業界トップクラス※のデバイス性能を実現した650V耐圧のGaN HEMTを量産開始！
サーバーやACアダプターなど幅広い電源システムの高効率化・小型化に最適

※2023年4月27日ローム調べ

2023年4月27日

＜要旨＞

ローム株式会社（以下、ローム）は、サーバーやACアダプターなど幅広い電源システムに最適な、650V耐圧GaN（ガリウムナイトライド：窒化ガリウム）HEMT*1「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」の量産を開始しました。
新製品は、Delta Electronics, Inc. （以下、デルタ電子）の関連会社でGaNデバイスの開発等を手掛けるAncora Semiconductors Inc.（以下、アンコラ社）との共同開発によるもので、650V GaN HEMTのデバイス性能指数（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss*2）において業界トップクラスを実現しました。これによりスイッチング損失を大きく削減できるため、電源システムの高効率化を可能にします。また、ESD*3保護素子を内蔵したことにより、静電破壊耐量が3.5kVまで向上するため、アプリケーションの高信頼化にも寄与します。さらに、GaN HEMTの特長を活かした高速スイッチング動作により、周辺部品の小型化にも貢献します。
なお、新製品は、2023年4月より量産（サンプル価格5,000円／個：税抜）及びインターネット販売を開始しており、チップワンストップ、コアスタッフオンラインなどから購入することができます。
ロームでは、アプリケーションの省エネ・小型化に寄与するGaNデバイスを「EcoGaN™シリーズ」としてラインアップし、デバイス性能のさらなる向上に取り組んでいます。また、デバイス開発に加えて、戦略的パートナーシップの締結や共同開発も進め、アプリケーションの高効率化、小型化に寄与することで社会課題の解決に貢献します。

 

Press picture

＜背景＞

脱炭素社会の実現に向けて、全世界の電力消費量の大半を占めるといわれる電源やモーターの効率改善は、世界的な社会課題となっています。その効率改善のカギを握るのがパワーデバイスであり、各種電源のさらなる高効率化に向けて、SiC（シリコンカーバイド：炭化ケイ素）やGaNなどの新材料の活用が期待されています。
ロームでは2022年に業界最高※となる8Vまでゲート耐圧を高めた150V耐圧GaN HEMTの量産を開始、2023年3月にはGaN性能を最大限引き出す制御IC技術を確立しています。こうした中、さらに幅広い電源システムの高効率化・小型化に貢献するため、業界トップクラスのデバイス性能を実現した650V耐圧GaN HEMTを開発しました。

＜EcoGaN™とは＞

EcoGaN

EcoGaN™は、GaNの性能を最大限活かすことで、アプリケーションの低消費電力化と周辺部品の小型化、設計工数と部品点数の削減を同時に目指した省エネ・小型化に貢献するロームのGaNデバイスです。

・EcoGaN™は、ローム株式会社の商標または登録商標です。

＜製品ラインアップ＞

品番 データ
シート		 ドレイン・
ソース間
電圧
VDSS[V]		 ドレイン
電流
ID[A]
TC=25℃		 ドレイン・
ソース間オン抵抗
RDS(on)(Typ.)
[mΩ]		 ゲート
総電荷量
Qg(Typ.)
[nC]		 入力容量
Ciss(Typ.)
[pF]		 出力容量
Coss(Typ.)
[pF]		 パッケージ名
[mm]
NewGNP1070TC-Z PDF 650 20 70 5.2 200 50 DFN8080K
[8.0×8.0×0.9]
NewGNP1150TCA-Z PDF 11 150 2.7 112 19 DFN8080AK
[8.0×8.0×0.9]

＜アプリケーション例＞

サーバーやACアダプターをはじめとする産業機器から民生機器までの幅広い電源システム

＜インターネット販売情報＞

販売開始時期： 2023年4月から
販売ネット商社： チップワンストップ、コアスタッフオンライン
それ以外のネット商社からも順次発売していきます。

1個から購入可能

  • チップワンストップ
  • コアスタッフオンライン

＜Ancora Semiconductors Inc.（アンコラセミコンダクターズ）について＞

Ancora

電源やトランスなどを手掛ける台湾のデルタ電子（Delta Electronics, Inc.）の関連会社でGaNデバイスの開発等を手掛けるアンコラ社は、2022年7月に設立されたベンチャー企業です。
アンコラ社の詳細については、以下のWebサイトをご覧ください。
https://www.ancora-semi.com/EN

＜用語解説＞

*1) GaN HEMT
GaN（ガリウムナイトライド：窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる化合物半導体材料のこと。一般的な半導体材料であるSi（シリコン）に対して物性に優れており、高周波特性を活かし採用が始まっている。
HEMTとは、High Electron Mobility Transistor（高電子移動度トランジスタ）の単語の頭文字を取った略称。
*2) RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss
デバイス性能を評価する指標であり、Cissは入力側、Cossは出力側からみた時の全体容量のことを指す。
この値が低いほど、スイッチング速度が速く、スイッチング時の損失が少なくなる。
*3) ESD（Electro-Static Discharge：静電気放電）
人体と電子機器など電気を帯びた物体同士が接触し静電気（サージ）が発生する。この静電気（サージ）は回路や機器の誤作動や破壊を引き起こす。