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Nch 600V 7A パワーMOSFET - R6007JNX

R6007JNXは逆回復時間(trr)が小さいパワーMOSFETです。スイッチング用途に最適です。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

技術資料

アプリケーションノート

インバータ回路におけるスイッチング素子の逆回復特性の重要性とPrestoMOS™の有用性について
 
インバータ回路の動作において、スイッチング素子に内蔵されているDiode の逆回復特性の重要性およびBody Diodeの逆回復特性が業界最高クラスの性能を有するSuper Junction MOSFETであるPrestoMOS™の有用性について説明
R60xxJNx シリーズによる位相シフトフルブリッジ回路の電力変換効率向上
 
本アプリケーションノートでは、フルブリッジ回路部にSJMOSが使用される場合の回路動作を示し、高速リカバリー型Body Diodeを有するSJMOSの必要性について解説します。そして、ロームがラインナップしている高速リカバリー型SJMOSであるPrestoMOS™を実装した際の効率評価結果を提示し、このシリーズがPSFB回路において、優れた電力変換効率を得るのに最適なことを示します。
ダブルパルス試験を用いたPrestoMOS™ のデバイス特性の優位性実証
 
インバータ回路やTotem Pole 型力率改善(PFC)回路など、トランジスタを2 つ以上持つブリッジ回路において、上下アームを貫通する電流によってターンON 損失が増大することがあります。この現象は、スイッチングしているトランジスタと逆アームのトランジスタがもつ、寄生ダイオード(Body Diode)のリカバリー特性に大きく影響を受けるため、ブリッジ回路ではリカバリー特性の優れた素子を選定する必…
LLCコンバータの1次側スイッチング素子におけるPrestoMOS™の有用性について
 
LLCコンバータの回路動作、及びLLCコンバータの特有の問題である共振外れに対するPrestoMOS™の有用性について
MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
 
MOSFET の仕様書に記載している許容損失と熱抵抗について
MOSFETの仕様書に記載している用語説明
 
MOSFETの仕様書に記載している用語に関する定義・説明
MOSFET の破壊メカニズムについて
 
仕様書に記載している電気的要因、熱的要因が原因の、MOSFETが破壊するメカニズムについて説明
NE ハンドブックシリーズ
 
パワー半導体
使用上の注意
 
素子温度について
使用上の注意
 
安心してお使いいただくために
形名の構成
 
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デザインモデル

SPICEモデル
 
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基礎情報(環境データなど) Batch Download 

パッケージ情報

外形寸法図
 
For TO220FM package
標印仕様説明
 
For TO220FM package
耐湿レベルについて
 
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耐ウィスカ性能について
 
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環境データ

UL難燃性について
 
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REACH規制-高懸念物質非含有について
 
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RoHS/ELV指令適合証明書
 
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輸出関連情報

輸出貿易管理令について
 
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