RQ3E180AJ
Nch 30V 18A ミドルパワーMOSFET
RQ3E180AJは低オン抵抗、小型面実装パッケージのMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
18
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.0045
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0045
Total gate charge Qg[nC]
39
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型面実装パッケージで省スペース
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
