※2023年4月13日現在ローム調べ 製品ラインアップ 販売情報 製品動画 新製品プレゼン 2023年4月13日 ＜要旨＞ ローム株式会社（本社：京都市）は、基地局・サーバー用電源や、産業機器・民生機器用モーターなど、24V/36V/48V系統の電源で動作するアプリケーションの駆動に最適な、Nch MOSFET*1「RS6xxxxBx / RH6xxxxBxシリーズ」13製品（40V/60V/80V/100V/150V）を開発しました。 新製品は、プロセスの微細化による素子性能の向上に加えて、抵抗の低い銅クリップ接続のHSOP8/HSMT8パッケージを採用したことにより、従来品より約50％低い業界トップクラスのオン抵抗（Ron）*2 2.1mΩを達成しています。また、ゲート構造の改善により、一般的にオン抵抗とトレードオフの関係になるQgd*3（ゲート・ドレイン間電荷量）も従来品比で約40％低減（Ron・Qgdともに、HSOP8パッケージ、60V耐圧品のTyp.値で比較）。これにより、スイッチング損失及び導通損失を低減できるため、各アプリケーションの高効率動作に大きく貢献します。高効率動作の一例として、産業機器向け電源評価基板で電源効率を比較した場合、定常動作時の出力電流範囲において、新製品は業界トップクラス※の電源効率（ピーク時約95％）を達成しています。 新製品は、2023年1月より当面月産100万個の体制で量産（サンプル価格500円/個：税抜）を開始しています。インターネット販売も開始しており、コアスタッフオンライン、チップワンストップなどから購入することができます。 今後もロームは、さらに低オン抵抗のMOSFETを開発中であり、各種機器の低消費電力化に寄与することで、省エネ化による環境保護などの社会課題解決に貢献していきます。 ＜背景＞ 近年、世界的に電力消費量が増大し、電力の有効活用を迫られる中、基地局、サーバーなどの産業機器や、各種モーターにおいても、高効率化が進んでいます。そして、これらのアプリケーションにおいて、中耐圧のMOSFETは、さまざまな回路で使用されており、メーカーから低損失化が求められています。一方、MOSFETの電力損失に繋がる主要なパラメータとしては、オン抵抗とQgdの2つがありますが、一般的なMOSFETでは、チップサイズに対して、オン抵抗は反比例して小さく、Qgdは比例して大きくなるため、両立が困難です。これに対してロームは、プロセスの微細化と銅クリップ接続の採用、ゲート構造の改善により、両者のトレードオフを改善しました。 ＜製品ラインアップ＞ 品番 データ シート VDSS [V] ID[A] TC=25℃ RDS(on)[mΩ] Qg[nC] Qgd [nC] パッケージ名 [mm] VGS=10V VGS=10V VGS=6V VGS=4.5V Typ. Max. Typ. Typ. Typ. Typ. RS6G120BG 40 120 1.03 1.34 67 - 34 12 HSOP8 （5.0×6.0×1.0） RS6G100BG 100 2.6 3.4 24 - 11.8 4.3 RS6L120BG 60 120 2.1 2.7 51 - 25 7.3 RS6L090BG 90 3.6 4.7 28 - 14 4.1 RS6N120BH 80 120 2.8 3.3 53 33 - 10.1 RS6P100BH 100 100 4.5 5.9 45 29 - 11.7 RS6P060BH 60 8.2 10.6 25 16.2 - 6.3 RS6R060BH 150 16.7 21.8 46 30 - 12 RS6R035BH 35 32 41 25 16.2 - 6.4 RH6G040BG 40 40 2.8 3.6 25 - 11.8 4.5 HSMT8 （3.3×3.3×0.8） RH6L040BG 60 5.5 7.1 18.8 - 9.2 2.7 RH6P040BH 100 12 15.6 16.7 10.9 - 4.4 RH6R025BH 150 25 46 59 16.7 11 - 4.4 ＜アプリケーション例＞ ◇通信基地局やサーバー用電源 ◇産業用・民生用モーター その他、幅広い機器の電源回路やモータドライブに採用可能です。 ＜インターネット販売情報＞ 販売開始時期： 2023年1月から 販売ネット商社：コアスタッフオンライン、チップワンストップ それ以外のネット商社からも順次発売していきます。 1個から購入可能 ＜用語説明＞ *1) Nch MOSFET ソースに対してプラスの電圧をゲートに印加すると導通状態になるタイプのMOSFET。 Pch MOSFETよりもオン抵抗が小さく、幅広い回路で使い勝手が良いため、現在市場ではNch MOSFETの方が流通している。 *2) オン抵抗（Ron） MOSFETオン時のドレイン・ソース間の抵抗値のこと。値が小さいほど導通時の電力損失が少なくなる。 *3) Qgd（ゲート・ドレイン間電荷量） MOSFETがオンしはじめた後、ゲート・ドレイン間の容量を充電する期間の電荷量。値が小さいほど高速スイッチングが可能になり、スイッチング時のロス（電力の損失）が少なくなる。 ＜製品動画＞ ＜新製品プレゼン"Featured Products"＞ 基地局・サーバー用電源や産業・民生用モータ駆動に最適 低オン抵抗 Nch Power MOSFET (Cuクリップタイプ） RS6xxxxシリーズ/RH6xxxxシリーズ（PDF:1.3MB） この件に関するお問い合わせはこちら
業界トップクラス※の低オン抵抗でアプリケーションの高効率動作に貢献する Nch MOSFET開発
産業機器用電源や各種モーター駆動に最適な40V～150V耐圧の13製品をラインアップ
※2023年4月13日現在ローム調べ
2023年4月13日
＜要旨＞
ローム株式会社（本社：京都市）は、基地局・サーバー用電源や、産業機器・民生機器用モーターなど、24V/36V/48V系統の電源で動作するアプリケーションの駆動に最適な、Nch MOSFET*1「RS6xxxxBx / RH6xxxxBxシリーズ」13製品（40V/60V/80V/100V/150V）を開発しました。
新製品は、プロセスの微細化による素子性能の向上に加えて、抵抗の低い銅クリップ接続のHSOP8/HSMT8パッケージを採用したことにより、従来品より約50％低い業界トップクラスのオン抵抗（Ron）*2 2.1mΩを達成しています。また、ゲート構造の改善により、一般的にオン抵抗とトレードオフの関係になるQgd*3（ゲート・ドレイン間電荷量）も従来品比で約40％低減（Ron・Qgdともに、HSOP8パッケージ、60V耐圧品のTyp.値で比較）。これにより、スイッチング損失及び導通損失を低減できるため、各アプリケーションの高効率動作に大きく貢献します。高効率動作の一例として、産業機器向け電源評価基板で電源効率を比較した場合、定常動作時の出力電流範囲において、新製品は業界トップクラス※の電源効率（ピーク時約95％）を達成しています。
新製品は、2023年1月より当面月産100万個の体制で量産（サンプル価格500円/個：税抜）を開始しています。インターネット販売も開始しており、コアスタッフオンライン、チップワンストップなどから購入することができます。
今後もロームは、さらに低オン抵抗のMOSFETを開発中であり、各種機器の低消費電力化に寄与することで、省エネ化による環境保護などの社会課題解決に貢献していきます。
＜背景＞
近年、世界的に電力消費量が増大し、電力の有効活用を迫られる中、基地局、サーバーなどの産業機器や、各種モーターにおいても、高効率化が進んでいます。そして、これらのアプリケーションにおいて、中耐圧のMOSFETは、さまざまな回路で使用されており、メーカーから低損失化が求められています。一方、MOSFETの電力損失に繋がる主要なパラメータとしては、オン抵抗とQgdの2つがありますが、一般的なMOSFETでは、チップサイズに対して、オン抵抗は反比例して小さく、Qgdは比例して大きくなるため、両立が困難です。これに対してロームは、プロセスの微細化と銅クリップ接続の採用、ゲート構造の改善により、両者のトレードオフを改善しました。
＜製品ラインアップ＞
シート
[V]
TC=25℃
[nC]
[mm]
HSOP8
（5.0×6.0×1.0）
HSMT8
（3.3×3.3×0.8）
＜アプリケーション例＞
その他、幅広い機器の電源回路やモータドライブに採用可能です。
＜インターネット販売情報＞
販売開始時期： 2023年1月から
販売ネット商社：コアスタッフオンライン、チップワンストップ
それ以外のネット商社からも順次発売していきます。
1個から購入可能
＜用語説明＞
Pch MOSFETよりもオン抵抗が小さく、幅広い回路で使い勝手が良いため、現在市場ではNch MOSFETの方が流通している。
＜製品動画＞
＜新製品プレゼン"Featured Products"＞
基地局・サーバー用電源や産業・民生用モータ駆動に最適
低オン抵抗 Nch Power MOSFET (Cuクリップタイプ）
RS6xxxxシリーズ/RH6xxxxシリーズ（PDF:1.3MB）
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