GNP1150TCA-Z
EcoGaN™, 650V 11A DFN8080AK, E-mode Gallium-Nitride(GaN) FET
主な仕様
特性:
VDS [V]
650
IDS [A]
11
VGS Rating [V]
6
RDS(on) [mΩ]
150
Qg [nC]
2.7
Dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=0.9)
特長:
- 650V E-mode GaN FET
- 150mΩ Resistance
- 2.7nC Gate Charge
製品概要
背景
脱炭素社会の実現に向けて、全世界の電力消費量の大半を占めるといわれる電源やモーターの効率改善は、世界的な社会課題となっています。その効率改善のカギを握るのがパワーデバイスであり、各種電源のさらなる高効率化に向けて、SiC（シリコンカーバイド：炭化ケイ素）やGaNなどの新材料の活用が期待されています。
ロームでは2022年に業界最高となる8Vまでゲート耐圧を高めた150V耐圧GaN HEMTの量産を開始、2023年3月にはGaN性能を最大限引き出す制御IC技術を確立しています。こうした中、さらに幅広い電源システムの高効率化・小型化に貢献するため、業界トップクラスのデバイス性能を実現した650V耐圧GaN HEMTを開発しました。
概要
本製品は、Delta Electronics, Inc.（デルタ電子）の関連会社でGaNデバイスの開発等を手掛けるAncora Semiconductors Inc.（アンコラ社）との共同開発によるもので、650V GaN HEMTのデバイス性能指数（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）において業界トップクラスを実現しました。これによりスイッチング損失を大きく削減できるため、電源システムの高効率化を可能にします。また、ESD保護素子を内蔵したことにより、静電破壊耐量が3.5kVまで向上するため、アプリケーションの高信頼化にも寄与します。さらに、GaN HEMTの特長を活かした高速スイッチング動作により、周辺部品の小型化にも貢献します。
アプリケーション例
サーバーやACアダプターをはじめとする産業機器から民生機器までの幅広い電源システム
関連動画&カタログ
