BV1HJ045EFJ-C
出力異常検知付き 1chハイサイドスイッチ
BV1HJ045EFJ-Cは車載用1chハイサイドスイッチです。出力の異常モードである地絡検出（過電流制限機能）、天絡検出機能、負荷オープン検出機能や、過熱保護機能、低電時出力OFF機能を内蔵しており、異常検出時の診断出力機能を備えています。過電流制限値は5.0A~12.0Aです。また、過電流制限値が2.5A~5.5AのBV1HL045EFJ-Cもラインアップしております。
主な仕様
機能安全:
特性:
Type
High side switches
Generation
GEN2
Qualification Grade
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Feature
Standard / Error Flag
Overcurrent Protection
Limitation
Thermal Shut Down
Self-restart
Channel Number [ch]
1
ON Resistance(Typ.)[mΩ]
45
ON Resistance(Max.)[mΩ]
90
Nominal Current(Typ.)[A]
5
Supply Voltage(Min.)[V]
6
Supply Voltage(Max.)[V]
28
Drain-Source Voltage (Max.)[V]
45
Single Pulse Energy 25°C [mJ]
120
Over Current Limit (Min.)[A]
5
Under voltage Detection Level(Max.)[V]
5
Current consumption(Typ.)[µA]
2000
Open Load Detect [V]
3
Junction Temperature Tj (Min.)[°C]
-40
Junction Temperature Tj (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
4.9x6.0 (t=1.0)
特長:
- Dual TSD内蔵（ジャンクション温度を検知する過熱保護とPower-MOSの急峻な温度上昇を検知するΔTj保護の2種類の温度保護を内蔵）
- AEC-Q100対応（Grade 1）
- 過電流保護機能（OCP）内蔵
- 過熱保護機能（TSD）内蔵
- 負荷オープン検出機能内蔵
- 天絡検出機能内蔵
- 低電圧時出力OFF機能（UVLO）内蔵
- バッテリー、GNDの逆接続保護内蔵
- 診断出力内蔵
- 低オン抵抗のNch MOSFETスイッチを1回路内蔵
- 制御部（CMOS）とパワーMOSFETを1チップ上に組み込んだモノリシックパワーIC
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