R6012JNJ - 技術資料

R6012JNJは低オン抵抗かつ逆回復時間(trr)が速いパワーMOSFETです。R60xxJNxシリーズ「PrestoMOS™」は、エアコンや冷蔵庫などの白物家電のモータ駆動やEVの充電ステーションに最適な、逆回復時間(trr)が速いSuperJunction MOSFETです。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

アプリケーションノート

インバータ回路におけるスイッチング素子の逆回復特性の重要性とPrestoMOS™の有用性について
 
インバータ回路の動作において、スイッチング素子に内蔵されているDiode の逆回復特性の重要性およびBody Diodeの逆回復特性が業界最高クラスの性能を有するSuper Junction MOSFETであるPrestoMOS™の有用性について説明
熱電対を用いた温度測定における注意点
 
このアプリケーションノートでは、温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
熱シミュレーション用 2抵抗モデル
 
熱シミュレーションで使用する熱モデルのなかで、最もシンプルな2抵抗モデルについて説明します。対象の熱シミュレーションは3次元モデル熱伝導、熱流体解析ツールです。
ダブルパルス試験を用いたPrestoMOS™ のデバイス特性の優位性実証
 
インバータ回路やTotem Pole 型力率改善(PFC)回路など、トランジスタを2 つ以上持つブリッジ回路において、上下アームを貫通する電流によってターンON 損失が増大することがあります。この現象は、スイッチングしているトランジスタと逆アームのトランジスタがもつ、寄生ダイオード(Body Diode)のリカバリー特性に大きく影響を受けるため、ブリッジ回路ではリカバリー特性の優れた素子を選定する必…
LLCコンバータの1次側スイッチング素子におけるPrestoMOS™の有用性について
 
LLCコンバータの回路動作、及びLLCコンバータの特有の問題である共振外れに対するPrestoMOS™の有用性について
pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
 
このアプリケーションノートでは、pn接合の順方向電圧を用いた温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
熱モデルとは(トランジスタ)
 
SPICEモデルには、熱に関するシミュレーションを行うための熱モデルと呼ばれるものがあります。熱モデルを用いたシミュレーションは、熱設計の初期段階に大まかな見積もりを立てるために実施されます。このアプリケーションノートでは熱モデルについて説明します。
MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
 
MOSFET の仕様書に記載している許容損失と熱抵抗について
スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
MOSFETの仕様書に記載している用語説明
 
MOSFETの仕様書に記載している用語に関する定義・説明
MOSFET の破壊メカニズムについて
 
仕様書に記載している電気的要因、熱的要因が原因の、MOSFETが破壊するメカニズムについて説明
形名の構成
 
For Transistors