2.5V駆動タイプ Nch+SBD MOSFET - QS5U16
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード（SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
SOT-25T
パッケージサイズ[mm]
2.9x2.8 (t=1.0)
端子数
5
極性
Nch+Schottky
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
30
ドレイン電流 (直流) ID [A]
2.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.11
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.076
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.071
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.11
ゲート総電荷量 Qg [nC]
2.8
許容損失 PD [W]
0.9
駆動電圧 [V]
2.5
逆方向電圧 (Diode)[V]
20.0
順方向電流 (Diode)[A]
0.5
サージ順方向電流 (Diode)[A]
2.0
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
・ショットキーダイオード内蔵ミドルパワーMOSFET・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠