高実装信頼性 DFN1010, Nch 60V 250mA, 車載用小信号MOSFET - RV8L002SNHZG (開発中)

RV8L002SNHZGは優れた実装信頼性をもつ車載向け超小型MOSFETで、独自のWettable Flank形成技術によってパッケージ側面電極部分の高さ125μmを保証しています。安定したはんだ品質を下部電極パッケージで確保し、部品実装後の半田付け状態の外観検査(AOI)を確実なものにします。車載ECUやADASカメラモジュールなど車載部品の小型化に貢献します。ハイサイドロードスイッチやスイッチング回路、リレードライバ用途に最適です。

形名 | RV8L002SNHZGG2CR
供給状況 | 開発中
パッケージ | DFN1010-3W (Wettable Flank)
包装数量 | 8000
最小個装数量 | 8000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Automotive

標準規格

AEC-Q101 (Automotive Grade)

パッケージコード

DFN1010-3W

パッケージサイズ[mm]

1.0x1.0 (t=0.45)

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

60

ドレイン電流 (直流) ID [A]

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

2.3

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

2.1

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

3.0

許容損失 PD [W]

1.0

駆動電圧 [V]

2.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 小型高放熱面実装パッケージ(1.0×1.0×0.4mm)
  • 自動光学検査装置(AOI)対応 Wettable Flankパッケージ 側面電極Sn100% Min.125µm保証
  • AEC-Q101準拠
  • ESD耐量 ≥ 2kV (HBM)
  • 高速スイッチング
  • 低電圧駆動(2.5V駆動)