高速ダイオード内蔵 Nch 600V 12A パワーMOSFET - R6012JNJ (新製品)

R6012JNJは低オン抵抗かつ逆回復時間(trr)が速いパワーMOSFETです。R60xxJNxシリーズ「PrestoMOS™」は、エアコンや冷蔵庫などの白物家電のモータ駆動やEVの充電ステーションに最適な、逆回復時間(trr)が速いSuperJunction MOSFETです。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

技術資料

アプリケーションノート

インバータ回路におけるスイッチング素子の逆回復特性の重要性とPrestoMOS™の有用性について
 
インバータ回路の動作において、スイッチング素子に内蔵されているDiode の逆回復特性の重要性およびBody Diodeの逆回復特性が業界最高クラスの性能を有するSuper Junction MOSFETであるPrestoMOS™の有用性について説明
ダブルパルス試験を用いたPrestoMOS™ のデバイス特性の優位性実証
 
インバータ回路やTotem Pole 型力率改善(PFC)回路など、トランジスタを2 つ以上持つブリッジ回路において、上下アームを貫通する電流によってターンON 損失が増大することがあります。この現象は、スイッチングしているトランジスタと逆アームのトランジスタがもつ、寄生ダイオード(Body Diode)のリカバリー特性に大きく影響を受けるため、ブリッジ回路ではリカバリー特性の優れた素子を選定する必…
LLCコンバータの1次側スイッチング素子におけるPrestoMOS™の有用性について
 
LLCコンバータの回路動作、及びLLCコンバータの特有の問題である共振外れに対するPrestoMOS™の有用性について
MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
 
MOSFET の仕様書に記載している許容損失と熱抵抗について
MOSFETの仕様書に記載している用語説明
 
MOSFETの仕様書に記載している用語に関する定義・説明
MOSFET の破壊メカニズムについて
 
仕様書に記載している電気的要因、熱的要因が原因の、MOSFETが破壊するメカニズムについて説明
スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
NE ハンドブックシリーズ
 
パワー半導体
形名の構成
 
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基礎情報(環境データなど) Batch Download 

パッケージ情報

外形寸法図
 
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包装仕様
 
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標印仕様説明
 
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耐湿レベルについて
 
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耐ウィスカ性能について
 
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はんだ付け条件
 
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環境データ

UL難燃性について
 
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REACH規制-高懸念物質非含有について
 
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RoHS/ELV指令適合証明書
 
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輸出関連情報

輸出貿易管理令について
 
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