研究公募のご案内 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
TOP（募集要項）- 研究公募 2015
ローム株式会社では半導体に関する技術の更なる活性化と発展を目的として、大学や高等専門学校、公的研究機関に所属する若手研究者を対象にした2019年度研究公募制度の募集を開始します。
公募内容
対象者
大学・高等専門学校および公的研究機関において、科学技術研究に従事している個人の若手研究者もしくはグループとします。
研究費・件数
1件あたり200万円(税別)を上限とし、合計10件程度 (研究費は内容に応じて決定させていただきます)。
研究期間
2019年4月開始で、1、2年以内といたします。
選考
- 応募内容をもとに、書面による一次審査を行います。
- 一次審査を通過したテーマについて、書類選考の上、最終審査を実施させていただきます。
選考結果は2019年3月末までに、すべての応募者に通知いたします。
採択後の条件等
- 研究実施形態は、ローム株式会社との共同研究又はローム株式会社からの委託研究とさせていただきます。
- 研究契約を結んでいただきますが、契約書案はローム株式会社が様式(雛形)をご用意いたします。
- 研究契約は、ご希望の研究期間に関わらず単年度契約とし、1年目末時点の状況により1年延長を判断させていただきます。
採択テーマの中から研究内容に応じて、研究費の増額や期間の延長等を含む発展共同研究とさせていただく制度も準備しております。
- 中間期と年度末に研究報告書作成、研究期間終了後の研究報告会へのご協力をお願いいたします。
応募要項
応募用紙を下記の「応募用紙」ボタンからダウンロードいただき、必要事項をご記入の上、Wordファイルを電子メールにて添付、ご送付をお願いいたします。
注意
応募用紙にご記入いただく内容は、オープンになっている情報でお願いいたします。
なお補足資料として、応募技術に関連する論文3から5通、研究室の能力を示す論文2、3通も送付していただけますと幸いです。
応募内容は本研究公募の実施者選定のためにのみ用い、ローム株式会社が個人情報保護規定等に基づき管理・保管いたします。
応募者や採択者、テーマの公表は行いません。
また採択決定後研究契約交渉を速やかに開始できますよう、差し支えなければローム株式会社からご所属の研究機関様への提出が必要とされる「共同研究申請書」様式をご送付いただけますと幸いです。採択決定時その旨通知いたしますとともに、ローム株式会社にて必要事項を記入した「共同研究申請書(案)」とあわせて、ローム株式会社様式の「共同研究(委託研究)契約書(案)」を送付いたします。
応募締切
2019年2月20日(水) 15時必着
お問い合わせ先およびご提出先
ローム株式会社 研究公募事務局 担当：前田 利久
メールアドレス: frd_adm@rohm.co.jp
対象分野
-
1. 光エレクトロニクス・フォトニクス研究分野
- 1-1.光の発生・受光機能、光と物質の相互作用、熱輻射の利用等で構成される、社会的付加価値を創造できる技術
- 1-2.上述の課題の設計に効果を発揮する計算・シミュレーション技術、および故障解析技術
関連するキーワード
レーザー、光共振器、光センシング、LiDAR、光加工、放熱、結晶成長、微細加工、光学設計、精密計測、分光分析、生体検査、表面プラズモン、フォトニック結晶、テラヘルツ波、ミリ波、紫外線、赤外線、光材料、量子効果、単一光子、非線形光学効果、超短パルス、熱輻射
-
2. パワーエレクトロニクス研究分野
- 2-1.パワーエレクトロニクス回路に有用な受動素子（キャパシタ、インダクタ）
- 2-2.パワーエレクトロニクス回路動作へのAI活用
関連するキーワード
磁性材料、誘電材料、新規素子構造、機械学習、新規回路トポロジー
-
3. 実装研究分野
- 3-1.異種材料接合の物理の探求
- 3-1-1. 次世代ワイヤボンディング材の接合技術の研究
- 3-1-2. 樹脂と金属間の接合メカニズムの研究
- 3-2.検証技術の開発
- 3-2-1. 第一原理計算・分子動力学法を活用した接合原理の研究
- 3-2-2. 接合部の信頼性・劣化試験の機械学習を含む新規解析による短時間化の研究
- 3-3.新規接合技術の開発
- 3-3-1. 常温接合技術の研究開発
- 3-3-2. 3次元実装技術の研究開発
- 3-3-3. 各種界面へのナノインターロッキング技術の研究
関連するキーワード
接合技術、表面処理、異種金属接合、金属樹脂接合、新規接合材料、CAE、分子動力学法(MD法)
-
4. MEMS研究分野
- 4-1.
環境・生体・位置・動作等の変化や状態を高精度に検出できる技術、あるいはそれにより社会的付加価値を創造できる技術
- 4-2.各種センサおよびアクチュエータの普及によるセンサネットワーク拡大に貢献する技術
- 4-3.高品質化技術、新規プロセス技術、MEMS加工と特性のあわせ込みのためのシミュレーション技術、故障解析技術
関連するキーワード
気圧センサ、圧力センサ、磁気デバイス、ガスセンサ(VCO/匂い/二酸化炭素/酸素)、温度センサ、湿度センサ、加速度センサ、
角速度(ジャイロ)センサ、高信頼性センサ、ピエゾMEMSデバイス、セラミックデバイス、MEMS加工・パッケージング、バイオミメティクス
-
5. LSI研究分野
- 5-1.次世代不揮発メモリ技術
- 新規アーキテクチャおよび、省面積化・高速化・高信頼性に貢献する技術
- 5-2.電源技術
- EMI関連技術、非絶縁ソフトスイッチング技術
- 5-3.LSIレイアウト技術
- レイアウト自動化
- 5-4.T-CADデバイス設計
- 高耐圧DMOSデバイス設計技術、高信頼性DMOSデバイス設計技術
- 5-5.デバイス保護技術
- システムレベルのEOS・IO保護技術
- 5-6.IoT向け超低電力高効率暗号符号化に関する研究
- 5-7.絶縁型電力伝送系における高効率通信方式に関する技術
- 5-8.小規模HWで実現する、AIを用いたモータ制御に関する技術（非線形補償/周期外乱制御/故障診断）
- 5-9.ハードウェアセキュリティーに関する技術（暗号アルゴリズム実装技術、耐タンパ技術）
関連するキーワード
超低電圧動作、超低電力、超低電圧状態保持、アダプティブパワーマネジメント、不揮発メモリ、T-CAD、高耐圧DMOS、高信頼性DMOS、NBTI、エージングモデル、超高効率DC/DCコンバータ、高絶縁、高耐圧、自動レイアウト、EMI、ソフトスイッチング、暗号、符号化、AI、セキュリティー、耐タンパ、ESDとEOS
-
6. 新領域分野
- １から５の分野には含まれないロームとしての新領域の研究
関連するキーワード
超小型電池、フォノニック結晶材料、加工用大出力レーザー・光学技術、シリコンフォトニクス、スピントロニクス、次世代半導体材料、AIアルゴリスム技術・AI応用技術
対象者
大学・高等専門学校および公的研究機関において、科学技術研究に従事している個人の若手研究者もしくはグループとします。
研究費・件数
1件あたり200万円(税別)を上限とし、合計10件程度 (研究費は内容に応じて決定させていただきます)。
研究期間
2019年4月開始で、1、2年以内といたします。
選考
- 応募内容をもとに、書面による一次審査を行います。
- 一次審査を通過したテーマについて、書類選考の上、最終審査を実施させていただきます。
選考結果は2019年3月末までに、すべての応募者に通知いたします。
採択後の条件等
- 研究実施形態は、ローム株式会社との共同研究又はローム株式会社からの委託研究とさせていただきます。
- 研究契約を結んでいただきますが、契約書案はローム株式会社が様式(雛形)をご用意いたします。
- 研究契約は、ご希望の研究期間に関わらず単年度契約とし、1年目末時点の状況により1年延長を判断させていただきます。
採択テーマの中から研究内容に応じて、研究費の増額や期間の延長等を含む発展共同研究とさせていただく制度も準備しております。 - 中間期と年度末に研究報告書作成、研究期間終了後の研究報告会へのご協力をお願いいたします。
応募要項
応募用紙を下記の「応募用紙」ボタンからダウンロードいただき、必要事項をご記入の上、Wordファイルを電子メールにて添付、ご送付をお願いいたします。
注意
応募用紙にご記入いただく内容は、オープンになっている情報でお願いいたします。
なお補足資料として、応募技術に関連する論文3から5通、研究室の能力を示す論文2、3通も送付していただけますと幸いです。
応募内容は本研究公募の実施者選定のためにのみ用い、ローム株式会社が個人情報保護規定等に基づき管理・保管いたします。
応募者や採択者、テーマの公表は行いません。
また採択決定後研究契約交渉を速やかに開始できますよう、差し支えなければローム株式会社からご所属の研究機関様への提出が必要とされる「共同研究申請書」様式をご送付いただけますと幸いです。採択決定時その旨通知いたしますとともに、ローム株式会社にて必要事項を記入した「共同研究申請書(案)」とあわせて、ローム株式会社様式の「共同研究(委託研究)契約書(案)」を送付いたします。
応募締切
2019年2月20日(水) 15時必着
お問い合わせ先およびご提出先
ローム株式会社 研究公募事務局 担当：前田 利久
メールアドレス: frd_adm@rohm.co.jp
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1. 光エレクトロニクス・フォトニクス研究分野
- 1-1.光の発生・受光機能、光と物質の相互作用、熱輻射の利用等で構成される、社会的付加価値を創造できる技術
- 1-2.上述の課題の設計に効果を発揮する計算・シミュレーション技術、および故障解析技術
関連するキーワード
レーザー、光共振器、光センシング、LiDAR、光加工、放熱、結晶成長、微細加工、光学設計、精密計測、分光分析、生体検査、表面プラズモン、フォトニック結晶、テラヘルツ波、ミリ波、紫外線、赤外線、光材料、量子効果、単一光子、非線形光学効果、超短パルス、熱輻射
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2. パワーエレクトロニクス研究分野
- 2-1.パワーエレクトロニクス回路に有用な受動素子（キャパシタ、インダクタ）
- 2-2.パワーエレクトロニクス回路動作へのAI活用
関連するキーワード
磁性材料、誘電材料、新規素子構造、機械学習、新規回路トポロジー
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3. 実装研究分野
- 3-1.異種材料接合の物理の探求
- 3-1-1. 次世代ワイヤボンディング材の接合技術の研究
- 3-1-2. 樹脂と金属間の接合メカニズムの研究
- 3-2.検証技術の開発
- 3-2-1. 第一原理計算・分子動力学法を活用した接合原理の研究
- 3-2-2. 接合部の信頼性・劣化試験の機械学習を含む新規解析による短時間化の研究
- 3-3.新規接合技術の開発
- 3-3-1. 常温接合技術の研究開発
- 3-3-2. 3次元実装技術の研究開発
- 3-3-3. 各種界面へのナノインターロッキング技術の研究
関連するキーワード
接合技術、表面処理、異種金属接合、金属樹脂接合、新規接合材料、CAE、分子動力学法(MD法)
- 3-1.異種材料接合の物理の探求
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4. MEMS研究分野
- 4-1. 環境・生体・位置・動作等の変化や状態を高精度に検出できる技術、あるいはそれにより社会的付加価値を創造できる技術
- 4-2.各種センサおよびアクチュエータの普及によるセンサネットワーク拡大に貢献する技術
- 4-3.高品質化技術、新規プロセス技術、MEMS加工と特性のあわせ込みのためのシミュレーション技術、故障解析技術
関連するキーワード
気圧センサ、圧力センサ、磁気デバイス、ガスセンサ(VCO/匂い/二酸化炭素/酸素)、温度センサ、湿度センサ、加速度センサ、 角速度(ジャイロ)センサ、高信頼性センサ、ピエゾMEMSデバイス、セラミックデバイス、MEMS加工・パッケージング、バイオミメティクス
-
5. LSI研究分野
- 5-1.次世代不揮発メモリ技術
- 新規アーキテクチャおよび、省面積化・高速化・高信頼性に貢献する技術
- 5-2.電源技術
- EMI関連技術、非絶縁ソフトスイッチング技術
- 5-3.LSIレイアウト技術
- レイアウト自動化
- 5-4.T-CADデバイス設計
- 高耐圧DMOSデバイス設計技術、高信頼性DMOSデバイス設計技術
- 5-5.デバイス保護技術
- システムレベルのEOS・IO保護技術
- 5-6.IoT向け超低電力高効率暗号符号化に関する研究
- 5-7.絶縁型電力伝送系における高効率通信方式に関する技術
- 5-8.小規模HWで実現する、AIを用いたモータ制御に関する技術（非線形補償/周期外乱制御/故障診断）
- 5-9.ハードウェアセキュリティーに関する技術（暗号アルゴリズム実装技術、耐タンパ技術）
関連するキーワード
超低電圧動作、超低電力、超低電圧状態保持、アダプティブパワーマネジメント、不揮発メモリ、T-CAD、高耐圧DMOS、高信頼性DMOS、NBTI、エージングモデル、超高効率DC/DCコンバータ、高絶縁、高耐圧、自動レイアウト、EMI、ソフトスイッチング、暗号、符号化、AI、セキュリティー、耐タンパ、ESDとEOS
- 5-1.次世代不揮発メモリ技術
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6. 新領域分野
- １から５の分野には含まれないロームとしての新領域の研究
関連するキーワード
超小型電池、フォノニック結晶材料、加工用大出力レーザー・光学技術、シリコンフォトニクス、スピントロニクス、次世代半導体材料、AIアルゴリスム技術・AI応用技術