GNP1070TC-Z
EcoGaN™, 650V 20A DFN8080K, E-mode Gallium-Nitride(GaN) FET
GNP1070TC-Zは650V GaN HEMTです。業界最高クラスのFOM(Ron*Ciss、Ron*Coss)を有し、低いオン抵抗と高速スイッチング性能を最大限生かすことで省エネ・小型化に貢献するEcoGaN™シリーズの製品であり、ESD保護機能付きで高信頼性設計にも貢献します。また、大電流対応かつ放熱性にも優れる汎用性の高いDFNパッケージは、実装工程でのハンドリングを容易にします。
主な仕様
特性:
VDS [V]
650
IDS [A]
20
VGS Rating [V]
6
RDS(on) [mΩ]
70
Qg [nC]
5.2
パッケージサイズ [mm]
8.0x8.0 (t=0.9)
特長:
- 650V E-mode GaN FET
- 70mΩ Resistance
- 5.2nC Gate Charge
製品概要
背景
脱炭素社会の実現に向けて、全世界の電力消費量の大半を占めるといわれる電源やモーターの効率改善は、世界的な社会課題となっています。その効率改善のカギを握るのがパワーデバイスであり、各種電源のさらなる高効率化に向けて、SiC（シリコンカーバイド：炭化ケイ素）やGaNなどの新材料の活用が期待されています。
ロームでは2022年に業界最高となる8Vまでゲート耐圧を高めた150V耐圧GaN HEMTの量産を開始、2023年3月にはGaN性能を最大限引き出す制御IC技術を確立しています。こうした中、さらに幅広い電源システムの高効率化・小型化に貢献するため、業界トップクラスのデバイス性能を実現した650V耐圧GaN HEMTを開発しました。
概要
本製品は、Delta Electronics, Inc.（デルタ電子）の関連会社でGaNデバイスの開発等を手掛けるAncora Semiconductors Inc.（アンコラ社）との共同開発によるもので、650V GaN HEMTのデバイス性能指数（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）において業界トップクラスを実現しました。これによりスイッチング損失を大きく削減できるため、電源システムの高効率化を可能にします。また、ESD保護素子を内蔵したことにより、静電破壊耐量が3.5kVまで向上するため、アプリケーションの高信頼化にも寄与します。さらに、GaN HEMTの特長を活かした高速スイッチング動作により、周辺部品の小型化にも貢献します。
アプリケーション例
サーバーやACアダプターをはじめとする産業機器から民生機器までの幅広い電源システム
