RD3P200SN
Nch 100V 20A Power MOSFET

RD3P200SNは低オン抵抗のPower MOSFETです。スイッチングのアプリケーションに最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RD3P200SNTL1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-252
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-252 (DPAK)

パッケージサイズ [mm]

6.6x9.9 (t=2.4)

JEITAパッケージ

SC-63

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

100

ドレイン電流 (直流) ID [A]

20.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.036

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.033

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.036

ゲート総電荷量 Qg [nC]

55.0

許容損失 PD [W]

20.0

駆動電圧 [V]

4.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • 駆動回路が簡単
  • 並列使用が容易
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱設計とは
  • 熱抵抗と放熱の基本
  • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは(トランジスタ)
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • RD3P200SN SPICE Model
  • PSpiceモデルのシンボル作成方法

特性データ

  • RD3P200SN ESD Data

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 内部構造図
  • 標印仕様説明
  • はんだ付け条件
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

  • 構成物質一覧表
  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について