RS6G120BG
Nch 40V 210A, HSOP8, Power MOSFET

RS6G120BGはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RS6G120BGTB1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | HSOP8 (Single)
包装形態 | テーピング
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

HSOP8S (5x6)

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

40

ドレイン電流 (直流) ID [A]

210

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.00103

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.00174

ゲート総電荷量 Qg [nC]

34

許容損失 PD [W]

104

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

4.9x6.0 (t=1.1)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ(HSOP8)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
  • 100%Rg及びアバランシェ耐量試験済

製品概要

 

背景

近年、世界的に電力消費量が増大し、電力の有効活用を迫られる中、基地局、サーバーなどの産業機器や、各種モーターにおいても、高効率化が進んでいます。そして、これらのアプリケーションにおいて、中耐圧のMOSFETは、さまざまな回路で使用されており、メーカーから低損失化が求められています。一方、MOSFETの電力損失に繋がる主要なパラメータとしては、オン抵抗とQgdの2つがありますが、一般的なMOSFETでは、チップサイズに対して、オン抵抗は反比例して小さく、Qgdは比例して大きくなるため、両立が困難です。これに対してロームは、プロセスの微細化と銅クリップ接続の採用、ゲート構造の改善により、両者のトレードオフを改善しました。

概要

「RS6xxxxBx / RH6xxxxBxシリーズ」は、プロセスの微細化による素子性能の向上に加えて、抵抗の低い銅クリップ接続のHSOP8/HSMT8パッケージを採用したことにより、従来品より約50%低い業界トップクラスのオン抵抗(Ron) 2.1mΩを達成しています。また、ゲート構造の改善により、一般的にオン抵抗とトレードオフの関係になるQgd(ゲート・ドレイン間電荷量)も従来品比で約40%低減(Ron・Qgdともに、HSOP8パッケージ、60V耐圧品のTyp.値で比較)。これにより、スイッチング損失及び導通損失を低減できるため、各アプリケーションの高効率動作に大きく貢献します。高効率動作の一例として、産業機器向け電源評価基板で電源効率を比較した場合、定常動作時の出力電流範囲において、業界トップクラスの電源効率(ピーク時約95%)を達成しています。

「RS6xxxxBx/RH6xxxxBxシリーズ」と従来品のMOSFET性能比較
産業機器向け電源評価基板での効率比較

アプリケーション例

◇通信基地局やサーバー用電源
◇産業用・民生用モーター
その他、幅広い機器の電源回路やモータドライブに採用可能です。

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