Nch 30V 15A パワーMOSFET - RQ3E070BN

RQ3E070BNはハイパワーパッケージ(HSMT8)のMOSFETで、スイッチング用途に最適です。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

技術資料

アプリケーションノート

MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
 
MOSFET の仕様書に記載している許容損失と熱抵抗について
MOSFETの仕様書に記載している用語説明
 
MOSFETの仕様書に記載している用語に関する定義・説明
MOSFET の破壊メカニズムについて
 
仕様書に記載している電気的要因、熱的要因が原因の、MOSFETが破壊するメカニズムについて説明
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パワー半導体
形名の構成
 
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デザインモデル

SPICEモデル
 
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Thermal Model
 
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基礎情報(環境データなど) Batch Download 

パッケージ情報

外形寸法図
 
For HSMT8 package
内部構造図
 
For RQ3E070BN
包装仕様
 
For HSMT8 package
標印仕様説明
 
For HSMT8 package
耐湿レベルについて
 
For Transistors
耐ウィスカ性能について
 
For Transistors
はんだ付け条件
 
For HSMT8 package

環境データ

構成物質一覧表
 
For RQ3E070BN
UL難燃性について
 
For Transistors
REACH規制-高懸念物質非含有について
 
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RoHS/ELV指令適合証明書
 
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製品個別データ

静電気耐圧データ
 
For RQ3E070BN

輸出関連情報

輸出貿易管理令について
 
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