BV2HC045EFU-C
単独でシステム保護が可能な半導体ヒューズ
BV2HC045EFU-Cは、独自の過電流保護機能により、単独でシステムを過電流から保護できるハイサイドIPDです。一般品は起動時の突入電流だけに対応し、それ以外の定常電流はマイコンや過電流検出ICなども使って過電流保護を実現していましたが、IPD出力に接続される後段回路との相性で制御不能になる可能性がありました。一方、本製品は単独で突入電流と定常電流の過電流からシステムを保護できるため、一般品のソリューションと比較して、高信頼かつ部品点数の少ないソリューションを提供することで、より安全なシステム構築に貢献します。また、過電流保護の範囲は、外付け部品で自由に調整できるためさまざまなシステムに使用可能です。自動車のエンジン制御ユニットやトランスミッション制御ユニットなど、車載電装システムのECU保護に最適です。
加熱保護が自己復帰タイプのBV2HD045EFU-Cもラインアップしております。
主な仕様
機能安全:
特性:
Type
High side switches
Generation
GEN2
Qualification Grade
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Feature
Variable Overcurrent Limit
Overcurrent Protection
Limitation
Thermal Shut Down
Off-Latch
Channel Number [ch]
2
ON Resistance(Typ.)[mΩ]
45
ON Resistance(Max.)[mΩ]
100
Nominal Current(Typ.)[A]
21
Supply Voltage(Min.)[V]
6
Supply Voltage(Max.)[V]
19
Drain-Source Voltage (Max.)[V]
41
Single Pulse Energy 25°C [mJ]
35
Over Current Limit (Min.)[A]
21
Under voltage Detection Level(Max.)[V]
4.3
Current consumption(Typ.)[µA]
6000
Open Load Detect [V]
3
Junction Temperature Tj (Min.)[°C]
-40
Junction Temperature Tj (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
4.9x6.0 (t=1.7)
特長:
- Dual TSD®内蔵: ジャンクション温度を検知する過熱保護とPower-MOSの急峻な温度上昇を検知するΔTj保護の2種類の温度保護を内蔵
- AEC-Q100対応 (Grade 1)
- 可変過電流保護機能内蔵
- 可変過電流マスク時間設定機能内蔵
- 負荷オープン検出機能内蔵
- 低電圧時出力OFF機能 (UVLO) 内蔵
- 診断出力内蔵
- オン抵抗RON=45mΩ (Typ.)
- 制御部 (CMOS) とパワーMOSFETを1チップ上に組み込んだモノリシックパワーIC
- VBB=4.3V (Min.) まで動作可能
関連動画&カタログ
