に式より判明したパラメータの影響をシミュレーションと実験により、依存性が正しいことを確認した。
ISPSD 2023
2023/5
デュアルハーフブリッジPFC回路の伝導ノイズ評価
大河内 裕太
近年トーテムポールPFCは高効率化が可能なことから実用化が進んでいるが、交流電圧の極性切り替わり時に大きなコモンモードノイズが発生する。コモンモードノイズを低減可能なデュアルハーフブリッジPFCを開発し、実機評価にて伝導ノイズを低減できることを実証した。
電気学会 家電・民生研究会
2023/5
Autonomous Minimization of Power Loss by Switching Frequency Adjusting Function for a DC–DC Converter
柏木 淳一
スイッチング周波数を自律的に調整し、損失を低減する機能をもったDC-DCコンバータを開発した。
PCIM2023
2023/5
A Unified Model of MIS and Ridge HEMTs for Fast and High-Power Switching Applications.
青木 均
招待講演：AlGaN/GaN MIS-HEMTとAlGaN/GaN Ridge HEMTを1つのVerilog-Aコンパクトモデルに実装した。それぞれのノーマリーオフデバイスについての特徴をモデル化する理論と実践について言及する。また、ESFPによる寄生素子特性や，スケーリングについて問題提起し、解決策についても言及する。本論文では、今までに発表してきた多くの論文についてそのキーテクノロジーを紹介する。
12th International Conference on Communications, Circuits and Systems (ICCCAS)
2023/5
固有振動数が制御可能なMEMS型用音波素子の特性改善
木村 俊
圧電膜を使用した超音波発振素子に関して、応用上十分な範囲で固有振動数を制御可能なデバイスを開発した。
第40回強誘電体会議
2023/4
アプリケーション視点重視のパワーエレクトロニクス研究開発
中原 健
炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)に代表されるワイドギャップ半導体パワーデバイスの特性向上は自動的にパワーアプリケーションの価値に直結するわけではない。アプリケーションの価値向上を軸に置いた時、どのような研究がなされるべきか、を考察し、ロームで実施してきた結果について報告する。
公益社団法人精密工学会
2023/4
OPEN
Performance Comparison of Si IGBT and SiC MOSFET Power Module driving IPMSM or IM under WLTC
Hirokatsu Umegami
World Electric Vehicle Journal, Volume: 14, Issue: 4, Apr. 2023, pp.
2023/3
ニューラルネットワークモデルと説明可能AIを用いたトロイダルコイルの構造最適化
岡本 國美
ニューラルネットワークモデルと最適化アルゴリズムを組み合わせたデバイス構造最適化に対して、説明可能AI技術を用いることで納得性の高い最適条件を短時間で得られる手法を紹介する。
第70回 応用物理学会 春季学術講演会
2023/3
パワートランジスタにおける特性ばらつきの母集団推定
福本 晴花
パワートランジスタにおいて、量産時の特性揺らぎ推定を正規分布に頼っている現状がある。よって本研究では、ベイズの定理をもとにする手法であるガンマ回帰を用いた母手段推定を行った。
第70回 応用物理学会 春季学術講演会
2023/3
フォトニック結晶レーザーの出射ビームの直線偏光度増大
宮井英次
フォトニック結晶レーザーは高出力、高ビーム品質を両立させることができる光源であり、種々の応用が期待されている。光学系によっては直線偏光度の高いビームが望ましい場合がある。そこで、量子アニーリングによる最適化を行い、格子点形状とガウス型電流密度分布を制御することにより、直線偏光度の増大を実現したので報告する。
第70回応用物理学会春季学術講演会
2023/3
自然言語で書かれた複数の情報リソースの時系列解析による市場探索手法の提案
上田 紗綾
研究開発のテーマについてその市場性を分析する手法を提案する。研究開発テーマの代表的な単語を対象として、技術ニュースや特許データベースなど性質の異なる複数の自然言語で書かれた情報リソースを入力とし、Word2vecによるホットワード解析を実施した。市場規模などまだ統計的な数値データがはっきりとしない分野や、その市場において独占的な分野があり他の分野が見えにくい状況においても、客観的かつ短時間に市場を俯瞰することを目指した。
言語処理学会第29回年次大会(NLP2023)
2023/3
Su-Schrieffer-Heeger回路における固有周波数ばらつき
長澤郁弥
物性物理学で盛んに議論されているトポロジカル物質のいくつかは電子回路で模擬できる。中でも、Su-Schrieffer-Heegerモデルを模した回路はインダクタLとキャパシタCの周期構造により構成可能であり、外乱耐性を持ったバンドパスフィルタとして利用できる。本発表では、LとCの値がばらついた際の周波数の変動係数を明らかにした。本発表の結果により、必要な回路規模やLC素子の許容差を設計段階で見積ることが可能となった。
応用物理学会 春季学術講演会
2023/3
熱・機械サイクル負荷試験に基づく銀焼成接合劣化メカニズム
若本 恵佑
ナノ銀ペーストを用いたSiCデバイス接合体を熱サイクル試験(TST)と九点曲げ試験(NBT)によって接合劣化評価した。NBTはTSTと同様の面外変形を機械負荷によって可能にする。両実験結果を関連づけるダメージパラメータを提案し、信頼性試験中の銀焼成の劣化メカニズムの全容を明らかにする。
日本実装学会春季講演大会
2023/3
N相インバータを用いたN-1コイル非接触給電システムにおけるパルスによる待機電流抑制
高木 優作(東京大学)
Nレグインバータを使用したワイヤレス給電システムは、一部のレグを駆動した際に、非駆動のレグに待機電流が流れてしまうことが知られている。回路解析を用いて、待機電流はデバイスの空乏層容量への充放電に起因することを明らかにした。またその抑制方法として短いパルスを非駆動レグに入力する方法があることを明らかにした。
電気学会研究会 電力技術一般ならび半導体電力変換一般
2023/3
対向ターゲット式スパッタした CoFeB-SiO 2 薄膜 を用いた長方形型スパイラルコイル
仁田 帆南(東京工業大学)
異方性をもった新規磁性材料を用いてスパイラルコイルを試作したのでその結果を報告する
電気学会全国大会
2023/1
SiC wafer cost reduction with remote epitaxy technology
前川 拓滋
SiCパワーデバイス市場の拡大には、デバイスコストの大部分であるウェハ価格を下げる必要がある。 本講演では、リモートエピタキシー技術のSiC適用について報告する。
ACerS EMA 2023 / Electronic Materials and Applications
2022/12
Principal Component Analysis based GaN transistor live health monitoring
シャルワン フロリアン
ISSM2022
2022/12
パワーデバイスとパワーシステムを繋ぐ研究開発
中原 健
ワイドギャップ半導体の注目度が高いが、それが一体どのようなアプリケーションへの価値提供になるのかは明らかではない。このギャップを埋めるべく、アプリケーションとデバイスの間をつなぐ研究開発を志した。具体的には炭化ケイ素(SiC)のトランジスタで実際にモータを駆動し、国際的に共通の走行モードに従って走行模擬を行い、電費を算出した。結果、競合のSiデバイスよりも全走行過程でSiCは優れていることが明らかになった。
先進パワー半導体分科会第9回講演会
2022/12
Sintered Silver Degradation Assessment by Thermal and Mechanical Cyclic Tests
若本 恵佑
本研究では、焼結銀（s-Ag）ダイ層（NP：ナノペースト、NMP：ナノ～マイクロペースト）の剥離速度の主要因を、熱衝撃試験（TST）と9点曲げ試験（NBT）を組み合わせて調査した。NBTはTSTと同様にs-Agダイ部品に機械的な面外変形を与えることができる。 得られた結果から、NBTはTST時の剥離率を整理することができることが示唆された。つまり、TST中のs-Agダイ層の破壊には、機械的ストレスが主に寄与していることがわかった。
ICMR2022
2022/12
A Secondary-Side Resonant LLC converter for Reducing Resonance Voltage with Boost Mode Operation Using Resonance Including Current Doubler Rectifier
中村 勇斗(岡山大学)
二次側共振LLCコンバータにおいて、二次側に配置された結合インダクタの励磁インダクタンスを利用して昇圧モードを実現する新しい回路トポロジーを考案し、その効果をシミュレーションと実測で検証した。
SPEC2022 (Southern Power Electronics Conference)
2022/12
OPEN
Yohei Nakamura
IEEE Transactions on Power Electronics
2022/11
Nine Point Bending Test Technique for Evaluating the Sintered Silver Die Degradation
若本 恵佑
本研究では、9点曲げ試験（NBT）と呼ばれる新しい機械的曲げ試験技術を紹介する。NBTはTSTのような面外変形を機械的に与えることができる。発表では、NBTの技術要素を述べ、TST時の焼結銀層の破壊メカニズムをNBTの結果と比較しながら議論する。
The 19th International Conference on Precision Engineering
2022/11
Compact and cost-effective solution for terahertz applications
ベジコ ミハイル
ロームで開発されたRTD素子の紹介。主な特性・長所の説明。
Electronica 2022 Embedded Platforms Conference
2022/11
Degradation Mechanism Comparison of Sintered Silver Die in Thermal and Mechanical Cycling Tests
若本 恵佑
熱信頼性試験(TST)中の面外変形を機械的に曲げて再現する九点曲げ試験技術(NBT)を開発。NBTとTSTの結果を比較すると、TST中の接合劣化は機械応力によるものがメインであることが分かった。
MNC 2022, 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
2022/11
Oxygen and humidity sensing property of a limiting current-type thin-film YSZ-based sensor on a micro-hotplate
赤坂 俊輔
MEMS酸素湿度センサのセンシング特性。
IEEE Sensors 2022
2022/9
Evaluating Sintered Silver Die-attach Thermal Cycling Degradation
若本 恵佑
熱信頼性試験(TST)中の銀焼成接合劣化メカニズムを調査している。TST中は、熱と機械応力が複合し接合劣化するため、原因を正しく理解するためには、原因を切り分けて調査する必要がある。本稿は、機械負荷によって接合体の面外変形を可能にするNBT技術を提案する。NBTとTSTの結果を比較し、TST中の劣化メカニズムについて説明する。
SSDM2022
2022/9
LPCVD SiN膜の絶縁破壊特性に及ぼす下地Siアニールの影響
宮川 勇人（香川大学：ローム浜松との共同研究）
MIMｷｬﾊﾟｼﾀとして用いられるSiN膜の耐圧のｱﾆｰﾙ温度依存性を調査したところ、ｱﾆｰﾙ温度900℃と1000℃以上で耐圧不良が増大し、SiN及びSi界面のﾀﾞﾝｸﾞﾘﾝｸﾞﾎﾞﾝﾄﾞの影響が示唆されている。本報告ではSi表面のｱﾆｰﾙによる再構築ﾒｶﾆｽﾞﾑに着目し、SiN膜形成前にｱﾆｰﾙを追加することで900℃での耐圧悪化挙動への影響を調査した。
第83回応用物理学会秋季学術講演会
2022/9
フォトニック結晶レーザーの単一モード動作のロバスト性向上のための電流分布制御
宮井 英次
フォトニック結晶レーザー(PCSEL)は大面積単一モード動作が可能という特徴を有する。しかし電流が高くなると、格子点形状によっては多モード化することもあり得る。そこで多モード化を抑制し、設計のロバスト性を向上させるため、注入電流密度分布をガウス型にして理論解析を行った。その結果、通常電極と比較してガウス型電流密度分布の方が多モード発振を抑制できていることが分かった。
第83回応用物理学会秋季学術講演会
2022/9
九点曲げ試験を用いた銀焼成接合劣化評価技術
若本 恵佑
熱信頼性試験(TST)中の面外変形を機械的負荷によって再現する九点曲げ試験技術(NBT)を開発。NBTとTSTの両試験後の接合劣化比較した結果について述べる。TST中の破壊は、機械応力と材料劣化の二つに分けれることが新たに分かった。
日本機械学会年次記念大会
2022/9
単一RTD送受信器を用いたイメージングシステムの小型化
水野 遼子（大阪大学）
電子情報通信学会ソサイエティ大会
2022/8
THz imaging system with a single resonant tunneling diode transceiver in the 300-GHz band
水野 遼子（大阪大学）
IRMMW-THz2022
2022/8
自動車用パワーエレクトロニクスの現状と動向
石戸 亮祐
現状の電動自動車用に用いられているパワーデバイスに関して報告する。
電気学会産業応用部門大会
2022/8
ニューラルネットワークを用いた三相PWMインバータ用 ACフィルタインダクタの損失最小化に関する検討
山口 太勢（名古屋工業大学）
ACフィルタを備えた三相PWMインバータを対象に、まず市販されている磁性コアでインダクタを作製した場合に損失が最小となるコア形状をスイッチング周波数ごとに求めた。次に上記結果をニューラルネットワークで学習させ、市販形状よりも損失が低減する構造の探索を行った。
電気学会産業応用部門大会
2022/7
SiC wafer cost reduction strategy with remote epitaxy
前川 拓滋
SiCパワーデバイス市場の拡大には、デバイスコストの大部分であるウェハ価格を下げる必要がある。 本講演では、リモートエピタキシー技術のSiC適用について報告する。
Workshop on Advanced Epitaxy for Freestanding Membranes and 2D Materials
2022/6
パワー半導体の成長期と社内レポート・社外ニュースの関連ワードとの相関分析
上田 紗綾
本研究は、社内情報である「社内レポート」と、技術に関するニュース「社外レポート」が、自社保有技術を有した開発製品の市場の形成傾向と、どう相関するか、を自然言語処理によって分析したものである。結果、SiCの場合、売上拡大の2年前から、具体的な市場に関するワードを抽出できた。一方でGaNについてはそういったワードは抽出できなかった。
2022年度 人工知能学会全国大会（第36回）
2022/6
Performance Comparison of Si IGBT and SiC MOSFET Power Module driving IPMSM or IM under WLTC
梅上 大勝
Infineon製 Si IGBT, Rohm製 2G, 3G, 4G の SIC MOSFET を、同期機と誘導機を用いて、Nissan_Leaf、および、BWM_i4_eDriveの２車種に基づく走行抵抗負荷で試験を実施、パワートレイン損失と電費を比較した。
EVS35
2022/5
Effect of N2-Anneal Temperature on Silicon Nitride film:(Ⅱ) Fine Structures of ESR Spectrum and FTIR
宮川 勇人（香川大学：ローム浜松との共同研究）
MIMｷｬﾊﾟｼﾀとして用いられるSiN膜の耐圧のｱﾆｰﾙ温度依存性を調査したところ、ｱﾆｰﾙ温度900℃と1000℃以上で耐圧不良が増大する。ESR及びFTIRを用いた解析よりSiN及びSi界面のﾀﾞﾝｸﾞﾘﾝｸﾞﾎﾞﾝﾄﾞ及び構造を示し、界面酸化の影響が大きいことが示唆された。
241ST ECS Meeting
2022/5
Effect of N2-Anneal Temperature on Silicon Nitride film:(Ⅰ) Time-Dependent Dielectric Breakdown and ESR Evaluations
栗田 久嗣（ローム浜松）
MIMｷｬﾊﾟｼﾀとして用いられるSiN膜の耐圧のｱﾆｰﾙ温度依存性を調査したところ、ｱﾆｰﾙ温度900℃と1000℃以上で耐圧不良が増大する。ESR解析よりSiN及びSi界面のﾀﾞﾝｸﾞﾘﾝｸﾞﾎﾞﾝﾄﾞの影響が示唆された。
241ST ECS Meeting
2022/5
スイッチングデバイスの並列チップ間発振現象における開ループ伝達関数導出と各パラメータが及ぼす影響の検討
坂井 優斗
スイッチングデバイスの並列接続におけるチップ間発振現象について、高周波の寄生成分を考慮した等価回路から周波数帯域別に支配的な回路要素を抽出することにより、開ループ伝達関数の近似式を導出した。また、導出した近似式から各パラメータがボード線図上の極・零点に及ぼす影響を明らかにし、この結果より得られた回路の安定性の傾向が回路シミュレーションにおける実際の発振傾向と一致することを確認した。
電気学会 産業応用部門 家電・民生研究会
2022/5
An evaluation of a new type of High Efficiency Hybrid Gate Drive Circuit for SiC- MOSFET suitable for Automotive Power Electronics System Applications
山本 真義(名古屋大学)
SiCMOSFETの性能を引き出す高効率ハイブリッドゲートドライバ回路について
電子情報通信学会
2022/5
R&D Bridging over Device and System Engineers Through the Electric-Mileage Estimation of a Motor System.
中原 健
モーターシステム全体の最適化のために、モーターシステムを使って半導体デバイスの差異を検証した
IPEC2022
2022/5
OPEN
Masayoshi Yamamoto（Nagoya university）
J-STAGE, Volume: E105.A, Issue: 5, May.2022, pp. 834-843
2022/3
High efficiency 3-Phase Power Inverter Using SiC MOSFETs and Trans-Linked Neutral-Point-Clamped Topology
宮﨑 達也
中性点クランプ回路とトランスリンク回路を組み合わせてSiC搭載3相50kWインバータを試作し、最高効率99.1%を達成した。
APEC2022
2022/3
VHDL-AMSを用いた高速・高精度SiC MOSFETモデルの開発
黒田 尚孝
SiC MOSFETのシミュレーションモデルを、自動車システムシミュレーションの共通言語として提案されているVHDL-AMSを用いて記述し、大規模回路のシミュレーションで考慮すべき計算速度と計算精度の両立を試みた。提案したモデルを用いて、システムシミュレータ上で、DPT回路とインバータ回路でのSW過渡解析を行い、一般的に用いられるSPICEモデルに対して高速・高精度化を実現した。
令和4年度 電気学会全国大会
2022/3
Temperature Characterizations of Multi-Unit and Multi-finger Dependencies on AlGaN/GaN
青木均（帝京平成大学）
これまで開発してきたAlGaN/GaN Ridge型HEMTのコンパクトモデルについて、温度、ゲートフィンガー数、ユニット数に着目してトランスコンダクタンス特性を測定及びシミュレートした結果について議論する。特に、ゲートインジェクションによるドレイン電流増加現象について、モデル式を提案し、デバイスサイズや温度変化による特使変化を解析した結果について詳述する。
34th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS2022)
2022/3
特許情報の時系列解析結果と売上データを利用した半導体に関する重要技術の抽出方法
上田 紗綾
特許文献に対して自然言語処理を行い、「何が重要技術であるか」を抽出する手法を提案した。具体的には白色LED(Light Emitting Diode)の1986年から2010年の特許情報に対して適用を行った。白色LEDの売上が拡大し始める年の3年前に、その基礎となる技術が出願されていたことを明らかにした。
言語処理学会第28回年次大会(NLP2022)
2022/3
OPEN
Yohei Nakamura
Japanese Journal of Applied Physics, Volume: 61, Issue: SC, Mar.2022
2021/12
OPEN
Zn-doped GaN Comprising the Gate Structure of Normally Off AlGaN/GaN-HFETs
Norikazu Ito
IEEE Electron Device Letters, Volume: 43, Issue: 2, Dec.2021, pp. 192-195
2021/12
OPEN
Elucidation of Adhesive Interaction between the Epoxy Molding Compound and Cu Lead Frames
Naoaki Tsurumi
ACS Omega, Volume: 6, Issue: 49, Dec.2021, pp. 34173–34184
2021/12
OPEN
Observation of a flat band and bandgap in millimeter-scale twisted bilayer graphene
Keiju Sato(Nagoya University)
Communications Materials, Volume: 2, Issue: 117, Dec.2021
2021/11
Limiting current-Type MEMS Oxygen Gas Sensor Integrated with micro-Hotplate
赤坂 俊輔
限界電流式のMEMS酸素センサについての報告。製法とセンシング特性について。
IEEE Sensors 2021
2021/10
Comparison in Sintered SiIver Die Attach Failure between Thermal Shocked Test and Four-point Bending Test
若本 恵佑
焼結銀（s-Ag）は、その高い熱伝導性によって次世代接合材として期待されている。パワーモジュール製品の接合箇所に適用する場合、接合劣化度は熱衝撃試験（TST）で評価される。従って、TST中の接合劣化メカニズムを理解することは、パワーモジュール設計上、非常に重要な役割を果たす。本研究は稼働中のパワーモジュール製品におけるs-Ag接合の故障を理解するために,TSTと4点曲げ機械疲労試験での銀焼成劣化メカニズムを比較した。
MNC2021
2021/10
Dominant Model Parameter Extraction for Analyzing Current Imbalance in Parallel Connected SiC MOSFETs
Yohei Nakamura
SiC MOSFETの並列駆動時に生じる電流アンバランス動作に対する影響が支配的なモデルパラメータの抽出方法を提案する。抽出の結果、8個あるモデルパラメータの内、2個のパラメータの影響が支配的となる結果が得られた。
ECCE2021
2021/9
フォトニック結晶導波路をインタフェースとしたテラヘルツデバイスの導波管実装法の検討
川本 勇真（大阪大学）
テラヘルツ帯デバイスの新たな導波管実装法として、フォトニック導波路をインタフェースとした実装法を提案した。本手法を用いて、共鳴トンネルダイオードを導波管に実装したモジュールを作製した。作製したモジュールを受信器として用いた300 GHz帯の無線通信実験を行い、17 Gbit/sまでのエラーフリー無線伝送を得た。
電子情報通信学会ソサイエティ大会
2021/9
共鳴トンネルダイオード受信器を用いた300 GHz 帯 PAM-4 変調無線通信
大城 敦司（大阪大学）
共鳴トンネルダイオード（RTD）を受信器として用い、 300 GHz 帯において Pulse Amplitude Modulation (PAM)-4 無線通信実験を行った。RTDの負性抵抗領域における増幅作用を利用した検波動作により、48 Gbit/s (24 Gbaud)の通信速度を達成した。
電子情報通信学会ソサイエティ大会
2021/9
Observation of a flat band in millimetre-scale magic-angle twisted bilayer graphene
乗松 航（名大院工）
1.1°のツイスト角をもったツイスト2層グラフェン（TBG）はバンド状態に変調がみられ、超伝導特性を示すことが知られている。その際、フラットなバンド構造が現れる。本学会では、従来のTBGと比較して100倍以上の面積をもった大面積TBGを作製し、そのバンド構造観察を行った結果について示す。魔法角を含んだ様々なTBGのバンド構造を調べ、電子状態とそれに及ぼす界面の影響を考察する。
Graphene Week 2021
2021/9
LPCVD SiN膜耐圧とアニール温度(Ⅱ) ESR解析とFTIR結果
宮川 勇人（香川大学：ローム浜松との共同研究）
MIMｷｬﾊﾟｼﾀとして用いられるSiN膜の耐圧のｱﾆｰﾙ温度依存性を調査したところ、ｱﾆｰﾙ温度900℃と1000℃以上で耐圧不良が増大する。ESR及びFTIRを用いた解析よりSiN及びSi界面のﾀﾞﾝｸﾞﾘﾝｸﾞﾎﾞﾝﾄﾞ及び構造を示し、界面酸化の影響が大きいことが示唆された。
第82回応用物理学会秋季学術講演会
2021/9
LPCVD SiN膜耐圧とアニール温度(Ⅰ) TDDB頻度とESR検討
栗田 久嗣（ローム浜松）
MIMｷｬﾊﾟｼﾀとして用いられるSiN膜の耐圧のｱﾆｰﾙ温度依存性を調査したところ、ｱﾆｰﾙ温度900℃と1000℃以上で耐圧不良が増大する。ESR解析よりSiN及びSi界面のﾀﾞﾝｸﾞﾘﾝｸﾞﾎﾞﾝﾄﾞの影響が示唆された。
第82回応用物理学会秋季学術講演会
2021/9
ミリメートルスケール魔法角ツイスト2層グラフェンにおけるフラットバンドの観察
乗松 航（名大院工）
従来の方法では、ツイスト2層グラフェン（TBG）をバンド構造観察可能な試料サイズで作製することが困難であった。しかし当研究Gはエピタキシャルグラフェンを用いることで大面積TBGを作製し、容易に評価可能となった（前回報告）。今回の報告では、魔法角を含む様々なツイスト角のTBGを作製し、バンド構造の直接観察を行った結果について報告する。
第86回応用物理学会秋季学術講演会
2021/9
Auto Structural Optimization of Toroidal Coils Based on Neural Network and Genetic Algorithm
Junichi Kashiwagi
ニューラルネットワークと遺伝的アルゴリズムを用いてトロイダルコイル形状を自動最適化した。
EPE2021
2021/9
微細空孔構造が加圧型銀焼成引張機械特性に与える影響について
若本 恵佑
はんだ接合の代替技術として、高熱伝導・耐熱な接合を可能にする銀焼成接合技術が注目を集めている。しかし、接合過程でどうしても空孔を内部に含む。これまで筆者らは空孔率が6%以下に抑えることで耐久性の向上を実証した.今回は,加圧型銀焼成を用いて,空孔率を2～4%に制御し, 静的引張試験を実施した. 空孔サイズ・空孔率が低いほど高い耐久性を示した.
日本機械学会
2021/9
Experimental Validation of Thermal Couple Impedance Model for Accurate Die Temperature Estimation in Power Modules
Yohei Nakamura
パワーモジュール内のチップ温度を精度良く見積もるために構築した熱インピーダンスモデルの実機検証を行った。構築したモデルは、実測のチップ温度を精度良く再現し、最大誤差は5℃以内であった。
SSDM2021
2021/9
OPEN
Degradation Mechanism of Pressure-Assisted Sintered Silver by Thermal Shocked Test
Keisuke Wakamoto
Energies, Volume: 14, Issue: 17, Sep.2021, pp. 5532
2021/8
Integrated Resonant Tunneling Diode with Rectangular Waveguide I/O using Photonic Crystal Interface
Yuma Kawamoto（大阪大学）
誘電体線路を用いることで、テラヘルツ帯デバイスを低損失に導波管へ実装する技術を開発した。共鳴トンネルダイオードをフォトニック結晶導波路を介して実装したモジュールを作成し、無線通信をデモンストレーションした。
46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves
2021/8
Terahertz RTD Chip Backside-coupled to Photonic-crystal Waveguide
Ratmalgre Koala（大阪大学）
テラヘルツ帯共鳴トンネルダイオードとフォトニック結晶導波路の高効率・広帯域な結合構造の実現を目指し、新たに背面結合構造を提案し、300 GHz帯においてその動作を確認した。
46th International Conference on Infared, Millimeter and Terahertz Waves
2021/6
SiC wafer cost reduction with remote epitaxy technology through graphene
前川 拓滋
SiCパワーデバイス市場の拡大には、デバイスコストの大部分であるウェハ価格を下げる必要がある。 本講演では、リモートエピタキシー技術のSiC適用について報告する。 SiCエピは、1873 K前後の高温CVD成長が必要です。これは、グラフェンの生存にとって過酷な環境です。 キャリアガスを水素からアルゴンに置き換えることで、グラフェンのエッチングを抑制して、剥離に成功しました。 このアプローチは、リモートエピを使用した高品質で低コストな代替基板の製造に向けた重要なステップであると考えられます。
Epitaxy on 2D materials for layer release and their applications
2021/6
GaNリッジHEMTの形状に依存しないホール注入モデル
青木均（帝京平成大学）
GaN Ridge HEMTのコンパクトモデルについて、ゲートインジェクションによるドレイン電流増加について前回APEC2020で発表した内容を改良し、物理的な発生メカニズムを考察しスケーラブルなモデル式を導出した。さらに、AC動作させた場合の電流利得H21の周波数特性への影響を解析した。本モデル式により、ゲートインジェクションによる電流増加領域のH21特性が、実測と高精度に一致するようになった。
30th International Symposium on Industrial Electronics (ISIE2021)
2021/6
EV driving pattern simulation with PLECS
Ryosuke Ishido
システム回路シミュレーションソフトであるPLECSを用いて、モータインバータの簡単な走行モードシミュレーションを行った際の結果に関して報告する。
APEC2021
2021/6
OPEN
Metalens mounted on a resonant tunneling diode for collimated and directed terahertz waves
Takehito Suzuki（Tokyo University of Agriculture and Technology）
Optics Express, Volume: 29, Issue: 12, June.2021, pp. 18988-19000
2021/6
直接観察法によるPZT薄膜アクチュエータ振動板の変位計測
伊達 智洋
薄膜ＰＺＴアクチュエータに用いられるカンチレバー型振動板の動作を把握する事は、デバイス設計において重要な指標となる。今回、振動板の共振・非共振動作について、断面のリアルタイム観察を行う事で、変位の理論予想値との合致を確認でき、従来手法では得られなかった振動板動作に関する新たな情報の取得に成功した。
第38回強誘電体応用会議
2021/6
TLP Bonding process using In coated Cu sheet for high-temperature dieattach
Hiroshi Nishikawa（大阪大学）
低温反応型接合技術として、InをCu基板上にメッキした構造を接合材として使用。温度・圧力・プロセス条件を最適化することで、接合面を容易に形成できる技術を開発した。
ECTC
2021/5
Development of the Third-Generation Wireless In-wheel Motor
Osamu Shimizu（東京大学）
EVTeC 2021 5th International Electric Vehicle Technology Conference 2021
2021/5
A High-Speed and High-Accuracy SiC MOSFET Model for Simulating Practical Power Circuits
Yohei Nakamura
回路シミュレーション用のSIC MOSFETモデルを提案する。
誘導負荷スイッチング評価回路のスイッチング波形を測定し、提案モデルの精度を検証した。
また、三相インバータのシミュレーションを行い、モデルのシミュレーション速度を検証した。
精度、速度ともに非常に優れた結果が得られた。
PCIM2021
2021/4
Characterization of Mechanical Properties of Pb-2Sn-2.5Ag Solder Using Instrumented Indentation Microscopy with Optically Transparent Indenter
Kento Kariya
Pb-2Sn-2.5Ag合金はんだは、電子デバイス用のダイアタッチとして、最も利用されている材料である一方で、その力学特性に関してはほとんど報告されていない。そこで本研究では、透明圧子を搭載した顕微インデンテーションを用いてPb-2Sn-2.5Agはんだの粘弾塑性特性を測定した。
22nd International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems
2021/3
Study of the Microstructure and the Mechanical Properties of Pb-2.0Sn-2.5Ag Solder Joint
Kento Kariya
高鉛はんだは工業界で長年使用されてきたため、微細構造や機械的特性を論じた基礎的な研究はほとんど報告されていない。そこで本研究では、高鉛はんだ継手の微細構造と機械的特性との関係について検討した。
2021 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM
2021/3
フォトニック結晶レーザの広範囲温度動作
國師 渡
フォトニック結晶レーザの素子設計を改良することで、-40～100℃の温度範囲で、モードホップすることなくレーザ発振が得られることを確認。出力変動率は既製品FP-LDと同定が得られることも確認。
2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
2021/3
バレーフォトニック結晶導波路と金属線路の高効率結合に関する検討
山神 雄一郎（大阪大学）
テラヘルツ帯導波路として有望なバレーフォトニック結晶導波路に対して電子デバイスを集積化することを目指し、導波路と金属線路の高効率結合に関する検討を行った。
2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
2021/3
共鳴トンネルダイオードにおけるテラヘルツパルス誘起高調波発振
有川 敬（京都大学）
発振していない共鳴トンネルダイオードにテラヘルツパルスを照射することで発振が誘起されること、またその出力に高調波成分が含まれることを見出した。
2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
2021/3
共鳴トンネルダイオードを用いた無線通信応用と実用化に向けたパッケージ開発
西田 陽亮
300 GHz帯の共鳴トンネルダイオードを用いた高速無線通信と用途に応じたパッケージ開発について紹介する。
2021年電子情報通信学会 総合大会
2021/3
Prospects For Long-range Terahertz Imaging Techniques
易 利（大阪大学）
テラヘルツ波を用いた長距離(メートル級)イメージング技術について、関連するハードウェア、ソフトウェアにおける近年の進展および問題点を述べる。また、筆者らが行っている研究の一端を紹介する。
2021年電子情報通信学会 総合大会
2021/3
単一のRTD送受信器を用いた2次元イメージングシステム
水野 遼子（大阪大学）
単一の共鳴トンネルダイオードにおける送受信同時動作を利用したテラヘルツ帯イメージングシステムを提案し、実証した。
2021年電子情報通信学会 総合大会
2021/1
OPEN
Fumiya Nagasawa
Scientific Reports, Volume: 11, Issue: 1, Jan. 2021, pp. 1497
2021/1
OPEN
Power Conversion Efficiency Prioritized AC Filter Inductor Design for Three-Phase PWM Inverter
Hiroaki Matsumori (名古屋工業大学)
AIP Advances, Volume: 11, Issue: 015338, Jan. 2021, pp. 1-4
2021/1
Shunsuke Akasaka
Sensors and Actuators B: ChemicalVolume: 327 , Issue:1 , Jan.2021 , pp. 128932-128939
2020/12
Ageing Monitoring of GaN Transistores using Recurrent Neural Networks
Florian Chalvin
リカレントニューラルネットワークを使用して、時間の経過に伴うGaNトランジスタの劣化を追跡する方法の開発 。トランジスタの通常動作中に用意に得られる測定値から、動作が正常であるか、異常があるかを検出できます。この方法により、デバイスの状態をライブで監視できるようになります。
ISSM2020
2020/11
Imaging Applications with a Single Resonnant Tunneling Diode Transceiver at 300GHz Band
易 利 (大阪大学)
単一の共鳴トンネルダイオードにおいて、送信動作と受信動作が同時に可能であることを見出し、イメージング応用において実証した。素子数が削減できるため、システムの簡素化に寄与する。
2020 International Topical Meeting on Microwave Photonics
2020/11
Influences of Device Parameters Variability on Current Sharing of Parallel-Connected SiC MOSFETs
Yohei Nakamura
並列接続されたSiC MOSFET間の電流シェアに及ぼすデバイスパラメータ変化の影響を調べた。
本検討では、静的及び動的な電流シェアに影響を与える主なデバイスパラメータを明らかにした。
また、各デバイスの電流分布の不一致がエネルギー損失に及ぼす影響を評価した。
ATS2020 (Asian Test Symposium 2020)
2020/11
Pore Size and Shape Dependences on Quasi-Static Tensile Characteristics of Sintered Silver Films
Keisuke Wakamoto
銀焼成は空孔率が低い(4%)ことが機械強度を上げるために重要であることが分かっているが、空孔形状や、結晶状態がその材料強度にどのような影響があるか不明である。
本研究結果から、焼結後の結晶サイズ分布が狭いことで、空孔形状が真円形状に近づき、材料強度をあげることができることが分かった。
MNC2020
2020/10
マシンヘルスモニタリングシステムにおける、MEMS型加速度センサの自己診断
内貴 崇
マシンヘルスモニタリングアプリケーションシステムが連続稼働状態でありながら、搭載されている加速度センサの出力データを調べることにより、加速度センサ自体が機械的に劣化した状態にあるかを自己診断する方法。
第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム（電気学会センサ・マイクロマシン部門）
2020/9
Anisotropic temperature distribution causing the incremental saturated drain-current observed in the I-V characteristic of the SiC MOSFET
Shogo Ogawa
SiC-MOSFETの高電圧・大電流領域におけるId-Vd特性は、飽和せずに増加傾向を示す。TCADシミュレーションによる解析により、これは測定時の発熱を考慮することでよく説明できることが示された。
SSDM2020
2020/9
Zn-doped GaN Mesa Structure As a Gate for Normally-Off AlGaN/GaN-HFET
Norikazu Ito
ZｎドープGaN中に形成される不純物準位深さの評価より、ZnはGaN中で価電子帯上端から0.3eVに準位を形成し、アクセプタ不純物としてふるまうことを明らかにした。ZnドープGaNを用いて0.1μmのメサ形状を形成し、これをゲート層としたAlGaN/GaN HFETでノーマリーオフ動作を確認した。
SSDM2020
2020/9
Current-and-Voltage Hybrid Source Gate Driver for Maximizing the Switching Capability of SiC-MOSFETs
Ryosuke Ishido
SiCMOSFETの高速スイッチング特性を最大限生かすために、新たに開発したゲートドライバとその設計方法に関して紹介する。
WiPDA Asia 2020
2020/9
Miniaturized 48 V‒12 V insulation-type DC/DC converter miniaturized by using GaN transistors operating at 2-MHz switching frequency
Koki Sakamoto
スイッチング電源の小型化と高電力変換効率の両方を解決するために、低Qoss、低QgであるGaNトランジスタの採用が有用な選択肢であることを明らかにした。駆動周波数2MHz、100Wクラスの絶縁型48V-12V LLCコンバータを作製したところ、最大電力変換効率は95.3%に達した。
WiPDA Asia 2020
2020/9
Research Activities to Maximize the Capability of New Power Devices
Ken Nakahara
ロームの最新世代のSiC-MOSFETの基本特性を紹介し、現在量産中の世代のデバイスとの比較結果を披露する。一方、パワーデバイスの特性が良くなればパワー回路が改善すると思われがちであるが、事はそう簡単ではない。パワー回路そのものが改善するために実施した、アプリケーション研究、計算技術研究の結果を紹介する。
WiPDA Asia 2020
2020/9
The Influence of Mechanical Property on the Heat-Cycle Reliability of Sintered Silver Die Attach
Keisuke Wakamoto
銀焼成の疲労機械特性と、熱信頼性試験結果を比較し、評価した。銀焼成は常温下で、弾性領域で疲労試験を実施すると、500回程度で破壊する。実際、接合体を用いて-60℃-60℃の温度サイクル試験を実施すると、700サイクル後、接合劣化していた。一方、室温-150℃の温度帯では、接合劣化が200サイクルから進行していた。高温領域での機械特性が熱信頼性試験設計において重要であることを明らかにした。
IEEE ISPSD2020
2020/9
銀焼成接合体の劣化メカニズムの検討
熊切 悠雅（京都先端科学大学）
銀焼成を用いたモジュールの熱信頼性評価技術が求められている。
しかしながら、熱信頼性試験は、評価期間に約3ヵ月を有することから、開発スピードのボトルネックになっている。本発表では、機械負荷試験を用いた信頼性加速試験について発表している。銀焼成接合層部に、せん断応力を負荷できるセットアップにすることで、熱信頼性試験後の亀裂破壊を再現することに成功した。
日本機械学会2020年度年次大会
2020/9
銀焼成膜の準静的引張試験と疲労試験
上町 真梧（京都先端科学大学）
銀焼成を用いたモジュール化へ向けて、その機械特性を把握することが重要である。
本発表では、銀焼成と銀箔の引張機械特性を比較している。銀焼成は銀箔と比較すると、常温時に高強度であるが、疲労破壊しやすい材料であることが分かった。
日本機械学会2020年度年次大会
2020/9
銀焼成接合体の熱信頼性試験温度依存性について
若本 恵佑
高熱伝導・耐熱な接合が可能になる銀焼成材は将来接合着技術として期待される。この材料を用いたモジュール化には、熱信頼性試験をクリアする必要がある。本発表では、銀焼成の引張機械特性を取得し、あえて温度帯を低温側と高温側に分けて熱信頼性試験を実施した。結果から、高温側での機械特性が熱信頼性試験上、重要であることを明かした。
日本機械学会2020年度年次大会
2020/9
共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器のパルス収入同期ダイナミクス
有川 敬（京都大学）
第81回応用物理学会秋季学術講演会
2020/9
フォトニック結晶レーザ搭載型LiDARの開発
國師 渡
第81回応用物理学会秋季学術講演会
2020/9
ミリメートルスケールツイスト2層グラフェンにおけるフラットバンド
佐藤 京樹
Twisted bilayer graphene(TBG)は、ツイストの角度によってそのエネルギーバンド構造を制御することが可能との報告がある。その中でも、Magic angleと呼ばれるツイスト角が1.1°付近では超電導特性を示すことが報告されている。本研究では、SiC熱分解法により作成したエピタキシャルグラフェンを転写することで、大面積TBG試料を作成することに成功した。
応用物理学会
2020/9
SiC(000-1)面上多層グラフェンの回転角制御
乗松 航
SiC(000-1)面上グラフェンにおいて、C面上グラフェンの回転角における制御する手法はなく、本研究ではC面上グラフェン角における回転角制御を目指す。
応用物理学会
2020/9
OPEN
長期安定な高温Ptマイクロヒーターの開発
Yurina Amamoto
第81回応用物理学会秋季学術講演会
2020/9
Development of practical terahertz package for resonant tunneling diode oscillators and detectors
鶴田 一魁
テラヘルツデバイス向けに、汎用的なPLCCパッケージと高利得アンテナを集積化させた小型パッケージを世界で初めて開発した。機能的で量産化が期待できる高周波パッケージ形態として有望である。
IEEE RFIT2020
2020/9
OPEN
Temperature Dependence on Tensile Mechanical Properties of Sintered Silver Film
Keisuke Wakamoto
MaterialsVolume: 13 , Issue:4061 , Sep.2020
2020/9
OPEN
Formation of quantum dots in GaN/AlGaN FETs
Tomohiro Otsuka (東北大学)
scientific reportsVolume: 10 , Issue:1 , Sep.2020 , pp. 15421
2020/8
OPEN
Naoaki Tsurumi
The Journal of AdhesionVolume: 0 , Issue:0 , Aug. 2020 , pp. 1-25
2020/7
OPEN
Yohei Nakamura
IEEE Transactions on Power Electronics, Volume: 35, Issue: 3, Jul.2020, pp. 2950 - 2958
2020/5
OPEN
Junichi Kashiwagi
IEEE Access, Volume:8, Issue:28,May 2020, pp.101915-101922
2020/4
OPEN
Taketoshi Tanaka
IEICE Transactions on Electronics
Volume: E103.C , Issue: 4 , Apr. 2020 , pp. 186-190
2020/3
Semi-Theoretical Prediction of Turn-off Surge Voltage in a SiC MOSFET Power Module with an Embedded DC-link Decoupling Capacitor
宮﨑 達也
SiCパワーモジュールの高速スイッチングに伴う電圧サージを抑制するため、モジュールにDCリンクコンデンサを内蔵することが有効であるが、その効果を定量的に予測した例はない。本研究では、DCリンクコンデンサ内蔵SiCパワーモジュールのターンオフ電圧サージを回路方程式に基づいて理論的に予測し、実測とよく一致することを確認した。
APEC2020
2020/3
フォトニック結晶レーザにおける M ² に与える反射 DBR 層の周期数の影響
國師 渡
フォトニック結晶LDに置いて、裏面DBR層の周期数を増やす(反射率を大きくする)ことでビーム品質の改善が得られることを見出した。DBR層を透過した光が不要な乱反射を招き、ビーム品質を低下させる可能性があり、それを抑制した結果であると考えられる。
第67回応用物理学会春季学術講演会
2020/3
スイッチング素子のモデリングおよび電力変換器のシミュレーションとその動向
大河内 裕太
ワイドバンドギャップ半導体デバイスのモデリング手法とその適用事例，さらに電力変換器の高周波化に伴うスイッチング素子周辺のモデリング手法について最新動向を紹介する。
令和2年電気学会全国大会
2020/3
熱信頼性における銀シンター接合膜厚の影響
畑野 舞子
第34回 エレクトロニクス実装学会講演大会
2020/3
銀焼成機械特性が熱信頼性寿命へ与える影響について
若本 恵佑
銀焼成の引張疲労機械特性を常温領域で取得し、ストレスと、破断寿命の関係を得た。さらに銀焼成材を用いた接合体を-60℃から60℃の範囲で温度サイクル試験を実施した。超音波探傷像によって接合評価すると700サイクル後も接合劣化しておらず、引張疲労機械特性の結果と相関がとれていることを確認した。
第34回 エレクトロニクス実装学会講演大会
2020/2
OPEN
Yohei Nakamura
IEEE Electron Device Letters
Volume: 41, Issue: 4 , Apr. 2020 , pp. 581 - 584
2019/11
Dynamic On-State Resistance Measurement of GaN-HEMT by Double Pulse Test
Ryosuke Ishido
Demonstrate the dynamic on-state resistance of GaN-HEMT and estimate inpact of loss of devices.
ICMass2019
2019/11
Modeling of SiC UMOS chip and its application to Power Module
Hiroyuki Sakairi
SiC DMOSで培ったデバイスモデリング手法をSiC UMOSへ適用することにより、モデリング手法の汎用性を検証した。SiC UMOSのチップを使用したパワーモジュールのスイッチング波形を実測とシミュレーションで比較することでモデルの評価を行った。
結果として、DMOSの時と同様に高精度に実測を再現したシミュレーション波形を得ることができた。
International Conference on Materials and Systems for Sustainability
2019/10
Mechanical Property of Nano Porous Sintered Silver: Toward Reliability Estimation
若本 恵佑
銀焼成の疲労機械特性を取得することが、システムの信頼性を理解する上で重要である。 今回我々は多孔質銀焼成の薄膜試験片(空孔率:5%)と銀膜の疲労試験を実施した。銀焼成膜の疲労寿命は銀箔の疲労寿命よりも短くなった。
Material Science Conference 2019
2019/10
OPEN
Dry and wet etching for β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with mesa termination
Hironori Okumura (筑波大学)
Japanese Journal of Applied Physics, Volume: 58, Number: 12, pp.120902
2019/10
A gate Driver Maximizing the Switching Capability of SiC MOSFETs
Yusuke Nakakohara
This study report that high speed switching gate drive circuit for SiC MOSFETs. The provided gate drive circuit adapted subsidery capacitor in order to add gate voltage, enables increase gate current. This allows fast charge and discharge and reduced switching losses. This study confirmed that the provided gate drive circuit reduce switching loss compared to conventional one.
ICSCRM2019
2019/9
Dynamic Measurement Method to Extract High Voltage and High Current I-V Characteristics of SiC MOSFET with Reduced Self Heating
Yohei Nakamura
A novel measurement method to extract high voltage and high current I-V characteristics (HVHC I-V)of SiC MOSFET is proposed in this paper. The method could extract the HVHC I-V with extremely reduced self heating of the device. By using the method, we can measure higher voltage and current I-V characteristics than those extracted by the conventional method. It is possible for us to measure the HVHC I-V of the next generation SiC MOSFET, whose rated volatge and current is more than those of the conventional device.
ICSCRM2019
2019/9
Switching behavior based method to estimate the intrinsic gate resistance of a transistor by using gate plateau voltage
Tatsuya Yanagi
The internal gate resistance of SiC MOSFET effects its switching behavior larger than Si devices because it can switch at high speed with low external gate resistance. However, the convention mesurement method of internal gate resistance is not accurate. Then, we devised the new measurement method of it at switching operation by the switching waveforms.
ECCE2019
2019/9
多孔質焼成銀薄膜の引張疲労機械特性について
若本 恵佑
銀焼成は、空孔率がその引張り機械特性に影響することがわかっている。ところが、銀焼成の疲労機械特性について未だ不明である。今回我々は多孔質銀焼成の薄膜試験片と銀膜の疲労試験を実施した。銀焼成膜は、高加圧条件(60MPa)で成膜し、空孔率は5％であった。疲労試験結果から、焼成膜の引張疲労強度は銀膜と比較して低下しやすいことが分かった。
日本機械学会
2019/7
Ultrahigh temperature platinum microheater encapsulated by reduced-TiO₂ barrier layer
Shunsuke Akasaka
"Sensors and Actuators A: Physical
Volume: 296 , Issue: 1 , Sep. 2019 , pp. 286-291"
2019/6
導電性接着剤を用いたダイボンディング構造における接着界面の研究
鶴見 直明
第57回日本接着学会年次大会
2019/6
PZT薄膜のドライエッチング中に起こる形態変化 に関する考察
伊達 智洋
ロームの高度な分析・解析技術により、PZT薄膜のドライエッチング中に起こる形態変化がPZTの結晶方位が変動する現象に起因することを突き止めた。
第36回強誘電体応用会議(FMA)
2019/5
ワイドギャップ半導体デバイスを"活かす"ための技術開発
中原 健
SiC,GaNのパワーデバイスを開発するだけでなく、それらを使いこなすための技術も伴わないと社会貢献することはできない。本講演では、アプリケーションの実例、それを支える設計技術、ノイズの予測について紹介する
先端パワー半導体分科会第14回研究会
2019/5
Measurement scheme to model an SiC MOSFET for simulating its switching behaviors
Tatsuya Yanagi
The precise modeling of SiC MOSFETs are difficult by means of conventional modeling method of Si devices because of the device characteristics. Then, we invented the new modeling method for SiC MOSFETs which can reproduce its switching behavior precisely.
PCIM2017
2019/5
OPEN
Tensile mechanical propertiees of sintered porous silver films and their dependence on porosity
Keisuke Wakamoto
Japanese Journal of Applied Physics Volume: 58 , Number SD , Jun. 2019 , SDDL08-1-5
2019/4
Terahertz fibre transmission link using resonant tunnelling diodes integrated with photonic-crystal waveguides
Xiongbin Yu (大阪大学)
Electronics Letters Volume: 55 , Issue: 7 , Apr. 2019 , pp. 398-400
2019/3
Thermal Warpage Behavior Analysis of Semiconductor Package of Semiconductor Packaging Structure
Kento Kariya
20th Annual International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics
Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE2019)
2019/3
A High Efficiency 3-Phase 400V 15kW Power Inverter Using SiC MOSFETs and Trans-Linked Topology
Tatsuya Miyazaki
A 3-phase15kW using SiC MOSFETs and trans-linked topology achieved maximum efficiency of 99.2%, and verified the benefit of combining SiC MOSFET with trans-linked technology.
APEC2019
2019/3
デバイスから見たIoTアプリケーションとエナジーハーベスティングの可能性について
奥 良彰
IoT社会では、モノやヒトの状態や変化をセンシングして得られるデータを収集し、生産性や環境の改善、安全や安心の向上、セキュリティの強化等のアプリケーションで活用している。本講演では、デバイスにフォーカスし、IoTアプリケーション事例を述べ、将来技術としてのエネルギーハーベスティングについても述べた。
2019年電子情報通信学会総合大会
2019/3
キャパシタを用いたSiC-MOSFET用高速ゲート駆動回路
中小原 佑輔
SiC-MOSFETを高速に駆動できるゲート駆動回路についての報告。本ゲート駆動回路は補助キャパシタを用いており、この補助キャパシタを介してゲートに通常よりも高い電圧を印加することができ、ゲート電流を増加させることができる。これにより高速にゲートを充放電し、スイッチング損失を低減できる。実測でもこの効果を確認し、本回路の優位性を実証した。
平成31年電気学会全国大会
2019/3
インダクタを用いたSiC-MOSFET用ハイブリッド形ゲート駆動回路の実機検証
大河内 裕太
電流形と電圧形を組み合わせたSiC-MOSFET用ハイブリッド形ゲート駆動回路の実機実験により、ターンオン損失が50%、ターンオフ損失が35%低減できることを実証した。
平成31年電気学会全国大会
2019/1
OPEN
Yongpan Liu (清華大学)
IEEE Journal of Solid-State Circuits Volume: 54 , Issue: 3 , Mar. 2019 , pp. 885-895
2018/11
A Study of Adhesion Interface about Die Bonding Structure with Conductive Silver Paste
Naoaki Tsurumi
IEEE CPMT Symposium Japan 2018
2018/11
Influence of porosity on Tensile Mechanical Properties of Sintered Porous Silver Films
Keisuke Wakamoto
This paper investigates the porosity-dependent tensile mechanical properties of porous 8-10 μm thick silver films. The silver films are fabricated by pressure press, the variety of which changes the porosity (p) ranging 5% to 25%. p is determined by use of scanning electron microscopy cross-section images of the films. Stress-strain (S-S) curves are obtained by tensile tests performed for the porous and bulk silver films.Breaking strain and Ultimate tensile strengh decrease almost linearly with increase of p.
MNC 2018, 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference
2018/11
ワイドギャップ半導体デバイスの特長を活かすためのアプリケーション研究
中原 健
SiC,GaNのパワーデバイスを開発するだけでなく、それらを使いこなすための技術も伴わないと社会貢献することはできない。本講演では、アプリケーションの実例、それを支える設計技術について紹介する
先端パワー半導体分科会第5回講演会
2018/11
Development of Resonant Tunneling Diodes for Terahertz Applications
Jaeyoung Kim
Workshop: Introduced RTD devices for THz communication and sensing. With comparison with other terahertz device, RTDs are compact and power-efficient.
APMC2018
2018/9
多孔質銀焼成薄膜の引張機械特性について
若本 恵佑
接合層の機械特性を取得することが、信頼性システムを設計する上で非常に重要な要因となる。次世代接合材として注目される銀焼成は多孔質体でその機械特性が不明であった。今回我々は多孔質銀焼成の薄膜試験片と銀膜を用意した。また銀焼成膜は、加圧力を変化させて作成している。引張試験結果から、銀焼成は銀膜と異なって伸びずに破壊し、高加圧力条件で高強度を示した。
日本機械学会
2018/9
OPEN
Hiroyuki Sakairi
IEEE Transactions on Power ElectronicsVolume: 33 , Issue:9 , Sep.2018 , pp. 7314-7325
2018/8
Application of PZT thin film devices to realize IoT society
Yoshiaki Oku
A number of IoT applications are rapidly growing. Among others, smart factory, smart infrastructure and digital medicine/health are major IoT markets. ROHM also succeeded in demonstration of healthcare monitoring utilizing non-volatile PZT devices. The essentials for IoT society and ROHM’s device applications of PZT thin film were described.
The 12th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics (JKC-FE12)
2018/6
A Small Signal AC Model Using Scalable Drain Current Equations of AlGaN/GaN MIS Enhancement HEMT
Hitoshi Aoki (帝京平成大)
ソースフィールドプレート構造を有するMIS構造のGaN-HEMTのスケーラブルなドレイン電流モデルと小信号ACモデルの開発を行った。実測のId-Vds特性、Id-Vgs特性、S11特性、H21特性と比較したところ、実測を再現できた。
RF-IC2018
2018/6
A Trans-Linked 5-kW Inverter Using SiC MOSFETs to Achieve Fan-less Operation
Tatsuya Miyazaki
A trans-linked 5kW interleaved inverter using SiC MOSFETs drastically reduced both tansistor loss and reactor losses, resulting in high efficiency over 99% and fanless operation.
PCIM2018
2018/6
Electro-Thermal Simulation for Predicting the Temperature of SiC Dies in the Power Module of a High Frequency Operating Power Converter
Yohei Nakamura
The accurate electro-thermal simulation is presented by using a new SiC die model to predict the power loss and temperature of SiC MOSFET dies in a power module. The new model incorporates a temperature dependent I-V model and body diode model which is dependent on the gate-voltage. The simulation using the model yields an accurate power loss and temperature estimate of the SiC module in a buck converter.
PCIM2018
2018/6
S-parameter Based Simulation Modeling a Power Module Independent of Measurement Data
Junichi Kashiwagi
S-parameter based simulation model for power module (PM) except for the semiconductor chips was created with electromagnetic simulation. This PM model was combined with the chip model in order to build the model of the whole structure. As a result of verifying the model by the double pulse test, the simulation waveforms which reproduce the measurement results well were obtained.
PCIM2018
2018/5
A Newly Developed high performance PZT thin films by using sputtering and sol-gel hybrid method for Piezo-MEMS device
Tomohiro Date
We have proposed a new hybrid structure of the PZT film which we made by sol-gel method of construction on the PbTiO3 seed layer made by rf magnetron sputtering. These hybrid PZT films showed high (100)/(001) orientation and had high breakdown voltage.
2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP2018)
2018/5
Application of PZT thin film devices to realize IoT society
Yoshiaki Oku
ROHM has developed PZT thin film devices, such as non-volatile ferroelectric memory, highly-sensitive sensors, highly-accurate actuators, high-speed space light modulators and ultra-low-power-consumption non-volatile flip-flop devices so far. ROHM also succeeded in demonstration of healthcare monitoring utilizing non-volatile PZT devices (memory and logic). In this presentation, ROHM’s device applications of PZT thin film were described.
2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP2018)
2018/5
OPEN
Hysteretic Control Embedded Boost Converter Operating at 25-MHz Switching
Junichi Kashiwagi
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs Volume: 66 , Issue: 1 , Jan. 2019 , pp. 101-105
2018/5
External Feedback Effect in Terahertz Resonant Tunneling Diode Oscillators
Luong Duy Manh (大阪大学)
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology Volume: 8 , Issue: 4 , Jul. 2018 , pp. 455-464
2018/3
SiC-MOSFET用電流電圧ハイブリッド形高速ゲート駆動回路の基礎検討
Yuta Okawauchi
電流形と電圧形を組み合わせたSiC-MOSFET用ハイブリッド形ゲート駆動回路を提案し、シミュレーションにてゲート電圧の安定性とスイッチング損失の低減ができることを確認した。
平成30年電気学会全国大会
2018/3
Circuit Simulation of a Silicon-Carbide MOSFET Considering the Effect of the Parasitic Elements on Circuit Boards by Using S-parameters
Tatsuya Yanagi
The high speed switching of SiC MOSFET is affected by the parasitic elements of circuit board. Therefore, we analyzed the impact of stray capacitance in circuit board on the switching behavior and tried circuit simulation of the effect by use of precise model and electromagnetic simulation results of circuit board.
APEC2018
2018/3
OPEN
Tatsuya Miyazaki
IEEE Transactions on Industrial Electronics Volume: 65 , Issue: 12 , Dec. 2018 , pp. 9429-9437
2017/9
OPEN
Resonant Tunneling Diodes for THz Applications
Jaeyoung Kim
Present the recent advance of RTD-based terahertz devices. Based on a well-defined equivalent circuit model, circuits like mixer, detector, and oscillators have been integrated.
ALT 2017
2017/8
高Pb含有はんだ/Cuフレーム界面における金属間化合物形成とその抑制
前川 拓滋
エレクトロニクス実装学会 MES2017
2017/8
PZT薄膜のデバイス応用
奥 良彰
IoT社会におけるPZTデバイスの位置付けについて述べ、ロームのPZTデバイス技術（メモリからセンサ/アクチュエータ）を概観した。最近の取組み事例として、「不揮発ロジックデバイス」と「ピエゾMEMSデバイス」を紹介した。
日本ゾル-ゲル学会第15回討論会
2017/8
OPEN
Seigo Mori
IEEE Transactions on Electron Devices Volume: 64 , Issue: 10 , Oct. 2017 , pp. 4167-4174
2017/5
800 V Three-Phase LLC Series Resonant DC/DC Converter Using SiC MOSFETs
Yusuke Nakakohara
This study report that a three-phase, 5-kW LLC series resonant dc/dc converter utilizing SiC MOSFETs. The high-break down voltage of SiC MOSFETs, enables increasing the input voltage up to 800 V. Around 160kHz switchig frequency successfully reduces the volume of isolation transformers. Current-balancing transformers among each phases effectively suppress a peak current from arising in the circuit and contributed that miniaturizes the input and output capacitances. The proposed power supply weighs 1.55 kg with dimensions including a width of 18 cm, a length of 12 cm, and a height of 12.5cm. The conversion efficiency of the converter reaches 98.1% at 5-kW operation.
PCIM Europe 2017
2017/5
Terahertz Sensor Using Photonic Crystal Cavity and Resonant Tunneling Diodes
Kazuma Okamoto (大阪大学)
Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, Volume: 38, Issue: 9, May.2017, pp. 1085-1097
2017/4
OPEN
Taketoshi Tanaka
physica status solidi (a) Volume: 214, Issue: 8 , Aug. 2017
2016/9
Thermoelectric enhancement in the two-dimensional electron gas of AlGaN/GaN heterostructures
Kazuya Nagase
14th European Conference on Thermoelectrics
2016/9
IoT社会に向けたMEMSセンサの開発
奥 良彰
本講演では、IoTにおけるセンサの重要性を示し、MEMSセンサ、及びIoT/ワイヤレスセンサネットワークについて述べ、更にはアプリケーション開拓に向けた検証としてのセンサソリューションについても述べた。
2016年電子情報通信学会ソサイエティ大会シンポジウム
2016/9
上面駆動型誘電エラストマーアクチュエータの駆動評価
田中 良宜
第34回日本ロボット学会学術講演会
2016/9
シリコンテクノロジーを用いたパワーインダクタに対する磁性コア材料の影響
鶴見 直明
平成28年電気学会基礎・材料・共通部門大会
2016/8
Modeling and simulation of terahertz resonant tunneling diode based circuits
Sebasitian Diebold (大阪大学)
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology Volume: 6 , Issue: 5 , Sep. 2016 , pp. 716-723
2016/8
Terahertzsensing based on photonic crystal cavity and resonant tunneling diode”,Progress in Electromagnetics Research Symposium
Kazuisao Tsuruda
Progress In Electromagnetics Research Symposium 2016 China
PIERS 2016 China
2016/5
高電圧･大電流領域のスイッチング特性を再現するSiC-FETチップモデル
坂入 寛之
これまで、SiCデバイスモデルを用いた回路シミュレーションは過渡特性が合わなかった。SiCを使用する上で問題になるEMCを考慮するためには過渡特性の再現が必要になる。そこで、過渡特性を合わせるために必要な高電圧・大電流領域の電流-電圧特性とデバイスON時の容量を計測する技術を開発し、その特性を考慮したSiCデバイスモデルを作成した。その結果、SiCデバイスの過渡特性を高精度に再現することに成功した
第29回回路とシステムのワークショップ
2016/4
IoTに向けたセンサ、センサネットワークからヘルスケアまで
奥 良彰
IoT世界においては、トリリオンセンサに代表されるように大量のセンサがネットワークでつながり、暮らしの省エネから快適性・安全性を高めていく。本講演では、各種センサとセンサネットワークへの取り組み、ヘルスケアに必要な常時モニタリングについて紹介した。
日本学術振興会第166委員会研究会
2016/1
Shunsuke Akasaka
Sensors and Actuators B: Chemical
Volume: 236 , Issue: 29,June 2016 , pp. 499-505
2015/12
Demonstration of a robot finger using dielectric elastomer actuator
Yoshinori Tanaka
第25回日本MRS年次大会
2015/12
Self-Sustained Oscillation in Half Bridge Circuit of Silicon Carbide Devices with Inductive Load
Tatsuya Yanagi
The self-sustained oscillations are sometimes obserbed when SiC MOSFETs switch at high speed in the half bridge configuration. The oscillation is regard as nonlinear self-excited oscillation as a result of its device characteristics. We tried to analyze it from the aspects of device characteristics of MOSFET and trajectory of the oscillation in the I-V plane.
NOLTA2015
2015/12
Millimeter-wave and terahertz-wave applications enabled by photonics
Prof. Tadao Nagatsuma (大阪大学)
IEEE Journal of Quantum Electronics Volume: 52 , Issue: 1 , Jan. 2016
2015/12
OPEN
Extremely low-loss terahertz waveguide based on silicon photonic-crystal slab
Kazuisao Tsuruda
Optics Express Volume: 23 , Issue: 25, 2015 , pp. 31977-31990
2015/11
シリコンテクノロジーを用いたパワーインダクタの設計とインテグレーション
澤井 泰（発表：鶴見 直明）
電気学会マグネティックス研究会
2015/11
OPEN
Yusuke Nakakohara
IEEE Transactions on Industrial Electronics Volume: 63 , Issue: 4 , Apr. 2016 , pp. 2103-2110
2015/7
Terahertz-wave integrated circuits based on photonic crystals
Kazuisao Tsuruda
Progress In Electromagnetics Research Symposium 2015 Czech