SCT3080KR
1200V, 31A, 4端子THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET
SCT3080KR
1200V, 31A, 4端子THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET
SCT3080KRは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35％の損失低減が見込めます。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
80
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
31
Total Power Dissipation[W]
165
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
特長:
- 高効率の4ピンパッケージでスイッチング損失を削減
- 評価ボード「P02SCT3040KR-EVK-001」を提供
- 低オン抵抗
- 高速スイッチング
- 逆回復時間が早い
- 並列使用が容易
- 駆動回路が簡単
- Pbフリー対応済み、RoHS準拠
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
-
- Evaluation Board - P02SCT3040KR-EVK-001
- For evaluating ROHM’s SCT3040KR (1200V/40mΩ/TO-247-4L)
Enables evaluation of other ROHM SiC MOSFETs by simply changing the circuit multiplier - In addition to the TO-247-4L package, there are through-holes for TO-247-3L that make it possible to perform comparative evaluations on the same board
- Single power supply (+12V operation)
- Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
- Compatible with a variety of power supply topologies (Buck/Boost/Half Bridge)
- Built-in isolated power supply for gate drive adjustable via variable resistor (+12V to +23V)
- Jumper pins enable switching between negative bias/zero bias for gate drive
- Includes overcurrent protection (DESAT, OCP) along with a function for preventing simultaneous ON of both upper and lower arms
- For evaluating ROHM’s SCT3040KR (1200V/40mΩ/TO-247-4L)
関連動画&カタログ
