RJ1P10BAT (新製品)
Pch -100V -105A, TO-263AB, パワーMOSFET
RJ1P10BAT (新製品)
Pch -100V -105A, TO-263AB, パワーMOSFET
RJ1P10BATはスイッチングやモーター用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-100
Drain Current ID[A]
-105
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0104
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0094
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0104
Total gate charge Qg[nC]
255
Power Dissipation (PD)[W]
201
Drive Voltage[V]
-6
trr (Typ.)[ns]
62
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ(TO263AB)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100%Rg及びアバランシェ耐量試験済
