10V駆動タイプ Nch MOSFET - R6004ENX

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

技術資料

アプリケーションノート

MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
 
MOSFET の仕様書に記載している許容損失と熱抵抗について
MOSFETの仕様書に記載している用語説明
 
MOSFETの仕様書に記載している用語に関する定義・説明
MOSFET の破壊メカニズムについて
 
仕様書に記載している電気的要因、熱的要因が原因の、MOSFETが破壊するメカニズムについて説明
スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
NE ハンドブックシリーズ
 
パワー半導体
Condition Of Soldering
 
For Lead Type
形名の構成
 
For Transistors

デザインモデル

SPICEモデル
 
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Thermal Model
 
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基礎情報(環境データなど) Batch Download 

パッケージ情報

外形寸法図
 
For TO220FM package
内部構造図
 
For R6004ENX
標印仕様説明
 
For TO220FM package
耐湿レベルについて
 
For Transistors
耐ウィスカ性能について
 
For Transistors

環境データ

構成物質一覧表
 
For R6004ENX
UL難燃性について
 
For Transistors
REACH規制-高懸念物質非含有について
 
For Transistors
RoHS/ELV指令適合証明書
 
For Transistors

製品個別データ

静電気耐圧データ
 
For R6004ENX

輸出関連情報

輸出貿易管理令について
 
For Transistors