RS6L090BG
Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
RS6L090BGはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
HSOP8S (5x6)
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
90
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0053
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0036
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0053
Total gate charge Qg[nC]
14
Power Dissipation (PD)[W]
73
Drive Voltage[V]
4.5
Trr (Typ)[ns]
41
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ(HSOP8)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100% Rg 及びアバランシェ耐量試験済
製品概要
背景
近年、世界的に電力消費量が増大し、電力の有効活用を迫られる中、基地局、サーバーなどの産業機器や、各種モーターにおいても、高効率化が進んでいます。そして、これらのアプリケーションにおいて、中耐圧のMOSFETは、さまざまな回路で使用されており、メーカーから低損失化が求められています。一方、MOSFETの電力損失に繋がる主要なパラメータとしては、オン抵抗とQgdの2つがありますが、一般的なMOSFETでは、チップサイズに対して、オン抵抗は反比例して小さく、Qgdは比例して大きくなるため、両立が困難です。これに対してロームは、プロセスの微細化と銅クリップ接続の採用、ゲート構造の改善により、両者のトレードオフを改善しました。
概要
「RS6xxxxBx / RH6xxxxBxシリーズ」は、プロセスの微細化による素子性能の向上に加えて、抵抗の低い銅クリップ接続のHSOP8/HSMT8パッケージを採用したことにより、従来品より約50％低い業界トップクラスのオン抵抗（Ron） 2.1mΩを達成しています。また、ゲート構造の改善により、一般的にオン抵抗とトレードオフの関係になるQgd（ゲート・ドレイン間電荷量）も従来品比で約40％低減（Ron・Qgdともに、HSOP8パッケージ、60V耐圧品のTyp.値で比較）。これにより、スイッチング損失及び導通損失を低減できるため、各アプリケーションの高効率動作に大きく貢献します。高効率動作の一例として、産業機器向け電源評価基板で電源効率を比較した場合、定常動作時の出力電流範囲において、業界トップクラスの電源効率（ピーク時約95％）を達成しています。
アプリケーション例
◇通信基地局やサーバー用電源
◇産業用・民生用モーター
その他、幅広い機器の電源回路やモータドライブに採用可能です。
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