高実装信頼性 DFN1010, Nch 20V 1A, 車載用小信号MOSFET - RV8C010UNHZG (新製品)
RV8C010UNHZGは優れた実装信頼性をもつ車載向け超小型MOSFETで、独自のWettable Flank形成技術によってパッケージ側面電極部分の高さ125μmを保証しています。安定したはんだ品質を下部電極パッケージで確保し、部品実装後の半田付け状態の外観検査（AOI）を確実なものにします。車載ECUやADASカメラモジュールなど車載部品の小型化に貢献します。ハイサイドロードスイッチやスイッチング回路、リレードライバ用途に最適です。
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特性:
グレード
Automotive
標準規格
AEC-Q101 (Automotive Grade)
パッケージコード
DFN1010-3W
パッケージサイズ[mm]
1.0x1.0 (t=0.45)
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
20
ドレイン電流 (直流) ID [A]
1.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)
0.7
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)
0.54
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)
0.47
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.4
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.34
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.7
許容損失 PD [W]
1.0
駆動電圧 [V]
1.2
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
- 小型高放熱面実装パッケージ(1.0×1.0×0.4mm)
- 自動光学検査装置(AOI)対応 Wettable Flankパッケージ 側面電極Sn100% Min.125µm保証
- AEC-Q101準拠
- ESD耐量 ≥ 2kV (HBM)
- 高速スイッチング
- 低電圧駆動(2.5V駆動)