RQ3E180AJ
Nch 30V 18A ミドルパワーMOSFET

RQ3E180AJは低オン抵抗、小型面実装パッケージのMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RQ3E180AJTB1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | HSMT8
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

HSMT8 (3.3x3.3)

推奨セット

Power Supply

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

18

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.0045

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0035

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0045

ゲート総電荷量 Qg [nC]

39

許容損失 PD [W]

2

駆動電圧 [V]

2.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

3.3x3.3 (t=0.9)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 小型面実装パッケージで省スペース
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
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