デザインモデル
- QS5U16 SPICE Model
- QS5U16 Thermal Model (lib)
- PSpiceモデルのシンボル作成方法
特性データ
- 静電気耐圧データ
QS5U16
主な仕様
特性:
グレード
Standard
パッケージコード
SOT-25T
パッケージサイズ [mm]
2.9x2.8 (t=1.0)
端子数
5
極性
Nch+Schottky
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
30
ドレイン電流 (直流) ID [A]
2.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.11
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.076
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.071
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.11
ゲート総電荷量 Qg [nC]
2.8
許容損失 PD [W]
0.9
駆動電圧 [V]
2.5
逆方向電圧 (Diode)[V]
20.0
順方向電流 (Diode)[A]
0.5
サージ順方向電流 (Diode)[A]
2.0
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
・ショットキーダイオード内蔵ミドルパワーMOSFET・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
デザインリソース
技術記事
回路設計・検証
- 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
- スイッチング回路の電力損失計算
- MOSFETの仕様書に記載している用語説明
- スイッチング波形のモニタ方法
- MOSFET の破壊メカニズムについて
- パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
- バイパスコンデンサのインピーダンス特性
熱設計
- 熱設計とは
- 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
- 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
- 熱電対を用いた温度測定における注意点
- 熱モデルとは（トランジスタ）
- pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
- MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
- 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
- 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点
モデルとツール
デザインモデル
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パッケージ情報
- 外形寸法図
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- 標印仕様説明
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