SCT3080KR
1200V, 31A, 4端子THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET

SCT3080KRは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。従来の3端子パッケージ(TO-247N)と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35%の損失低減が見込めます。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | SCT3080KRC14
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-247-4L
包装数量 | 240
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

80.0

ID [A]

31.0

PD [W]

165

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

パッケージサイズ [mm]

16x23.45 (t=5.2)

特長:

  • 高効率の4ピンパッケージでスイッチング損失を削減
  • 評価ボード「P02SCT3040KR-EVK-001」を提供
  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチング
  • 逆回復時間が早い
  • 並列使用が容易
  • 駆動回路が簡単
  • Pbフリー対応済み、RoHS準拠

評価ボード

 
    • Evaluation Board
    • P02SCT3040KR-EVK-001
      • For evaluating ROHM’s SCT3040KR (1200V/40mΩ/TO-247-4L)
        Enables evaluation of other ROHM SiC MOSFETs by simply changing the circuit multiplier
      • In addition to the TO-247-4L package, there are through-holes for TO-247-3L that make it possible to perform comparative evaluations on the same board
      • Single power supply (+12V operation)
      • Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
      • Compatible with a variety of power supply topologies (Buck/Boost/Half Bridge)
      • Built-in isolated power supply for gate drive adjustable via variable resistor (+12V to +23V)
      • Jumper pins enable switching between negative bias/zero bias for gate drive
      • Includes overcurrent protection (DESAT, OCP) along with a function for preventing simultaneous ON of both upper and lower arms

  • ユーザーガイド 在庫確認

デザインリソース

 

ドキュメント

ホワイトペーパー

  • SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」
  • 採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
  • LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units
  • Solving the challenges of driving SiC MOSFETs with new packaging developments

ユーザーズガイド

  • TO-247-4L ハーフブリッジ評価基板 取扱説明書
  • TO-247-4Lハーフブリッジ評価基板 製品仕様書

アプリケーションノート

  • ドライバソース端子によるスイッチング損失の改善

技術記事

回路設計・検証

  • [NEW]SiC パワーデバイス・モジュール アプリケーションノート
  • 測定波形から電力損失を求める方法
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • SiC MOSFET ゲート-ソース電圧測定時の注意点
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い
  • SiC-MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
  • SiC MOSFET のスナバ回路
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱設計とは
  • 熱抵抗と放熱の基本
  • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルとは(SiCパワーデバイス)
  • 熱モデルの使い方
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • SCT3080KR PLECS Model
  • SCT3080KR SPICE Model
  • SCT3080KR Thermal Model (lib)
  • PSpiceモデルのシンボル作成方法

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • TO-247-4L Dimensions
  • TO-247-4L Inner Structure
  • TO-247-4L Taping Information
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について
  • はんだ付け条件

環境データ

  • UL難燃性について
  • ELV指令適合証明書
  • Report of SVHC under REACH Regulation

輸出関連情報

  • 米国輸出規制 (EAR) について